静态偏振风成像干涉仪中光在四面角锥棱镜中的传播规律研究

简述了自行设计的新型静态偏振风成像干涉仪的原理和四面角锥棱镜的分光机理;应用光线追迹法,推导出了主截面内任意光线在棱镜中的传播方向及出射点坐标,建立了平行光束经角锥棱镜后的偏向角和透过率的理论表达式;采用计算机模拟给出了偏向角和透过率随入射角的变化关系曲线;根据静态偏振风成像干涉仪的具体参数确定了四面角锥棱镜的侧面和底面夹角以及底边长度.该研究为静态偏振风成像干涉仪的研制提供了理论依据.     

C波段全集成GaN MMIC Doherty功率放大器设计

采用0.25 μm氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）工艺设计了一种全集成单片微波集成电路（MMIC）多尔蒂（Doherty）功率放大器（DPA）。采用了新型的拓扑结构,去除了传统DPA中主路放大器的阻抗变换器以及两路合成后的阻抗转换器,直接在主路输出匹配网络（OMN）中实现饱和点和回退点的阻抗的转换,采取适当的阻抗,与传统电路相比,降低了阻抗转换率,拓宽了频带。此外功率分配器也采用了新颖的拓扑结构,减少了元器件的使用,并且在DPA的匹配网络中使用集总电感的电容降低版图的面积。设计了一款工作在4.6~5.4 GHz的Doherty类功放,版图后仿真结果显示,饱和输出功率为40 dBm,饱和点漏极效率DE为58.9%~61.3%,6 dB回退点的漏极效率为38.3%~45%,增益为8.4~11.3 dB,版图面积为2.4 mm×1.1 mm。     

一款3～6.3 GHz增益可调的低噪声放大器设计

针对无线接收机在对不同信号进行放大时,噪声恶化严重的问题,文中在驱动放大级采用电流复用技术,可以降低系统功耗,同时,在增益变化过程中保证了输入级增益对后级电路噪声的抑制作用,使得增益变化过程中,噪声始终低于1 dB。输入级和输出级阻抗匹配良好,在3 GHz～6.3 GHz的工作频段上可实现系统增益的连续可调范围约30 dB(19.6 dB～49.6 dB),同时通过采用两个控制电压分别控制两级放大电路,在增益变化过程中系统获得了良好的增益平坦度,版图尺寸为0.95×1.53 mm²。在常规工作状态下,系统噪声为0.56±0.02 dB,增益为49.6±0.47 dB,功耗97 mW。在4.5 GHz频率处,系统的OP1dB为10.3 dBm, OIP3达到29 dBm,具有良好的线性度。     

一种C波段E类GaN MMIC功率放大器设计

基于0.25μm GaN HEMT设计了一种工作于C波段、结构简单、宽带高效的E类功率放大器。针对单片微波集成电路(MMIC)功率放大器设计中射频扼流圈所占面积较大且难以实现的问题,采用有限元直流馈电电感替代扼流圈电感,抑制晶体管寄生参数C_ds对最高工作频率的影响,并采用低Q值混合参数匹配网络,将功率放大器电路输入输出的最佳阻抗匹配到标准阻抗50Ω。版图后仿真结果表明,在4.1～4.9 GHz工作频段内,功率附加效率为51.309%～58.050%,平均增益大于11 dB,输出功率大于41 dBm。版图尺寸为2.7 mm×1.4 mm。     

Residual gas properties in a field emission device with ZnO emitters

In this paper, a vacuum system is employed to compare the emission stabilities of the same ZnO cathode in a sealed field emission （FE） device and under ultrahigh vacuum （UHV） conditions. It is observed that the emission current is more stable under the UHV level than in the device. When all conditions except the ambient gases are kept unchanged, the emission current degradation is mainly caused by the residual gases in the sealed device. The quadrupole mass spectrometer （QMS） equipped on the vacuum system is used to investigate the residual gas components. Based on the obtained QMS data, the following conclusions can be drawn： the residual gases in ZnO-FE devices are H2, CH4, CO, Ar, and CO2. These residual gases can change the work function at the surface through adsorption or ion bombardment, thereby degrading the emission current of the cathode.     

一种自激振荡电路

文中针对关于一种厚膜混合集成自激振荡电路进行了理论分析,并对批量化持续改进过程的技术作出了总结。介绍了该产品的电路、结构及失效产品的原因和解决方案,并进一步论证了自激振荡电路批产化和高可靠的设计原则,同时也对传感器行业特点及其发展方向进行了相关探讨。     

一种激光信号采样保持电路分析

由于经典的正峰值保持电路频带窄、转换速率慢、线性差、且下垂速率快,不适于高速采集。文中在经典的正峰值保持电路基础上,通过改进获得了一种厚膜集成的改进型的激光信号保持电路,并根据技术要求,在用户协助下通过增加一级闭环回路给电容充放电来实现正峰值保持指标。通过仿真论证了电路的模块化和高可靠性设计原则。     

隔离型电压电流转换器H—VIC的性能与应用

简要介绍电压电流转换器的内部功能，外部性能以及应用电路。     

二维空频域光码分多址编解码方法

以哈达玛(Hadamard)矩阵为基础,给出一种二维空间相位码的编码方法,分析它的各种性能,并用这种二维空间相位码作为用户的地址码,构成一种新的空间-相位码分多址系统,使光码分多址编解码在空频域内进行,由于对空频域内的信息只作相位调制,大大提高了光传递效率。     

基于D/A转换器的工艺波动表征方法的研究

提出了一种利用微分非线性误差参数(DNL)表征单管MOSFET工艺波动特性的方法,并建立了其数学关系表达式.该表征方法通过测试多组90nm/1.2V标准CMOS生产工艺的D/A转换器工艺样片的驱动管输出电压和电流,利用微分非线性误差作为衡量工艺波动程度的指标参数,得到反映输出驱动管阵列受工艺波动影响的MOS晶体管的器件失配系数ΔD.通过建立两者的数学关系式,量化描述了由工艺波动造成的输出驱动管电流失配,以及该失配对于DAC输出特性变化的影响.由实际测试分析结果可知,该表征方法具有较强的实用价值,能够为模拟IC设计者预测电路性能提供理论依据与技术指导.