配网自动化的典型解决方案

配网主站系统是整个配网自动化系统的核心，通过通信设备与终端没备联系，实现配网系统的实时监测控制、故障处理分析和管理等功能。iES—DMS1000系统是积成电子公司精心开发出来的一套集配网自动化与配网管理于一体的系统。该系统功能强大，结构清晰，技术先进成熟，运行稳定可靠，已有多家成功运行的先例。     

纳米白藜芦醇脂质体的物理化学稳定性研究

纳米载药脂质体的物理化学稳定性,是其实际应用中的关键问题。文章采用薄膜旋转蒸发法-超声法制备了白藜芦醇纳米脂质体（RES-Lip）,采用透射电子显微镜观察其微观形貌,并考察RES-Lip的物理化学稳定性。通过电导法测定了RES-Lip的相变温度（Tm）,及其在凝聚过程的凝聚速率常数（Kco）和表观活化能（Eco）;采用动态透析-紫外分光光度法,研究了温度和pH对RES-Lip降解的影响。结果表明,RES-Lip为球形囊泡结构,粒径小于100 nm;RES-Lip的相变温度为64℃;凝聚速率常数Kco随体系温度升高而升高;表观活化能Eco为86.056 kJ/mol;RES-Lip的降解符合一级动力学模型,降解的表观活化能Ea为59.3157 kJ/mol,降解过程是吸热、自发、熵增过程。本实验制备得到的RES-Lip在4℃、pH=7.40的条件下储存,稳定性较好。     

新型BT-BMT-xBNT无铅高储能密度陶瓷研究

本文采用传统固相反应法,成功制备了新型无铅弛豫铁电陶瓷(1-x)[0.9BaTiO₃-0.1Bi(Mg_0.25Ta_0.5)O₃]-xBi_0.5Na_0.5TiO₃。结果表明,较高居里温度的Bi_0.5Na_0.5TiO₃的引入,使得材料体系中建立了更多的以Bi—O耦合为主的极性纳米区域,弥补了因Bi(Mg_0.25Ta_0.5)O₃的加入导致的宏观极化强度的减少,提高了材料的饱和极化强度,实现了较高储能密度的同时具有更好的温度稳定性。在245 kV/cm电场强度下,x=0.2样品的储能密度约为4.01 J/cm³,储能效率约为84.86%,同时该组分在20~170 ℃储能密度的变化率小于5%,储能效率的变化率小于6%,表现出优异的温度稳定性。     

瞬变光探测系统前置放大电路的设计

光电探测器前置放大电路设计的好坏会直接影响整个检测系统的信噪比.为了提高对微弱光信号的检测精度,使用低噪声光电二极管和运算放大器,并选择光电二极管工作在光伏模式,设计出了光电探测器的低噪声前置放大电路.通过采用超前校正方法对由光电二极管结电容及运算放大器输入电容引起的相移进行补偿,克服了光电二极管寄生参数引起的转换电路...     

光敏反应治疗恶性肿瘤的动物实验

为探索理想的光敏制剂、最佳给药途径、最佳给药时间,以及最佳照射时间,我们进行了一些临床前的动物实验,现将实验结果小结如下:     

利用发射光谱进行常压介质阻挡放电等离子体诊断及其在材料表面改性上的应用(英文)

使用介质阻挡放电光谱诊断装置,对常压介质阻挡放电在材料改性过程中的等离子体发射光谱进行测量,记录和比较了空气、氦气和氩气常压介质阻挡放电等离子体发射光谱,并运用氩元素谱线的相对强度来诊断电子温度等物理参量,以达到对材料表面改性过程的实时监控。工作的结果对常压介质阻挡放电及其在材料改性上的应用具有重要的意义     

基于LabVIEW的驻波法测量声速的实验模拟

利用LabVIEW编写的测量声速的实验模拟软件不仅模拟了传统物理实验的操作过程,而且还加入了数据处理模块,实验数据采集完成后即可得出实验数据处理结果,可以用于学生实验前的预习与探究,或者实验教学中的演示。     

一种基于钩子链技术快速关闭所有窗口的方法

为了达到指战员在撤收转移或其他紧急情况下快速关闭所有打开的报文文档或军事信息系统的目的,通过分析Windows消息传递机制及钩子链技术的基本原理,在Windows平台下采取利用动态链接库装载全局鼠标钩子链来截获特定的鼠标消息,并自定义该消息触发的响应事件的方法,获得了任意处按下鼠标左键时双击右键即可快速关闭所有窗口且能够在窗口关闭时保存实时数据的结果。该方法简化了计算机操作,缩短了关闭所有窗口的时间,适应了现代作战快节奏的需求。     

Ge2Sb2Te5的电化学特性及化学机械抛光

从电化学角度研究了Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中的作用，以及不同的pH值和H2O2浓度下的电化学特性. 采用Solartron SI1287电化学设备测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位和动电位扫描. 开路电位结果表明：Ge2Sb2Te5在pH值为10的抛光液中表现出钝化行为；而抛光液的pH值为11时，开始向活化转变；当pH值为12时，薄膜处于活化状态. 在动电位扫描过程中，不同的pH值和H2O2浓度下，薄膜的扫描曲线形状相似，表明薄膜腐蚀具有相同的反应机理. 自制碱性抛光液，对Ge2Sb2Te5薄膜进行化学机械抛光，用SEM和EDS对抛光后的结构进行分析. 结果表明，通过CMP实现了Ge2Sb2Te5填充结构.