32位RISC结构体系的性能优势

在计算机技术的许多变革中,最有意义的是从复杂指令集计算机(CISC)过渡到精简指令集计算机(R ISC)体系结构的转变。正是R ISC的出现发展大大推动了嵌入式系统性能的提高和功能的完善。文中以嵌入式32位R ISC结构体系中最有代表性的ARM为例,从精简指令集的概念、指令集的简洁高效性、寻址空间、运算和数据处理能力和对操作系统的支持等方面,详细论述了32位R ISC体系结构的性能优势。     

高速系统PCB设计中的几个关键问题

随着微电子技术的飞速发展，高速大规模集成电路的广泛应用，高速系统的设计也越来越受到重视，高速系统与低速系统的PCB设计有很大不同。本文从实际设计的角度介绍了高速系统中电源、接地、时钟电路、过孔等的设计和需要注意的问题。     

铬黑T分光光度法测定饮料中痕量镍

在pH 10.0的硼酸-氯化钾-氢氧化钠缓冲溶液中,显色剂铬黑T[1-(1-羟基-2-萘偶氮)-6-硝基-2-萘酚-4-磺酸钠]与镍(Ⅱ)形成稳定络合物。其最大吸收波长位于533nm处,表观摩尔吸光率为5.19×104L·mol-1·cm-1。镍(Ⅱ)的质量浓度在1.2mg·L-1范围内与吸光度呈线性关系。方法用于饮料样品中微量镍(Ⅱ)的测定,测定值与原子吸收光谱法测定结果一致,回收率在99.6%～100%之间,相对标准偏差(n=9)在1.4%～1.9%之间。     

苯并咪唑-5,6-二羧酸Mn(II)和Cd(II)混配配合物的合成、结构及性质

在水热条件下,合成了2个配位聚合物{[Mn（Hbidc）（2,2''-bpy）（H₂O）₂]·1.5H₂O}_n（1）和{[Cd（Hbidc）（phen）][Cd（phen）₂Cl₂]}_n（2）（H₃bidc=苯并咪唑-5,6-二羧酸,2,2''-bpy=2,2''-联吡啶,phen=菲咯啉）,并通过X射线单晶衍射、红外、元素分析、X射线粉末衍射和热重对配合物结构进行了表征。配合物1是一维无限zig-zag链结构,可以通过O-H…O和N-H…O氢键的相互作用形成三维超分子结构。配合物2也是一维无限链结构。此外,测试了配合物1和2的固体紫外吸收光谱和研究了配合物2的固体荧光性能。     

具有温度管理控制功能的LED驱动器LM3424及其应用

<正> LM3424是美国国家半导体推出的具有温度管理控制功能的一款新品,可驱动多达18颗串联的高亮度LED,适用于多种不同的室内/户外照明系统以及汽车照明应用。在典型的应用情况下,可输出2A以上的驱动电流,可为降压、升压、SEPIC、反激及升/降压拓扑等各类应用提供稳压电流,适用于4 5V至75V的较宽输入电压范围,内置的PWM控制器可支持高速操作。     

PbCl_2分子的光解离

用YAG激光的四次谐波光解离PbCl_2分子。实验确认了这种光解过程是双光子过程。通过对激光诱导荧光的测量,发现这一光解过程造成了Pb原子的亚稳态6p~2~3P_2与基态6p~2~3P。间的粒子数反分布。同时观察到基于6p~2~3P_2能级的受激共振辐射及受激喇曼散射。     

苯并咪唑-5,6-二羧酸Mn(Ⅱ)和Cd(Ⅱ)混配配合物的合成、结构及性质（英文）

在水热条件下,合成了2个配位聚合物{[Mn(Hbidc)(2,2′-bpy)(H_2O)_2]·1.5H_2O}n(1)和{[Cd(Hbidc)(phen)][Cd(phen)_2Cl_2]}n(2)(H_3bidc=苯并咪唑-5,6-二羧酸,2,2′-bpy=2,2′-联吡啶,phen=菲咯啉),并通过X射线单晶衍射、红外、元素分析、X射线粉末衍射和热重对配合物结构进行了表征。配合物1是一维无限zig-zag链结构,可以通过O-H…O和N-H…O氢键的相互作用形成三维超分子结构。配合物2也是一维无限链结构。此外,测试了配合物1和2的固体紫外吸收光谱和研究了配合物2的固体荧光性能。     

升压式DC／DC变换器TPS6100x

概述 TI公司生产的TPS6100x系列DC—DC升压变换器有TPS61000～TRS61006七个型号。它采用1～2节镍镉、镍氢或碱性电池工作,可输出1.5V到3.3V、100mA电流。启动电压0.9V,并可在0.8V这样低的电压上工作。     

基于Multisim 10的射频LNA仿真和设计

NI Multisim 10是著名的EDA软件,其仿真功能非常强大,RF电路中LNA的设计是一个难题。使用Multisim设计RF LNA电路,利用虚拟网络分析仪和Smith圆图,对典型RF LNA电路的各种参数进行仿真测试,进而设计阻抗匹配网络,优化电路性能,在设计实践中取得了很好的效果。这对于通信电子产品的设计,对于RF电路的教学和创新型实验具有重要的意义。     

单晶体心立方金属铌裂纹尖端位错增殖行为的 原位研究

位错的增殖对体心立方金属材料的塑性性能有着非常重要的意义,目前对于体心立方位错增殖机制的动态研究主要依赖于计算模拟,实验研究很少见到报道,其位错增殖机制尚存在不确定性.本文利用透射电镜原位拉伸技术,实现了单晶体心立方金属铌(Nb)裂纹尖端位错增殖的原位动态实验观察,并提出了两个位错模型来解释位错增殖以及运动的机制.从实验上不仅证实了之前模拟的预测,而且对现有的模型进行了很好的补充,为体心立方金属材料的塑性变形机制提供了基础实验数据.