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我们在300K到4.2K温度范围内测量了亚微米硅MOSFET的特性,并画出了迁移率随温度的变化及载流子速度随纵向电场的变化(以温度为参数)曲线。发现500μm的器件在4.2K下的有效迁移率高达25000cm~2/Vs。而0.2μm的器件,由于高电场效应,其迁移率仅仅是800cm~2/Vs。我们画出迁移率随纵向电场的变化曲线,并发现,工作在0.1伏的器件,其弹道传播特性受到高电场的抑制。高电场效应也同样限制了亚微米GaAs FET的弹道传输效应。 相似文献
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宽温高频高反压沟道基区晶体管研制 总被引:1,自引:0,他引:1
耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管(BSIT),其电流放大系数(hFE)具有负的温度系数.双极结型晶体管(BJT)的hFE具有正的温度系数.将BSIT与BJT并联,采用BJT常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟道基区双极PNP晶体管.本文描述了这种新器件结构、工作原理、设计与制造.新器件突出特点是:当温度变化较大时,hFE漂移较小.测试结果表明:环境温度从25℃升到180℃时,器件的hFE随温度T的变化率小于35%.优于同类型的常规双极结型晶体管,平均改善20%.当温度从25℃降到-55℃,器件的hFE变化率小于或等于30%. 相似文献
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本文简要地回顾了腐蚀V形槽的几种方法。并以联氨(N_2H_4)腐蚀V形槽工艺为主,结合半导体硅的结构报告了腐蚀方法,及达到最佳化的条件。并指出了此工艺的应用。 相似文献
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本文报导了一种VMOS管(VMOST)及其制造方法。并从理论上分析了这种短沟VMOST的阈值电压,指出了工艺上的控制方法。介绍了VMOS短沟道器件具有高击穿电压高截止频率的优点。并可以用作功率器件。 相似文献
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