无线电能传输技术近在眼前

可能在不远的将来,用户就有可能摆脱使用充电器充电、更换电池以及接插家电设备电源线等麻烦.利用无线方式将电能传输到所用产品的技术即将进入实际应用阶段.     

采用新材料帮助电池行业走出危机

在1990年投入实际应用的锂离子充电电池,当初的能量密度仅略大于200Wh/L,而目前其能量密度已经超过600Wh/L,提高了2倍以上.     

微波真空电子器件用无氧铜材料的蒸发特性

作为微波真空电子器件的常用材料之一,无氧铜材料的蒸发特性会对微波真空电子器件的电性能产生影响.该文利用超高真空测试设备,研究了处理工艺对无氧铜材料的蒸发性能的影响,采用X射线测厚仪测试了蒸发的铜膜厚度,用扫描电镜(SEM)观测了无氧铜材料的表面形貌.结果表明表面宏观形貌粗糙度对无氧铜材料的蒸发性能影响不大,但处理工艺对蒸发性能影响很大;无氧铜材料经过酸洗后,会大大增加蒸发量;无氧铜材料经过烧氢处理,可降低蒸发量,而经过去油清洗并烧氢处理的无氧铜的蒸发量极低.对无氧铜材料进行了表面分析,发现无氧铜材料的真空蒸发性能与材料的表面形貌状态有关,当表面微观形貌比较光滑、无孔洞等缺陷时,无氧铜材料的真空蒸发量就少.     

Mo、W金属氧化物对CH4/CO2重整Ni基催化剂性能的影响

用XRD、XPS、元素分析、TEM和活性评价等方法研究过渡金属氧化物MoO3和WO3对SiO2负载的Ni基催化剂物理化学性质和CH4/CO2重整制合成气催化性能的影响.结果表明,在负载型的镍催化剂中,MoO3和WO3的添加一方面提高了Ni的核外电子密度,减弱了对CH4深度裂解积炭;另一方面使催化剂表面镍的相对浓度降低,结构上起到了隔离、分散金属颗粒的作用,氧的相对浓度升高,有效提高了催化剂的抗烧结和抗积炭能力,显示出较好的催化稳定性.     

基于PSF参考模型的星敏感器单粒子效应在轨校正方法

为了提高星敏感器在遭受单粒子效应打击情况下的质心提取精度,提出了一种基于点扩散函数参考模型的在轨校正方法。通过构建星点参考模型及残差校正,该方法能有效去除单粒子噪声,校正噪声星点形态,降低星点质心定位误差。与传统去噪算法相比,该方法能在有效去噪的同时保护星点能量不被破坏。通过仿真实验验证了该算法抗单粒子效应的有效性,通过对比实验验证了该算法相比传统算法的优越性。     

中心对称材料中二次谐波产生的影响因素

介绍中心对称材料二次谐波产生(SHG)的基本原理,通过数值模拟计算,分析研究影响中心对称材料SHG的因素.其中,光子晶体带隙(PBG)的影响最为关键,它决定了SH能否产生;激励波入射角与组成结构的耦合介质柱和填充因子对SHG强度大小也有较大影响,按文中结构,耦合介质柱有2排已足够,最佳入射角为20°～30°,填充因子为0.6.     

THz输能窗及天线一体化结构的研究

提出了一种THz输能窗及天线一体化结构,并利用三维电磁仿真软件对其进行模拟计算。计算结果表明这种结构在0.20 THz～0.24 THz范围内的驻波比小于1.5,而所需蓝宝石窗片厚度为0.3 mm,是已知盒型窗窗片厚度的在2倍。这表明在相同工艺条件下,这种结构可以工作在相同厚度窗片盒形窗的2倍工作频率。此外,这种结构还集成了小型天线,减少了太赫兹源的外围波导系统,方便了使用。     

坚守单芯片阵地新一代模拟电路问世

手机及数字消费类电子产品中的模拟电路设计技术将迎来巨大变革。引发此次变革的是混合信号单芯片中数字电路工艺的发展。从90nm到65nm、再到45nm,随着工艺技术的发展,数字电路所使用的电源电压也开始向1V～0.8V的低电压化方向发展。受数字电路工艺的影响,模拟电路迟早也会引入180nm、130nm甚至90nm的工艺。届时,模拟电路部分的驱动电压也要降至1V以下。但是,目前还不太现实。     

超低价单芯片手机拆解

印度是当今全球增长最快的手机市场。在每月新增入网用户超过700万的印度,支撑起这一庞大市场发展的,就是售价仅为40美元～50美元的超低价(ULC)手机。这些超低价手机基本上仅具有通话和SMS短信功能,在发展中国家极受欢迎。     

光盘存储技术的动向

一、引言在六十年代前半期,就开始进行光学存储器的研究,并对各种方法、方案进行了尝试,然而至今尚未达到实用水平。最近,对于逐点记录式的补写型光盘装置,半导体激光器、光盘介质等基本技术业已齐备,大容量外存装置已开始商品化。目前,虽然磁记录装置在外存装置范围内占有绝对的地位。