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建立了自发噪声谱测量系统来研究稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声性质.通过测量(Ga,Mn)As材料的自发噪声谱,发现(Ga,Mn)As的自发涨落会随温度升高而逐渐增大,同时,外加磁场会降低(Ga,Mn)As的自发涨落,这来源于外加磁场导致的(Ga,Mn)As磁畴部分有序化.此外,不同频率的噪声随温度的变化规律有很大差异:当频率低于30 kHz的时候,噪声谱和温度的变化关系和热噪声很相似,但数值上明显大于热噪声的值;当频率在30 kHz左右的时候,噪声大小和温度成线性关系;当频率大于30 kHz以后,在相变点附近噪声大小和温度的关系出现了明显的转折,高频高温噪声的大小和热噪声的理论值非常接近.这些结果有助于深入理解(Ga,Mn)As磁性起源的物理机制.
关键词:
自旋电子学
稀磁半导体
自发涨落谱 相似文献
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利用时间分辨Kerr旋光技术测量低温下稀磁半导体Ga0.937Mn0.063As中光注入极化载流子的自旋进动信号,并观察到自旋极化载流子的有效g因子值随外磁场的增强而增大的反常现象.这归结于磁场导致局域化空穴转化为非局域化空穴,从而使自发磁化强度增强,有效g因子值增大.基于此物理图像,进一步给出了(Ga,Mn)As的有效g因子与外磁场的关系式. 相似文献
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利用时间分辨Kerr旋光技术测量低温下稀磁半导体Ga0.937Mn0.063As中光注入极化载流子的自旋进动信号,并观察到自旋极化载流子的有效g因子值随外磁场的增强而增大的反常现象.这归结于磁场导致局域化空穴转化为非局域化空穴,从而使自发磁化强度增强,有效g因子值增大.基于此物理图像,进一步给出了(Ga,Mn)As的有效g因子与外磁场的关系式.
关键词:
时间分辨Kerr旋光测量
Zeeman效应
Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida模型 相似文献
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This paper has systematically investigated the substrate temperature and
thickness dependence of surface morphology and magnetic property of CrAs
compound films grown on GaAs by molecular-beam epitaxy. It finds that the
substrate temperature affects the surface morphology and magnetic property
of CrAs thin film more potently than the thickness. 相似文献
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利用低温分子束外延技术分别在lnGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明,两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持闪锌矿结构。利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层上生长的CrAs薄膜的居里温度均高于400K.闪锌矿结构CrAs薄膜在不同缓冲层上的成功生长将可能拓宽这类具有室温铁磁性新型半金属薄膜在未来半导体自旋电子学领域的应用. 相似文献
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Cr-Doped InAs Self-Organized Diluted Magnetic Quantum Dots with Room-Temperature Ferromagnetism
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Cr-doped InAs self-organized diluted magnetic quantum dots (QDs) are grown by low-temperature molecularbeam epitaxy. Magnetic measurements reveal that the Curie temperature of all the InAs:Cr QDs layers with Cr/In flux ratio changing from 0.026 to 0.18 is beyond 400 K. High-resolution cross sectional transmission electron microscopy images indicate that InAs:Cr QDs are of the zincblende structure. Possible origins responsible for the high Curie temperature are discussed. 相似文献
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运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大,而在同一激发能量密度下,退火样品比未退火样品具有更短的载流子复合时间、电子自旋弛豫时间和更大的克尔转角,显示DP机理是室温下(Ga,Mn)As的电子自旋弛豫的主导机理.退火(Ga,Mn)As的超快克尔增强效应显示其在超高速全光自旋开关方面的潜在应用价值,也为(Ga,Mn)As铁磁性起源的p-d交换机理提供了证据.
关键词:
(Ga
Mn)As稀磁半导体
时间分辨克尔光谱
电子自旋弛豫
DP机理 相似文献
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