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本文对Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAsMESFET进行了四种不同的应力试验:1.高温反偏(HTRB);2.高压反偏(HRB);3.高温正向大电流(HFGC);4.高温存贮(HTS).通过HRB,ΦB从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大.HTS试验中ΦB从0.67eV增加到0.69eV.分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明其主要的失效模式为烧毁,SEM观察中有电徙动及断栅现象发生.AES分析表明。应力试验后的样品,肖特基势垒接触界面模糊 相似文献
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半导体器件可靠性试验的计算机控制 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了半导体器件可靠性试验自动控制过程,详细探讨了系统控制原理和软件设计思想,给出了主要程序框图及测试实例,说明了该自动控制测试方法的可行性和正确性。 相似文献
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具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性 总被引:2,自引:2,他引:0
提出了金属 -半导体欧姆接触退化的快速评估方法——温度斜坡快速评价法 ,并建立了自动评估系统 ,用该方法和系统测得的欧姆接触退化激活能 ,和传统方法相比 ,耗时少 ,所需样品少 ,所得结果和传统方法一致 .针对传统 Au Ge Ni/Au欧姆接触系统的缺点 ,提出了加 Ti N扩散阻挡层的新型欧姆接触系统 .实验表明新型欧姆接触系统的可靠性远远优于传统 Au Ge Ni/Au欧姆接触系统 . 相似文献
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测试了存贮24-37年的国产14种型号晶体管的输出特性.贮存37年的3DK7F 100只中,1只发生致命性失效;4只晶体管的共射极直流电流放大倍数hFE减小超规范失效,其最大退化率为-50%,年均退化率-1.35%.存贮29年的3DG101F,7只中有3只hFE的减小超过-30%,占该批晶体管43%,hFE最大退化从110减小到73,退化率为-34%.年均退化率-1.2%.存贮30年的J3AX54B hFE增加幅度最大,从120增加到134,增加了12%.年均增加0.4%.测试结果表明:在长期贮存中,晶体管的输出特性会发生退化;hFE值即有增加,也有减小. 相似文献
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