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采用扩散掺铝方法可以显著降低Cr-SiO薄膜电阻的温度系数,1~5kΩ/□,TCR≤±500×10(-6)℃(-1);10kΩ/□,TCR≤±100×10(-6)℃(-1)。该方法尤其适用于设备较为简单的蒸发镀膜工艺。 相似文献
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