军用内调式四象限精密乘法器电路的设计

介绍内调式四象限精密乘法器电路的线路设计、版图设计、工艺设计及关键技术。着重介绍线路设计和版图设计的特点及四象限乘法器的功能。     

基于第四层交换技术的负载均衡

本文介绍了第四层交换技术的概念,技术原理以及如何使用第四层交换技术实现远程教育系统中的应用服务器负载均衡。     

Characterizations of Tb:Zn2SiO4 films on silicon wafer prepared by sol-gel dip-coating and solid-phase reaction

Terbium-doped Zn_2SiO_4 films were successfully prepared on Si wafers by a simple sol-gel dip-coating and solid-phase reaction method of ZnO and SiO_2. X-ray diffraction (XRD) and UV－Vis absorption results revealed that films processed below 850℃ were ZnO in wurzite structure, and films processed above 850℃ were Zn_2SiO_4 in wellimite structure. Photoluminescence measurements of the Tb-doped Zn_2SiO_4 films showed two strong emission bands at 490 and 545nm. The photoluminescence lifetime was 4.6ms.     

p型导电掺In的SnO_2薄膜的制备及表征

采用溶胶 凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸收谱测试结果表明 ,掺In的SnO2 禁带宽度为 3 8eV .霍尔测量结果表明 ,空穴浓度与热处理温度有很大的关系 ,5 2 5℃为最佳热处理的温度 .铟锡原子比在 0 0 5— 0 2 0范围内 ,空穴的浓度与In的含量有直接的关系 ,并随In含量的增加而增加     

硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合

本文用Ｘ光电子谱及部分参数固定曲线拟合方法分析了热生长硅氧化膜和硅的自然氧化膜中硅和氧的结合状态，发现两者均不是单一的ＳｉＯ２，硅在以上两种氧化膜中共有四种氧化状态，即Ｓｉ＋１，Ｓｉ＋２，Ｓｉ＋３和Ｓｉ＋４，它们相对于体Ｓｉ２ｐ，峰的化学位移分别为０．８５，２．３５，３．５５和４．６０ｅＶ．在硅的初期氧化阶段无Ｓｉ＋４成分出现．     

星载SAR距离模糊分布规律及其改进设计

本文提出了一种不加大天线尺寸而又使距离模糊满足要求的新方法，它能够在保持原有天线尺寸不增大的情况下实现宽测绘带的高质量成象。这种方法采用交替发射线性调频斜率完全相反的调频信号，在对回波信号进行距离压缩时，由于主要模糊区回波信号与参考函数失配就被大大地抑制，从而使距离模糊大大改善并得到较宽的测绘带。     

利用激光感应瞬态光栅研究超快弛豫现象

文中采用三能级速率方程和 Maxwell 方程理论导出可调谐激光感应瞬态光栅在第 i 能级上的衍射效率η_i(Δω)与能级寿命τ_i 的关系式,并对衍射线型η_i(Δω)进行讨论和分析。同时报导了我们对孔雀绿(Malachite Green)水溶液的纵向弛豫时间 T_1的实验测量结果。     

精密透镜的自动细磨技术

在非常重视生产成本的制造领域，任何一个能省时省钱的工艺都会受到欢迎。对精密光学元件制造业来说，这一点尤为重要。如果光学元件的生产成本进一步下降，它们的用途就会更加广泛。里弗莫尔的获奖项目OptiPro-AED(声射探测器)能使省时省钱的研磨工艺成为现实。     

对师专物理实验教学目标的新构想

对师专物理实验教学目标的新构想荆宝生（洛阳师范高等专科学校４７１０２２）引言实验技能是师范院校物理专业学生毕业后从事教学工作必不可少的能力之一．据近年来对中学物理教学现状的调查结果表明，许多中学（尤其是农村中学）物理实验并未按照教学大纲的要求开设．究...