CBGA组件热变形的2D-Plane42模型有限元分析

本文介绍有限元中的2D-Plane42模型在CBGA组件热变形中的应用，利用有限元的模拟CBGA组件的应变、应力的分布，通过模拟表明有限元法是研究微电子封装中BGA焊点、CBGA组件的可靠性的方法。     

压电双晶片驱动的压电微泵的研究

介绍了一种基于MEMS技术的压电微泵。该微泵利用聚二甲基硅氧烷(PDMS)作为泵膜,利用双面湿法腐蚀形成被动阀,并利用压电双晶片作为驱动部件。对压电双晶片的理论变形量和压电微泵的泵腔变化量、泵腔压缩比进行了理论分析,并对其输出流量进行了测试。在100 V、20 Hz的方波驱动下,该压电微泵的最大输出流量为317μL/min。结果显示该压电微泵的制作工艺简单,具有良好的流体驱动性能。     

CBGA组件热变形的3-D SOLID模型有限元分析

利用有限元中的3-DSOLID模型分析CBGA组件的热变形、应变和应力的分布，表明有限元法是研究微电子封装中BGA焊点、CBGA组件的可靠性的方法。     

PCB热变形的实时干涉测量研究

采用二次曝光和实时全息干涉技术对某一PCB进行了实验测试,获得了不同功率和不同夹持条件下PCB表面的离面位移分布以及离面位移随时间的动态变化图象。对两种不同的条纹图像进行处理,结果表明,随功率的增大,器件的离面翘曲量增大;在不同夹持条件下,由于器件局部受力约束和热传导条件的差异,呈现不同的位移分布,电阻区(热源区)附近的离面翘曲量变化较快而且较大。     

PCB热变形的实时干涉测量研究

采用二次曝光和实时全息干涉技术对某-PCB进行了实验测试,获得了不同功率和不同夹持条件下PCB表面的离面位移分布以及离面位移随时间的动态变化图象。对两种不同的条纹图像进行处理,结果表明,随功率的增大,器件的离面翘曲量增大;在不同夹持条件下,由于器件局部受力约束和热传导条件的差异,呈现不同的位移分布,电阻区(热源区)附近的离面翘曲量变化较快而且较大。     

CBGA组件热变形的2D-Plane42模型有限元分析

介绍有限元中的2D－Plane42模型在CBGA组件热变形中的应用，利用有限元的模拟CBGA组件的应变、应力的分布，通过模拟表明有限元法是研究微电子封装中BGA焊点、CBGA组件的可靠性的方法。     

PCB的温度与变形的三维有限元分析

为了研究温度、应力对PCB的可靠性的影响,根据实验条件,对某一航天PCB进行有限元模拟分析。得到了PCB的温度、变形、热应力与应变的分布情况,与实验结果很接近。表明有限元在PCB的可靠性的研究中是一种可靠的方法和计算过程中边界条件的正确性。     

金纳米颗粒增强富硅氮化硅发光特性的研究

采用时域有限差分(FDTD)方法,对Au纳米颗粒的尺寸和形貌对于其光学特性的影响进行了系统的理论研究。通过采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、晶化处理、电子束蒸发和高温退火等工艺,制备基于局域表面等离子共振(LSPR)效应的富硅氮化硅发光芯片。利用拉曼光谱仪、扫描电子显微镜(SEM)、奥林巴斯显微镜等对不同结构Au纳米颗粒富硅氮化硅发光器件的特性进行了表征。研究表明,通过对Au纳米颗粒的大小、形状和分布合理优化,富硅氮化硅芯片的发光强度在570nm波长附近提升了7倍,增强峰的位置红移了10nm。     

半导体器件残余应力测试与模拟研究

采用新型三维云纹干涉系统并结合盲孔释放的方法 ,研究了半导体装配底座内的残余应力 ,这种混合的方法不仅能真实测试试件因应力的释放而产生的三维变形信息 ,而且具有灵敏度高、条纹对比度好等特点。本文中 ,残余应力是通过盲孔释放获得 ,然后使用三维干涉系统来测试试件因残余应力的释放而发生的位移 ;利用有限元模拟的方法 ,精确计算了应力大小和分布情况 ,为实验研究提供了有力的支持和补充。结果表明 ,残余应力在F - 1C半导体内部分布不均匀 ,在两引脚之间的区域 ,应力比邻近区域的应力要大 ,存在一定的应力集中 ,对可伐管产生一定的挤压作用 ,这是造成半导体装配底座失效的一重要原因。     

微流控光纤芯片检测系统的研制

用集成在微流控芯片上的光纤作为传光介质,可使激发光斑的直径减小到93 μm;采用光纤准直器会聚光束,提高了光纤的耦合效率;把芯片放在暗室中进行实验,避免了外界杂散光的干扰,降低了本底噪声;用软件控制高压模块的输出电压,方便了实验操作;以蓝色LED作为激发光源,降低了仪器的成本;利用异硫氰酸酯荧光素考察了系统的性能,最小检测浓度达到2.2×10-8 mol/L,信噪比S/N=5.重复性实验表明峰值面积、峰高以及迁移时间3个参数的重复性比较好,其相对标准偏差均小于5%.用异硫氰酸酯荧光素标记的氨基酸进行了电泳分离,得到了比较满意的结果.