GDX固定相的氧化改性及柱效评价

以聚合物为基础的固定相—GDX业已广泛应用于许多领域中的极性化合物的分析、分离,并已取得良好效果。长期以来各方面总认为这类固定相柱效低。这个问题一直没有得到应有的解决。最近报道刘俊杰等人采用氧化改性的办法使GDX固定相柱效有了较大提高。我们重复了这个实验,并发现其中有不少问题,特别是涉及如何准确     

9-取代基咔唑化合物在气相色谱分离中的固定相选择

气相色谱中固定相的选择是决定色谱分离效果的关键性问题,迄今尚缺乏完整的理论指导。9-取代基咔唑化合物具有优良的光电导性能,近来已引起人们广泛的注意,但有关这类化合物的气相色谱分析研究尚未见有文献报导,因此在固定相的选择上缺乏借鉴。本文在分离咔唑系列化合物过程中,按照它们的色谱行为,探讨了这些分子的特性,并据此顺利地选出了能达到预期分离效果的色谱柱。     

新型萘酰亚胺衍生物的合成及抗肿瘤活性评价

本文合成了三种新的萘酰亚胺衍生物,并对其体外抗肿瘤活性进行了评价.初步实验结果表明,以芳基修饰氨萘菲特芳环上氨基所得化合物体外活性不如阳性对照氨萘菲特.而利用1,4-丁二醇修饰4-溴-1,8-萘酐芳环上溴原子得到的化合物3与阳性对照及其它两种衍生物相比对肝癌细胞HepG2具有较低的IC_(50)值.     

手机待机过程及实现

文章以国内网络及手机情况为例,介绍手机待机过程及手机实现这些过程的软件框图。手机待机时,需要进行PLMN选择、小区选择和重选及位置注册,这样才能进行呼叫、收发短消息、上网浏览等正常业务。待机时手机的行为都是围绕“获得高质量的业务”这个中心。文中提到的一些基本概念和基本过程不仅适用于GSM/GPRS手机,对3G手机也同样适用。     

可逆加成-断裂链转移活性自由基聚合

介绍了可逆加成-断裂链转移(Reversible addition-fragmentation chain tansfer,RAFT)活性自由基聚合的反应机理、聚合动力学和特点，对RAFT试剂的选择和制备作了简要介绍，并综述了RAFT聚合的发展动态及应用状况。     

无吸收模式滤波结构高亮度大功率宽条形半导体激光器

提升宽条形半导体激光器水平方向激射光输出的光束质量,改善宽条形半导体激光器的工作特性,一直是大功率、高亮度宽条形半导体激光器器件工艺研究的难点.基于激射光在无源波导内的衍射原理制备宽条形半导体激光器的模式滤波结构,利用AlxNy绝缘介质薄膜应力使基底半导体材料带隙变化的原理制备无吸收无源波导.将两者结合,设计制备了带有...     

808 nm波长光纤耦合高功率半导体激光器

采用柱透镜对半导体激光器（ＬＤ）的输出光束进行了有效收集、预准直及多模光纤之间的耦合实验。采用８０８ｎｍ波长,１５０μｍ条宽结构的激光器件,与２００μｍ芯径平端光纤的耦合效率高达９０％以上,光纤输出功率为１．０Ｗ。分析了影响耦合效率的主要因素     

基于AlxNy绝缘介质膜的新型窗口大功率半导体激光器

提升半导体激光器的腔面抗光学灾变(COD)损伤的能力,改善半导体激光器的工作特性,一直是大功率半导体激光器器件工艺研究的难点.基于薄膜应力使基底半导体材料带隙变化的原理,采用直流磁控溅射方法在不同条件下溅射生成不同内应力的AlxNy绝缘介质膜.通过研究大功率半导体激光器腔面退化机理,借助AlxNy等应力膜设计制作了一种新型非吸收透明窗口结构的宽条形半导体激光器,使器件平均最大输出功率提高46.5%,垂直发散角达到21°,水平发散角达到6.1°,2000 h加速老化试验,其千小时退化速率小于0.091%.     

高功率850 nm宽光谱大光腔超辐射发光二极管

超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为提高半导体超辐射发光管的光谱宽度,采用非均匀阱宽多量子阱(MQW)材料拓宽超辐射器件的输出光谱。优化设计器件的波导结构,利用大光腔结构设计出高功率、低发散角850 nm超辐射发光二极管。采用直波导吸收区而后在器件的出光腔面上镀制抗反射膜的方法制作超辐射发光二极管。器件在140 mA时器件半峰全宽(FWHM)可以达到26 nm,室温下连续输出功率达到7 mW。器件的垂直发散角为28°,水平发散角为10°。由于器件具有比较小的发散角,与光纤耦合时具有比较高的耦合效率,单模保偏光纤耦合输出功率达到1.5 mW。