EV曝光补偿

在欣赏一张照片的时候，常常可以看到一系列的拍摄数据。拍摄模式、快门、光圈、测光模式都是比较常见的照片数据，那么曝光补偿是什么意思，怎么使用呢？在很多熟练的摄影者手中，曝光补偿是一项常用的功能，让我们来了解什么是曝光补偿吧。     

The father＇s Wonder 热门硬盘MP4随身看全推荐

人们在庆祝母亲节的同时，并没有忘记父亲的功绩。1909年就开始有人建议确定父亲节，1910年6月，人们庆祝了第一个父亲节。但是父亲节的日期各不相同，直到1934年6月，美国国会才统一规定6月的第三个星期日为父亲节，今年的父亲节是6月18日。     

中红外高双折射悬吊芯硫系光纤的优化及制备

高双折射光纤对线偏振光具有强的偏振保持能力,因此,开发中红外高双折射光纤对于高效使用高偏振中红外激光意义重大。本研究团队对具有最大双折射值的一字型悬吊芯结构进行了参数优化,结果表明:当矩形芯的长宽比a/b=3.6时,在波长1.55μm处,双折射能达到4.7×10^-4,高于传统的石英保偏光纤;当空气孔半径r=28μm且两空气孔间距d=5.1μm时,双折射值在波长5μm处高达7.1×10^-3;在工作波长范围内,两极化模的限制损耗均低于10^-3 dB/m量级。通过实验制备了结构最优的一字型硫系悬吊芯光纤,其在波长5μm处的双折射高达4.6×10^-3,接近石英光子晶体光纤的双折射水平。     

带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究

设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量的InP、InGaAs以及与InP晶格相匹配的不同禁带宽度的InGaAsP外延材料。在此基础上,成功地生长出带有阶梯缓变集电区结构的InP基DHBT结构材料。     

臭氧修饰(001)晶面TiO2纳米片及其光催化降解甲苯研究

本文系统研究了臭氧修饰对(001)主导晶面锐钛矿型TiO₂光催化剂降解甲苯性能的影响. 利用自行搭建的光催化VOCs降解装置对催化剂光降解甲苯的性能进行了测试. 通过多种表征手段,结合原位DRIFTS和DFT计算研究了臭氧表面修饰及甲苯吸附和降解机理. 结果表明,用臭氧进行表面修饰可以显著提高(001)主导晶面TiO₂光催化降解甲苯的性能. (001)晶面上丰富的5c-Ti不饱和配位是臭氧分子的吸附位点,其解离后形成的Ti-O键与H₂O分子结合,在表面生成大量孤立的Ti_5c-OH. Ti_5c-OH 是甲苯分子的吸附位,它的形成显著提高了对甲苯分子的吸附能力. 在光照下Ti_5c-OH与光生空穴结合能形成·OH自由基. 通过臭氧解离产生的O₂也可以与光生电子结合形成超氧自由基. 这些具有强氧化性活性自由基的形成促进了对气相甲苯的光催化降解速率.     

基于差异性评估对Co-training文本分类算法的改进

 Co-training算法要求两个特征视图满足一致性和独立性假设,但是,许多实际应用中不存自然的划分且满足这种假设的两个视图,且直接评估两个视图的独立性有一定的难度.分析Co-training的理论假设,本文把寻找两个满足一致性和独立性特征视图的目标,转变成寻找两个既满足一定的正确性,又存在较大的差异性的两个基分类器的问题.首先利用特征评估函数建立多个特征视图,每个特征视图包含足够的信息训练生成一个基分类器,然后通过评估基分类器之间的差异性间接评估二者的独立性,选择两个满足一定的正确性和差异性比较大的基分类器协同训练.根据每个视图上采用的分类算法是否相同,提出了两种改进算法TV-SC和TV-DC.实验表明改进的TV-SC和TV-DC算法明显优于基于随机分割特征视图的Co-Rnd算法,而且TV-DC算法的分类效果要优于TV-SC算法.     

一种新型单偏振片反射式液晶显示器的设计

提出一种新型单偏振片反射式液晶显示器的设计方案。采用共面转换模式并在液晶和反射板之间加入四分之一光延迟膜。通过使用参数空间表示法优化选择器件参数,获得了高反射率、低色散和宽视角的常白、常黑反射式显示模式。     

矩阵损失下多维几何分布均值 的线性估计可容许性

本文在矩阵损失函数 (d - λ ) (d - λ )′下讨论多维几何分布均值参数 λ的线性估计在齐次线性 估计类中的可容许性 .     

Electronic Structure of Si1-xⅣx/Si Superlattices on Si （001）

We have preformed systematical ab initio studies of the structural and electronic properties of short-period Si1-xⅣx/Si （x = 0.125, 0.25, 0.5, Ⅳ=Ge, Sn） superlattices （SLs） grown along the [001] direction on bulk Si. The present calculations reveal that the Si0.875Ge0.125/Si, Si0.75Ge0.25/Si and Si0.875Sn0.125/Si are the F-point direct bandgap semiconductors. The technological importance lies in the expectation that the direct gap Si1-xⅣx/Si SLs may be used as components in integrated optoelectronic devices, in conjunction with the already well-established and highly advanced silicon technology.