塑封器件内涂胶的比较

1972年以后,国外发明了改性环氧树脂,解决了半导体器件表面钝化技术,使塑封器件得到飞跃发展.80年起,我国塑封器件也得到较快发展,但在塑封器件的可靠性(主要指抗湿性和耐热性)方面与国外的差距较大,主要原因是改性环氧树脂质量和器件表面钝化技术未过关,当前解决后者的办法之一是在管芯上涂适量的内涂胶,以提高器件的抗湿性和防止器件的开路.要不要涂内涂胶和涂哪一种内涂     

当前半导体制造设备的几个新概念

本文论述了当前半导体制造设备的几个新概念，包括分类、投资、价格、市场、竞争和管理中的新概念。     

再论军用半导体器件的贮存期及“延寿试验”

本文讨论了军用半导体器件的贮存失效率模型、贮存失效率曲线、贮存数据和“延寿试验”．再次阐明超过贮存期的器件只要进行必要的“延寿试验”，试验合格的产品仍可交付使用。     

适用200mm圆片、0.5μm线宽的半导体设备

本文论述了开发200mm圆片、0.5μm线宽半导体设备的必要性,并介绍4种适用200mm圆片、0.5μm线宽的半导体设备。     

SoC、DFM与EDA

介绍了系统级芯片(SoC)、可制造性设计(DFM)和电子设计自动化(EDA)的最新发展动态。SoC正在从单核向双核、四核和多核过渡。SoC设计必须采用DFM和EDA。采用DFM和EDA的优点:(1)提高芯片的生产效率和良率;(2)降低芯片生产成本;(3)缩短芯片生产周期,加速上市。     

193 nm ArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术

2006年11月英特尔决定采用193nm ArF浸没式光刻技术研发32nm工艺。2007年2月IBM决定在22nm节点上抛弃EUV光刻技术,采用193nm ArF浸没式光刻技术。对于32nm/22nm工艺,193nm ArF浸没式光刻技术优于EUV光刻技术,并将成为主流光刻技术。     

SOI技术及其设备

介绍了SOI技术的特点和制造方法、超薄SOI技术,应变硅SOI技术及其设备,如大束流专用氧离子注入机。