籽晶法制备低压ZnO压敏电阻器

研究了ＺｎＯ籽晶粒度、掺入量及其制备方法对压敏电压的影响。实验结果表明：掺入适量粒度合适的籽晶，勿需在高温下长时间烧结，也可制成压敏电压较低，漏电流较小的ＺｎＯ压敏电阻器。     

Enhanced photovoltaic performance in TiO2/P3HT hybrid solar cell by interface modification

A TiO2/P3HT hybrid solar cell was fabricated by infiltrating P3HT into the pores of TiO2 nanorod arrays. To further enhance the photovoltaic performance, anthracene-9-carboxylic acid was employed to modify the interface of TiO2/P3 HT before P3HT was coated. Results revealed that the interface treatment significantly enhances the photovoltaic performance of the cell. The efficiency of the hybrid solar cells reaches 0.28% after interface modification, which is three times higher compared with the un-modified one. We find that except for the increased exciton dissociation efficiency recognized by the previous reports, the suppressing of electron back recombination is another important factor leading to the enhanced photovoltaic performance.     

欧姆接触镍电极的研究

对镍电极浆料进行了实验研究。材料配方的选择和工艺的优化是实验的关键。实验中用玻璃粉和硼粉作为镍电极浆料的粘合剂和抗氧化剂，其中镍粉的质量分数不得低于65％，研制出的镍浆料可在大气中于810℃烧结在PTC等半导瓷上构成电极。通过扫描电镜(sEM)可以发现镍电极能牢固地附着在陶瓷体上并具有良好的欧姆接触性能。     

Ho3+掺杂的Ba0.8Sr0.2TiO3厚膜的发光特性

用丝网印刷法在氧化铝衬底上制备了Ho3+掺杂的Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)厚膜.XRD谱表明,随着Ho3+掺杂摩尔分数从0.5%增加到2.0%,BST厚膜的晶格尺寸先增大后减小.在514 nm的氩离子激光激发下,样品均出现了中心波长为549,650,753 nm的发光带,分别对应于Ho3+离子的(5F4,5S...     

纳米BST薄膜的制备及其折射率特性.

" 采用射频磁控溅射法在石英衬底上沉积了纳米BST(Ba0:65Sr0:35TiO3)薄膜．为了制备优质的BST薄膜,借助X射线衍射仪、场发射扫描电镜和原子力显微镜研究了BST薄膜的晶化行为和显微结构．结果显示在衬底温度600 ℃下制备的BST薄膜经700 ℃退火处理后,具有较强的特征衍射峰和极好的晶化．同时还研究了纳米BST薄膜的制备参数和特性,BST薄膜的折射率是由测量的透射谱中获得的．实验结果表明：纳米BST薄膜的沉积参数对其折射率特性的影响是不尽相同的．折射率随着衬底温度的上升而增加;在较低的溅射     

BST薄膜的磁增强反应离子刻蚀研究

分别以CF4/Ar和CF4/Ar/O2作为刻蚀气体,采用磁增强反应离子刻蚀(MERIE)技术对sol-gel法制备的BST薄膜进行刻蚀。结果表明,刻蚀速率与刻蚀气体的混合比率呈现非单调特性。当CF4/Ar的气体流量比R(CF4:Ar)为10:40时,刻蚀速率达到极大值。当CF4/Ar/O2的气体流量比R(CF4:Ar:O2)为9:36:5时,刻蚀速率达到最大值,最大刻蚀速率为8.47nm/min。原子力显微镜(AFM)分析表明,刻蚀后的薄膜表面粗糙度变大。对刻蚀后的薄膜再进行适当的热处理,可以去除部分残留物。     

R.F.溅射Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3/RuO_2薄膜及其介电特性研究

用R.F.磁控溅射法在p—Si(100)衬底上沉积Ba0.5Sr0.5TiO3/RuO2异质结,BST薄膜的晶相和表面形貌用XRD和SEM分析,表明在衬底温度为550℃时,薄膜的结晶度高、表面粗糙、晶粒较大.电容器InGa/BST/RuO2的介电特性由ε-V特性和I—V特性描述.薄膜在零偏压下ε=230、tgδ≈0.03.低电场条件下,薄膜的漏电流随电压呈饱和特性,属电子跳跃传导,且通过改善薄膜的结晶度可减小该漏电流.高电场条件下,漏电流符合肖特基发射规律.     

外延Ba1-xSrxTiO3薄膜的Sol-Gel法制备及其电性能研究

以Ba(CH3COO)2,Sr(CH3COO)2和Ti(OC4H9)4为原料，以乙二醇甲醚为溶剂，冰乙酸为催化剂，应用溶胶－凝胶技术在Pt/MgO(100)衬底上成功地制备了外延生长B 0.65S0.35TiO3薄膜，XRD和SEM分析结果表明，该薄膜在O2气氛中650℃热处理1h后，其（001）面是沿着Pt(100)和MgO(100)面外延取向生长的，其平均晶粒大小为48．5nm，电性能测试结果表明，当测试频率为10kHz时，其介电常数和损耗因子分别为480和0．02，电滞回线测试结果表明，外延生长Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜的剩余极化为2．8μC/cm^2其矫顽场为52kV/cm。     

Er~(3+):Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3纳米粉体光谱性质

用溶胶-凝胶法制备了Er3+:Ba0.65Sr0.35TiO3(BST)纳米粉体,测试了纳米粉体在室温下的吸收光谱与光致发光谱。利用Judd-Ofelt理论拟合得到晶体场强度参数Ω2,Ω4和Ω6分别为0.993×10-20,1.665×10-20和0.540×10-20cm2,系统计算了Er3+能级跃迁的谱线强度、自发辐射跃迁概率、荧光分支比等光谱参数。发光谱表明,样品出现了中心波长位于522,545,654和851nm的发光带,分别对应Er3+的2H11/2→4I15/2,4S3/2→4I15/2,4F9/2→4I15/2和4S3/2→4I13/2的跃迁。讨论了样品的发光特性。结果表明Er3+:BST纳米材料在新型光电子器件中有广泛的应用前景。     

低压ZnO压敏陶瓷冲击老化特性

研究了低压ＺｎＯ压敏陶瓷元件的老化性能,分析了ＺｎＯ压敏陶瓷的冲击老化机理,探讨了改进ＺｎＯ压敏陶瓷元件抗老化能力的途径与措施。实验结果表明：低压ＺｎＯ压敏陶瓷在大电流冲击作用下,伏安特性的蜕变具有极性效应,冲击电流密度越大,冲击次数越多,冲击间隔愈短,伏安特性的蜕变愈严重。实验发现添加剂预烧及适量Ｓｉ、Ｂ氧化物掺杂可以较好地改善样品的抗老化性能