甲基丙烯酸甲酯光引发聚合中的初级自由基终止效应

本文研究了甲基丙烯酸甲酯在30℃时的光引发聚合。当光强较强时,聚合速率和光强的平方根不呈线性关系,聚合速率略低于经典动力学关系式所预示的数值。粘均聚合度的倒数和聚合速率也不呈线性关系。在考虑了初级自由基的终止反应后,这些偏离都得到了合理的解释。 比较甲基丙烯酸甲酯在30℃的光引发聚合和在60℃的过氧化苯甲酰引发聚合的数据,可以看出,初级自由基的终止效应在低温时更为重要。     

輻射化学中的自由基扩散动力学

引言高能輻射作用于物貭时,在其中产生化学变化,最終得到新产品。所經之历程按性貭可分为三个阶段;即物理作用阶段、物理化学作用阶段和化学作用阶段”。在物理阶段,輻射与介貭的电子作用,在小于10~(-15)秒内把能量传递給介质,而介貭則由此而形成激发分子、原子和离子。由于这一过程进行得很快,生成的这些活性质点在一瞬間获得的能量,来不及向周围的分子传递,因而能量要比介貭分子的高出很多倍,处于热不平衡状态。于是随之卽发生鍵断裂、瑩光发射、内轉換等等过程,向邻近的分子传递能量,最后趋于热平衡。此卽物理化学作用阶段。一般情况下,此过程在約10~(12)秒内完成。在此过程后,达到热平衡的活性貭点,其化学性质很不稳定,而且分布也很不均匀。     

Cr、Co、Mn磁性对ZnO压敏特性影响的机理研究

研究了不同浓度Cr、Co和Mn的掺杂对ZnO-PbO-B2O3陶瓷压敏特性的影响.实验表明,ZnO平均晶粒尺寸随各元素掺杂量增加而逐渐变大,压敏电压也随之升高,非线性系数随各元素掺杂量增加而先增大后减小,漏电流先减小后增大.分析认为,过渡族金属元素掺杂对ZnO压敏材料电性能的影响不仅与电子的能级有关,与其自旋特性也紧密相连.ZnO中掺杂的Cr、Mn、Co元素随机取代其中的部分Zn原子后,Cr2+、Mn2+、Co2+在ZnO中产生局域磁矩,会对与其取向不同的自旋电子产生强的散射,这样可增大ZnO陶瓷电阻率和提高其非线性特性.     

关于化学个体的近代学说及化学的某些基本定律

(一)引言——关于化学个体的经典学说及最近对它的某些修正 (1)Н.С.库尔纳可夫(Курнаков)在自己著名的报告“化合物及化学个体”中,用了这样一段话开始了自己的报告:“在各门科学发展的过程中都曾有过一个时期,在这个时期内,由于集累了新的材料,乃促使人们需要对过去的历史给予审慎的回顾。而对那些构成科学大厦基石的基本概念做一次批判性考察的要求,也在科学不可抑制发展的情况下逐渐成熟了。因而若经过全面的研究,应当可以指出各基本定义所适用的界限和条件。”库尔纳可夫在自己的报告中及以     

层状结构低压ZnO压敏陶瓷的制备及性能研究

Double-layered, low-voltage ZnO varistors have been fabricated by feeding two kinds of ZnO powders into a die using dry extrusion molding. Compared with ZnO varistors fabricated by the conventional route, the layered ZnO varistors have larger non-linear coefficients, lower breakdown electric fields, and lower leakage current densities. The improvement in electrical performance of the layered low-voltage ZnO varistors is attributed to the asymmetric band structure at grain boundary between the two layers.     

放射性同位素在分析化学中应用的某些問題

一、前言从放射性同位素应用到分析化学中所解决問題的性质来看,大致可以分成两类。一类是用放射性元素作为指示剂来解决化合物的定量分析;另一类是利用放射性同位素来测定在分析化学上常用的一些数据,或者是研究在分析化学过程中所发生的一些机理,如測定难溶化合物的溶解度、測定化合物的組成、寻找适当的萃取条件等。由于它所带来的优点,就使得分析化学的研究大大向前推进了一步。     

梯度ZnO低压压敏陶瓷的研制

采用材料梯度化设计思路,将传统电子陶瓷工艺的单层装料一次干压成型工序改进为逐层装料一次干压成型工序。沿着实现ZnO压敏陶瓷低压化的主要途径:减小ZnO压敏电阻器瓷片的厚度和增大ZnO平均晶粒尺寸,在烧结温度1 100℃下,制备出电学性能理想的梯度ZnO低压压敏陶瓷。该陶瓷的压敏电压为8 V/mm,非线性系数为19,漏电流为13μA;其克服了瓷片机械强度劣化及能量耐受能力下降的缺陷。该制备工艺简单,为ZnO压敏电阻器的低压化提供了新方案。     

放射性同位素在分析化学中应用的某些問題(續)

(三)应用非同位素指示剂的放射性滴定在以上的两种分析中都要用到被測定元素的放射性同位素,或試剂中某一元素的相应放射性同位素。这就大大限制了放射性滴定使用的可能性;这是因为在实际应用中只有那些射线能量足够大,半衰期足够长的同位素才适宜于应用。而在分析化学实际中常見的一些元素如銅、镍、鋁、镁、钛等却没有恰当的放射性同位素,直接用放射化学方法測定这些元素或者是下可能、或者是非常困难,而且結果也不准确。但在这些     

元素V掺杂对ZnO压敏效应的影响机理研究

研究了掺杂不同V_2O_5对ZnO陶瓷压敏特性的影响.实验表明,ZnO压敏电压随V元素掺杂量增加而随之升高,非线性系数随元素V掺杂量增加而先增大后减小,漏电流先减小后增大.分析认为,V元素掺杂对ZnO压敏材料电性能的影响不仅与电子的能级有关,与其自旋特性也紧密相关.ZnO陶瓷中掺杂的V元素在晶界偏析,其V元素都会产生局域磁矩,会对与其取向不同的自旋电子产生强的散射,这样可增大ZnO压敏陶瓷电阻率,使晶界产生非线性特性.