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Zn O是具有纤锌矿晶体结构的多功能半导体材料 ,它具有 3 .3 7e V的禁带宽度和高达 60 me V的激子束缚能 ,是很有希望的紫外发光材料 .由于具有 c轴的择优取向性 ,因此目前人们的注意力主要集中在对 c轴取向 Zn O薄膜的特性研究上 [1~ 3] .但其它取向的 Zn O薄膜也可在某些衬底的特定面上 ,通过特定的条件进行生长 ,如〈1 1 0〉取向的 Zn O薄膜可在特定的条件下生长在蓝宝石 R面衬底上[4~ 7] .由于 (1 1 0 )面的 Zn O薄膜具有一些 c轴取向薄膜所不具备或无法比拟的特性 ,如 :机电耦合系数高达6% (C面薄膜的机电耦合系数却不足 1 % )… 相似文献
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采用熔盐法,以五水硝酸铋为铋源、硒粉为硒源、水合肼作为还原剂,在不同NaOH浓度下(0~3 mol/L)合成了 Bi2O2Se纳米片,并采用XRD,SEM,TEM以及XPS等对样品的形貌、结构和成分进行了表征.然后,以Bi2O2Se为工作电极制备了宽光谱自供能探测器,并探究了它们的光电探测性能.测试结果表明,在1.1 mol/L NaOH的条件下,Bi2O2Se自供能探测器的光电探测性能最优,在紫外-可见-红外波段具有较高的响应度.在365 nm紫外光照射下,光电流最高可以达到7.8 μA,其上升和下降时间分别为30和21 ms.同时,通过计算得到其响应度和探测率分别为4.2×10-4 A/W 和 1.02×109 Jones. 相似文献
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复合模板剂下有序介孔TiO2的制备研究 总被引:11,自引:0,他引:11
在复合模板剂聚氧乙烯十二烷基醚(Brij35)和聚乙二醇(PEG)下,制备出有序介孔TiO2.用XRD、HRTEM、SEM、FT-IR和N2吸附脱附等方法进行表征;并通过对反应过程中电导率和粘度的连续监测,分析有序介孔TiO2形成过程.研究表明,介孔TiO2为规整的六方排列结构,在低于400 ℃焙烧,有序结构稳定性高,比表面积达252 m2•g-1,孔径3.4 nm,晶型为锐钛矿;经500 ℃焙烧,有序介孔结构破坏,并开始出现金红石型晶相.有序介孔TiO2形成过程是基于在高极性介质中非极性的碳氢链聚集成为胶束,同时钛酸丁酯(TBOT)在已形成的胶束上聚集,在酸作用下不断水解缩聚而形成有序介孔结构,有效控制水解和聚合过程是控制介孔材料结构形成的关键. 相似文献