等离子体横向刻蚀硅的特性研究

研究了用SiO2 +Al作掩模 ,SF6 +O2 混合气体等离子体对Si的横向刻蚀 ,其结果表明 ,在SF6 +O2 等离子体气氛中 ,Al是很好的保护膜 ,可以在待悬浮器件下形成大的开孔。因此 ,预计用这种技术 ,可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米 ,具有优良高频性能的MEMSRF/MW无源器件 ,如开关、传输线、电感和电容等。     

基于超声导波的水下管道缺陷检测

文中介绍一套可拆式传感器系统设计与制作,利用超声导波原理对水下管道的腐蚀进行检测,基于厚度剪切模式的压电陶瓷和可拆式固定装置组成,可拆式传感器系统包括传感器PZT特别设计,并且可以把传感器装置夹在要检测的管道上。当对水下设备的管道进行了一系列的测试,结果表明传感器系统能够有效地激发和接收T（0,1）模式的超声导波,由于T（0,1）模式超声导波能够在水下管道上长距离传播,因此适用于缺陷检测。人为缺口的回波信号与缺口的尺寸以及位置具有良好的相关性。研究表明这一可拆式传感器系统能够利用导波有效地对水下管道进行检测。     

一种能提高DRC友好性和CMP形貌的冗余金属填充方法

化学机械研磨(CMP)被广泛用于铜镶嵌工艺,研磨后铜的厚度和表面形貌对65纳米以下的工艺显得越来越重要,厚度和形貌的变动会对芯片良率和性能造成恶劣影响,所以必须在设计时就进行慎重的考虑。众所周知,插入冗余金属是提升CMP形貌的一个好方法,通常基于规则的方法广泛用于65纳米及以上工艺中,但是该技术在比较先进制程中显示不出其优越性。本文阐述了一种基于模型的冗余金属填充方法,它是根据设计版图中的周围环境用计算机算法来填充。这一方法的优点有以下几方面:在设计规则检查(DRC)中更少的违规数量,更密集的图形密度分布和更少的填充图案数量,更小的密度和周长梯度。在使用40纳米工艺的晶圆上,基于模型方法得到的表面平坦度与基于规则的填充方法相当,但是比公开的其它填充方法要好。     

可扩展多功能复合材料结构状态传感网络的设计与制作技术

先进复合材料的使用为大型工程结构减重、提高效能及降低运营成本提供了有效途径,由于设计、制造与检测技术的限制,复合材料的优越性能在大型结构上的应用还远没得以充分发挥。本文提出了一种与复合材料结构集成一体的可扩展多功能传感网络技术,形成复合材料结构多模式传感能力,使复合材料结构可以"感觉"和"思考"自身状态。为此,发展了在微观尺度上制作高密度电阻温度传感器、电阻应变片和PVDF压电薄膜传感器网络的新方法,利用可扩展的传感器网络搭载层实现了多功能传感器网络从微观到宏观的扩展。扩展后的柔性传感器网络可覆盖面积大、外形复杂的复合材料结构,为全面快速评价复合材料结构在制造及使用过程中的完整性提供有效的技术手段。     

悬臂式RF MEMS开关的设计与研制

介绍了一种制作在低阻硅(3～8Ω·cm)上的悬臂式RF MEMS开关.在Cr/ Au CPW共面波导上,金/Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂,静电受激作为开关机理.当开关处于“关断”态,其隔离度小于- 35 d B(2 0～4 0 GHz) ;阈值电压为13V ;开关处于“开通”态,插入损耗为4～7d B(1～10 GHz) ,反射损耗为- 15 d B.另外,还分析了开关的悬臂梁弯曲度与驱动电压的关系,并应用ANSYS软件对开关进行了电学、力学及耦合特性的计算机模拟     

一类错题的错因分析与修正

通过对一道函数、不等式综合题的分析,发现试题的条件存在矛盾之处,剖析出现错误的原因,并给出几种修正方案.     

单片Si-FED的结构和设计

根据场发射显示器（ＦＥＤ）的工作原理和所要求的电学参数,利用常规的硅半导体工艺和微机械加工技术,设计和试制了显示面积为１０．８ｍｍ×１０．８ｍｍ的研究性器件。版图设计中采用了离子注入法形成导电网络结构和横向负反馈电阻。工艺流程采用了全干法两步刻蚀和热氧化增尖形成理想硅微尖锥的方案。硅场发射冷阴极阵列（Ｓｉ－ＦＥＣＡ）是ＦＥＤ的核心。     

等离子刻蚀制造硅场发射阵列

本文介绍了一种全干法二步刻蚀制造高发射效率的场发射阵列（ＦｉｅｌｄＥｍｉｔｔｅｒＡｒｒａｒｙ－ＦＥＡ）的方法。首先利用等离子刻蚀（ＰｌａｓｍａＥｔｃｈｉｎｇ－ＰＥ）的各向同性在由ＳｉＯ２掩模的硅衬底上刻出平顶尖锥，然后再利用反应离子刻蚀（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ－ＲＩＥ）的各向异性，在ＰＥ的基础上进一步刻蚀来拔高尖锥并减少尖锥顶部的面积，以得到理想形状的ＦＥＡ尖锥。这种方法比ＲＩＥ一步刻蚀法和湿法刻蚀加ＲＩＥ二步法简单可靠。     

数字接收机中合成滤波器的设计与性能分析

在宽带／窄带兼容的数字接收机中,匹配滤波器一般需要前置级联积分梳状（CIC）滤波器。在高性能要求的系统中,还需要对CIC进行补偿。传统的方法是将CIC补偿滤波器和匹配滤波器分开设计,而本文提出了一种将两者合并,使用一个滤波器来实现两种功能的方法。在不增加滤波器阶数的情况下,这种方法可以得到更好的滤波器性能,同时又节约了硬件资源。     

硅的横向刻蚀技术研究

研究了SF6等离子体横向刻蚀硅的速率和对SiO2的选择性,主要通过改变SF6气体流量和加入O2,提高硅的横向刻蚀速率和对SiO2选择性。实验发现,加入O2能提高SF6等离子对Si的横向刻蚀速率和Si/SiO2的刻蚀速率比。Si的横向刻蚀速率最高可达0．45μm/min,Si/SiO2的刻蚀比可达50：1。最后提出,在一定刻蚀条件下,可增加SiO2掩膜厚度,或用金属铝作掩膜来加大Si的横向刻蚀量。