用反应性射频平面磁控溅射在低温下生长压电AlN薄膜

AlN是很有前途的压电薄膜之一,因为它有较高的声速和相当大的机电耦合系数.至今所报导过的AlN薄膜制作方法有化学气相沉积、射频溅射、以及反应性分子束外延等.在这些工艺中基片温度都相当高,约从1000—1300℃.所以兰宝石是能进行外延生长的唯一材料,而在AlN薄膜和兰宝石基片间不能设置金属电极.本文指出,在温度为50—500℃兰宝石基片上用射频平面磁控反应溅射     

热分析法测定Li2B4O7（LBO）晶体的同成分点

本文应用热分析法找出了Li_2B_4O_7(LBO)晶体的同成分点和LBO的熔点,为生长优质的LBO晶体提供了一定的依据.     

射频溅射ZnO压电膜用的陶瓷靶体研究

射频溅射的ZnO压电膜有广泛的用途,这种膜的微观结构和性能与溅射时所用的ZnO陶瓷靶体有密切关系。本文用差热分析(DTA)、热重分析(TGA)、X线衍射分析(XRE)、电子衍射(RED)、扫描电镜(SEM)和俄歇能谱分析(AES)等方法研宄了ZnO及Li_2CO_3,MnO_2,Bi_2O_3等热过程以及掺Li_2CO_3等的ZnO瓷体的烧结特性和微观结构。本文还对含有不同添加剂的瓷靶所溅射的ZnO膜的性能进行了比较。实验结果表明掺Li_2CO_3使ZnO瓷体烧结困难,它可以提高膜的电阻率但也使ZnO晶粒增大。掺MnO_2的ZnO膜电阻率更高些,晶粒细小、c轴有序度也很好。为了制作中、低频器件用的高阻ZnO压电膜,探索比Li_2CO_3更适用的添加剂不仅是必要的,而且是可能的。     

添加Li_2CO_3的ZnO陶瓷靶体和薄膜的表面分析

本文主要介绍采用AES,XRD等分析仪对添加Li_2CO_3的ZnO靶体和薄膜微观结构和表面状态的进行的分析和讨论.     

铁电压电材料居里温度的测定

本文主要叙述LiTaO_3晶体和常用PZT压电材料的居里温度测量方法和原理,同时简要介绍所用的仪器和测量误差分析。     

差热分析在原材料研究中的应用

本文主要介绍用差热分析仪研究B_2O_3、Li_2CO_3、MnCO_3、CJ-915环氧树脂、玻璃油墨、焊料等原材料的脱水、分解、结晶、熔融以及软化等温度,对研究材料合成提供了科学依据,并确定其最佳工艺。 文章最后介绍了用差热分析法研究B_2O_3和Li_2CO_3合成Li_2B_4O_7晶体的物理-化学过程。     

ZnO-TiO_2系电子倍增器陶瓷材料相组成与性能关系

本文通过X射线衍射法探索了钛酸锌系陶瓷材料相组成与性能关系,着重讨论不同晶态的TiO_2原材料对陶瓷电阻率的影响,以及添加杂质Al_2O_3与陶瓷物相及性能的关系.