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随着大规模集成电路在航天器中的广泛应用,器件单粒子效应的抗辐射性能成为了航天器在太空中安全运行的关键性因素.对超大规模集成电路抗辐射性能的评价显得越来越重要.针对一款Spacewire通讯路由器,根据其工作原理,搭建一套单粒子功能中断测试系统,对系统进行了验证,评估了该器件的抗辐射性能. 相似文献
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基于电荷控制原理建立了辐射感生AlmGa1-mN势垒层应力弛豫对AlmGa1-mN/GaN HEMTs器件电学特性影响的解析模型,并进行了仿真分析.结果表明,对于高Al组分HEMTs器件,AlmGa1-mN势垒层中辐射感生的应力弛豫影响更为显著.辐射感生应力弛豫不但导致2DEG下降和阈值电压正向漂移,而且能够引起漏极输出电流的明显下降.辐射感生应力弛豫是赝配AlmGa1-mN/GaN HEMTs辐射损伤的重要机理之一.
关键词:
mGa1-mN/GaN')" href="#">AlmGa1-mN/GaN
HEMT
辐射损伤
应力弛豫 相似文献