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半导体中多光子吸收跃迁速率的全量子理论分析 总被引:3,自引:3,他引:0
本文从非线性光学中辐射跃迁速率的表达式出发,在全量子理论下,导出了半导体中任意阶多光子吸收跃迁速率的一般表达式。理论分析结果表明,n光子吸收跃迁速率与光强的n次方和n阶光子相干度成正比。本文在多能带及二能带理论模型下,对多光子吸收跃迁速率的一般表达式进行了化简,并对非线性相互作用项对跃迁速率的贡献,作了讨论。 相似文献
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GaAs半导体中三光子吸收的非线性光电导测量 总被引:2,自引:0,他引:2
采用非线性光电导技术测量2.06μm激光激发的GaAs本征半导体三光子吸收,观察到三光子和单光子吸收的混合光电导,测得了三光子吸收系数.测量结果与理论计算符合较好. 相似文献
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高效全固化钛宝石腔内倍频蓝光和四倍频紫外激光器的研究 总被引:4,自引:2,他引:4
用半导体抽运的Q开关YLF倍频激光器抽运钛宝石晶体,在平凹腔内加入组合的石英双折射滤光片压缩线宽,用LBO晶体腔内激发二次谐波,聚焦到BBO上产生四次谐波深紫外光。在抽运功率3.8w时,输出610mW.416nm蓝光。用长焦距的透镜聚焦二次谐波.得到64mW,208nm的紫外激光。基频光的谱线宽度是决定倍频效率的关键因素。实验观察到激光器的频谱宽度与双折射滤光片的带宽有一个数量级的差别,考虑到模式竞争和增益饱和效应,数值模拟了加入双折射滤光片后的钛宝石激光器的实际线宽,结果与实验中测量的数据基本一致。实验还分析了基频光的线宽对二次谐波效率的影响、二次谐波的线宽对四次谐波效率的影响、基频光的波长对四次谐波激发效率的影响。 相似文献
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本文利用全量子理论推导了半导体中多光子吸收跃迁速率的一般表达式。对各种模型计算了本征GaAs在λ=2.06um下的三光子吸收系数。实验上采用非线性光电导和非线性光透射技术,测量了GaAs中三光子吸收系数。 相似文献
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二次谐波产生的非线性相移的解析研究 总被引:5,自引:0,他引:5
给出一种分析二阶非线性级联效应的解析方法,对Ⅱ型二次谐波产生的非线性级联效应进行了详细的理论研究和分析。结果表明倍频晶体中正交输入两个振幅不相等的基波分量时,在近相位匹配下二阶非线性级联效应能够产生大的相移。利用本文的解析方法可以对任意二阶非线性相移产生的过程进行优化,从而以最小的需求输入功率来获得特定的相移。还对由非线性相移诱导的且与光强有关的偏振旋转效应和一种基于偏振旋转效应的全光偏振开关进行了分析和讨论。本文的结果对于建立一种基于Ⅱ型倍频晶体中非线性相移诱导偏振旋转效应的新全固化被动锁模飞秒激光装置具有十分重要的意义。 相似文献
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Three-dimensional bitwise optical recording with a density of 500 Gb/cm3 in fused silica using a Ti:sapphire femtosecond laser modulated by binary digits is demonstrated. Laser pulses modulation is realized by modulating two circuits of trigger pulses signal which are used to control laser pulses trapping and switching out from cavity, respectively. Bits are optically readout in both a parallel reading (phase-contrast) and a serial reading (confocal-type) methods. The method for modulating laser pulses can also be used in all of pulsed laser systems which operate in cavity-dumping configuration. 相似文献