基于OFDM无线通信系统的线性回归频偏估计算法

为了适应 60 GHz新型 WiFi 对频偏同步的要求, 提出了一种基于 IEEE802.11ad - 2012 修正案系统 的 线性回归频偏估计 (LROE)算法 。 算法将接收到的前导序列与本地序列进行互相关运 算,然后提取 互相关 值的 相位角进行线性回归计算 , 估计出频偏值。 从理论 推导了算法在高斯信道和多径信道下 的 抗噪声 和 抗多径 性能。 在 多径 信道仿真中, 本算法 的频偏 估计精度优于传统自相关算法 3个 数量级, 满足了系统 对高精度频偏估计的要求。 在全系统仿真中,对比研究了本算法和自相关算法对系统 误比特率(BER)性能 的影响, 并与无频偏对照组仿真进行对比。 LROE 算法的 BER 明显优于自相关算法。 仿真研究表明, LROE 算法基 本消除了频偏对系统BER的影响, 其性能 达到了无频偏 系统 的效果 ,达到了 60GHz 系统对频偏同步的 要求。     

基于全卷积神经网络的焊缝特征提取

基于深层卷积神经网络的特征学习能力,提出了一种基于全卷积神经网络的焊缝特征提取方法。该方法利用全卷积神经网络将包含焊缝特征信息的像素预测出来,通过融合低层与高层特征信息来补充焊缝边缘的特征信息。研究结果表明:所提方法能在强烈弧光和烟尘干扰下准确地提取出焊缝位置,具有抗干扰能力强、识别准确的优点。     

基于多层抗蚀剂的GaAs基微纳光栅深刻蚀工艺

采用电子束光刻技术制备出了深刻蚀的GaAs基微纳光栅。针对电子束曝光过程中存在的由邻近效应引起的光栅结构图形失真和变形的问题,本课题组采用厚度较薄的PMMA A4抗蚀剂和SiO₂薄膜形成多层抗蚀剂来减小邻近效应,同时将SiO₂薄膜作为硬掩模,实现了高深宽比的光栅结构。此外,针对电感耦合等离子体刻蚀过程中光栅结构出现长草的现象,通过增强电感耦合等离子体的物理刻蚀机制,有效消除了结构底部的草状结构。扫描电镜测试结果显示：将100 nm厚SiO₂作为硬掩模,可以实现周期为1.00μm、占空比为0.45、刻蚀深度为1.02μm的光栅结构,该光栅结构具有陡直的侧壁形貌以及良好的周期性和均匀性。在该工艺条件下,电感耦合等离子体刻蚀工艺对SiO₂掩模的刻蚀选择比可达26.9∶1。最后,将该结构应用于分布式布拉格反射锥形半导体激光器中,获得了线宽为40 pm的激光输出。这表明,采用电子束光刻技术制备的光栅结构对半导体激光器具有很好的选模特性。     

Janus乳液的研究进展

Janus乳液是一类特殊的乳状液,其内相是由两种或两种以上不混溶的液体构成的液滴.与普通乳液相比,该类乳液具有更多的增溶选择性和更强的分隔作用,在生物分子、药物分子或营养物质的运输和储备中都有更广阔的应用前景.作者针对多种内相组成的Janus乳液,介绍了其形成原理、制备方法、刺激响应性及应用研究进展,旨在为该类乳液的进一步系统研究及应用提供参考.     

Lateral characteristics improvements of DBR laser diode with tapered Bragg grating

Broad area semiconductor laser (BAL) has poor lateral beam quality due to lateral mode competition, which limits its application as a high-power optical source. In this work, the distributed Bragg reflector laser diode with tapered grating (TDBR-LD) is studied. By changing the lateral width, the tapered grating increases the loss of high-order lateral modes, thus improving the lateral characteristics of the laser diode. The measuring results show that the TDBR-LD can achieve a single-lobe output under 0.9 A. In contrast to the straight distributed Bragg reflector laser diode (SDBR-LD), the lateral far field divergence of TDBR-LD is measured to be 5.23° at 1 A, representing a 17% decline. The linewidth of TDBR-LD is 0.4 nm at 0.2 A, which is reduced by nearly 43% in comparison with that of SDBR-LD. Meanwhile, both of the devices have a maximum output power value of approximate 470 mW.