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1.
在SiGeHBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGeHBT小电流下较大漏电问题,对SiGeHBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究。通过改变超声功率、腐蚀液温度,从中获得了较为理想的腐蚀条件。  相似文献   
2.
在总线的应用分析的基础上,针对高速并行LVDS总线进行了仿真分析。首先建立了高速并行LVDS总线传输模型,对比了总线上各接收位置上信号的时域波形;然后进一步分析了各接收端抖动的变化情况,并深入讨论了造成抖动增大的主要原因和改进总线设计的方法,该结论对高速并行LVDS总线的设计提供了有效的预估和指导。  相似文献   
3.
针对多芯屏蔽高速电缆的仿真分析,本文提出了一种基于测试基础上的半实物仿真方法。首先使用网络分析仪对多芯高速数传电缆的散射参数进行测试,然后在测试基础上对电缆进行半实物仿真,观察在不同传输数据率情况下眼图的变化情况。相比与传统的测试,本文提出的方法分析结果更为精确,对于高速数传系统中电缆信号的衰减和失真情况,以及电缆的选型起到有效的预估和指导作用,同时对高速电缆的电磁兼容设计提供有效的参考依据。  相似文献   
4.
5.
提出了动态工艺条件控制的概念,即通过引入自适应算法ARMA,可对集成电路制造工艺效果进行预测,并根据预测结果,对工艺条件加以实时的调整控制,达到改善成品率的目的.采用动态工艺条件控制,打破了几十年来IC制造的固定模式,是IC制造领域具有重大创新性的提法.  相似文献   
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