以物联网技术驱动数字油田建设的思考

物联网自诞生以来,相关产业迅速发展,在现代工业、公共服务、家庭民生等领域全方位渗透发展,成为驱动产业发展、推动传统产业升级的重要动力。石油行业作为传统能源型企业,也急需实现数字化转型以提升生产效率、降低生产成本。作者认为数字油田的实现要素与物联网内在架构高度契合,数字油田建设完全可以搭上物联网的便车,实现跨越式发展,所以用好物联网技术对于促进石油行业转型升级、加快智能化数字油田建设具有重要意义。     

光敏性溶胶-凝胶波导材料

采用有机改性硅酸盐制备了光敏性溶胶-凝胶,并应用四丙氧基锆作为调节折射率的材料.为了增加薄膜与硅片的粘附作用,先用干氧热氧化法在硅片上生长一层厚度约为150nm的SiO2,然后使用提拉法在硅片上提拉成膜,薄膜厚度达到3.6μm.研究发现紫外曝光时间和坚膜时的后烘温度都会使薄膜的折射率增大.样品的原子力显微镜照片表明薄膜的表面非常平整,在5μm×5μm的范围内表面起伏只有0.657nm.利用波导阵列掩膜版,对制备的薄膜在紫外光波段下曝光,得到了表面平坦、侧墙光滑、陡直的沟道波导阵列.     

用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析

用氧化多孔硅的方法来制备厚的 Si O2 成本低 ,省时 .氧化硅膜的厚度 ,表面粗糙度和组分这三个参数 ,对波导器件的性能有重要影响 ,扫描电子显微镜 ( SEM)、原子力显微镜 ( AFM)和俄歇分析得到 :氧化的多孔硅的膜厚已达 2 1 .2μm;表面粗糙度在 1 nm以内 ,Si和 O的组分比为 1∶ 1 .90 6.这些结果表明 ,用氧化多孔硅方法制备的厚 Si O2 膜满足低损耗光波导器件的要求     

基于无线功率放大器应用的多指结构SiGe HBT

采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的5个单元、10个发射极指大面积的SiGe HBT.器件表现出了良好的直流和高频特性,最大电流增益β为214.BVCEO为9V,集电极掺杂浓度为1×1017 cm-3,厚度为400nm时,BVCBO为16V.在直流偏置下IC=30mA,VCE=3.0V得到fT和fmax分别为18.0GHz和19.3GHz,1GHz下最大稳定增益为24.5dB,单端功率增益为26.6dB.器件采用了新颖的分单元结构,在大电流下没有明显的增益塌陷现象和热效应出现.     

一种新型温度不敏感阵列波导光栅的设计

提出了一种新型结构的阵列波导光栅。在AWG的阵列波导中嵌入多种补偿介质,补偿二阶或二阶以上温度偏移。首先从理论上推导出器件的工作原理表达式;其次给出了器件结构的设计方案,阵列波导采用同心圆结构设计,使得嵌入介质与波导垂直,有效减小了散射损耗,并显著提高了芯片的集成度。最后,对器件性能进行了评估,引入的附加损耗小于1dB;理论上实现了零温度偏移。     

Si基片上掺Ge SiO2的火焰水解法制备

用火焰水解法在单晶Si片上沉积了掺Ge的SiO2(GeO2-SiO2)粉末,随后在高温炉中将此粉末烧结成玻璃.用光学显微镜观察了样品表面形貌,研究了不同的烧结工艺对样品形貌的影响.用X射线光电子能谱检测了样品的元素组成,并用棱镜耦合法测量了样品的折射率和厚度.结果表明,用适宜的工艺条件制备出的掺Ge的SiO2具有表面平整光滑,折射率和厚度可调等优点,适合用作Si基SiO2波导器件的芯层.     

Realization of MMI Power Splitter by UV-light Imprinting Technique Using Hybrid Sol-Gel SiO2 Materials

An efficient fabrication scheme of buried ridge waveguide devices is demonstrated by UV-light imprinting technique using organic-inorganic hybrid sol-gel Zr-doped SiO2 materials. The refractive indices of a guiding layer and a cladding layer for the buried ridge waveguide structure are 1.537 and 1.492 measured at 1550nm, respectively. The tested results show more circular mode profiles due to existence of the cladding layer. A buried ridge single-mode waveguide operating at 1550 nm has a low propagation loss （0.088 dB/cm） and the 1× 2 MMI power splitter exhibits uniform outputs, with a very iow splitting loss of 0.029 dB at 1549nm.     

16×0.8nm硅基二氧化硅阵列波导光栅设计

给出了更为合理的阵列波导光栅(AWG)的设计原则。在设计时兼顾了输出谱的非均匀性Lu和输出通道数N的要求,克服了设计中可能引起通道数N丢失和不考虑输出谱非均匀性Lu的缺点。用该方法设计了折射率差为0 75%和16×0 8nm的硅基二氧化硅AWG。采用广角有限差分束传播方法(FD BPM)对所设计的AWG进行了输出谱的模拟,得到了插损为 1.5dB、串扰为 48dB、通道非均匀性约为1dB的AWG,设计指标达到了商用要求。     

Novel wavelength-accurate InP-based arrayed waveguide grating

A 13-channel, InP-based arrayed waveguide grating （AWG） is designed and fabricated in which the on-chip loss of the central channel is about -5 dB and the crosstalk is less than -23 dB in the center of the spectrum response. However, the central wavelength and channel spacing are deviated from the design values. To improve their accuracy, an optimized design is adopted to compensate the process error. As a result, the central wavelength 1549.9 nm and channel spacing 1.59 nm are obtained in the experiment, while their design values are 1549.32 nm and 1.6 nm, respectively. The route capability and thermo-optic characteristic of the AWG are also discussed in detail.     

用于光电子器件的低成本、高反射率SOR衬底

报道了一种包含一薄层单晶硅和隐埋 Si/Si O2 布拉格反射器的 SOR衬底 .这种可用于光电子器件的衬底是由硅基乳胶粘接和智能剥离技术研制而成的 .在垂直光照条件下 ,这种 SOR衬底在 1.3μm处的反射率接近10 0 %