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采用性状较为一致的(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST)铁电陶瓷单元电容器对结构,结合相关电路的设计,对铁电材料的红外辐射探测特性进行了研究,测试结果表明,通过电脉冲模式读取不同温度下铁电材料的畴反转产生的开关电荷数来进行红外辐射强度的探测是可行的.通过进一步改进电容器对材料的铁电特性,改进探测电路,可望发展出结构更简单、功能更完善的新一代IR探测器件. 相似文献
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多弧离子镀技术中的真空放电过程 总被引:3,自引:0,他引:3
多弧离子镀技术是基于阴极弧光放电原理的一种新型真空沉积技术,文章对该技术的特点,发展现状及其应用情况作了简单介绍,着重分析了该技术中真空弧光放电的过程并提出了放电的热-场致电子发射模型,在此基础上给出了稳定放电过程的方法。 相似文献
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在普通MIM隧道发光结的基础上,制备了多层膜结构MIM发光结。这种结构的发光结含有两层氧化物绝缘层及双层MgF2。其发光性能优良,发光效率达10-6-10-5量级。测试表明,其光谱谱峰较普通MIM结有蓝移现象,并且I—V特性中存在强烈的负阻现象(NRP)。 相似文献
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制备了Au-SiO2-Si结构MIS隧道发光结.测试并分析了该结的发光特性及电流-电压(I-V)特性.指出结的发光是由各膜层界面激发的表面等离极化激元(Surface Plasmon Polariton.SPP)与膜层表面粗糙度相互耦合的结果.观察到MIS结I-V特性中存在的负阻现象,采用SPP对电子的束缚模型对这一现象进行了初步分析.利用原子力显微镜(AFM)对结的表面形貌进行了观测,由此讨论了MIS隧道结的发光与电子在结内的隧穿输运特性之间的内在关系.
关键词: 相似文献
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介绍了产生等离子几种放电方式(如直流二极放电,射频放电,真空辉光放电,真空弧光放电等)与等离子体相关的溅射沉积,离子镀沉积等常用的真空沉积技术及其在薄膜 备中的应用。 相似文献
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通过掺杂(Pb1-xSrx)Ti O3(PST) 系铁电陶瓷的制备,初步研究了掺杂、烧结温度、测试频率等对PST系陶瓷材料介电性能的影响。在相同的Pb/Sr配比下,La2O3掺杂较同样份量的MNo2掺杂所制得的样片的温度系数要高,介电损耗要小,而适当高的烧结温度有利于其介电性能的改善。随着测试频率的增加,测得的材料介电常数略有下降,而居里温度与温度系数基本维持不变。 相似文献