用光声谱法研究硅单晶中~(31)P~+离子注入

本文报道用光声谱法在近红外波段研究硅单晶中~(31)P~+离子注入效应,得到了注入剂量为10~(12)cm~(-2)-10~(15)cm~(-2)范围内的光声信号幅值随注入剂量变化的关系.对于先经退火后进行离子注入的样品,其剂量低到 5×10~(11)cm~(-2)的离子注入效应也能被检测到.在1×10~(12)-5 × 10~(13)cm~(-2)低剂量范围内,光声信号明显地随注入剂量而增加.因此,光声谱法是研究离子注入造成的晶格损伤的有效手段,有希望发展成为硅中离子注入剂量的无接触、快速、非破坏性的测量方法.     

软件定义数据中心网络混合路由机制

针对数据中心网络流量大小分布不均匀、传输性能需求不相同的特征,提出了面向传统树型数据中心网络结构的软件定义混合路由机制SHR（software-defined hybrid routing）。SHR通过统计计算将数据流分为大流和小流,为满足其不同的传输性能需求,对大流采用自适应路由算法,对小流采用流量无视路由算法。SHR在OpenFlow机制的基础上,将部分控制权从控制器下放至交换机,以减轻网络的额外负载。在Fat-Tree网络拓扑结构上建立流量模型进行性能分析与仿真实验,结果表明,与传统的等价多路径转发ECMP算法相比,SHR能够提高网络吞吐量,降低数据流丢弃率和分组端到端时延,同时减轻网络的额外负载。     

半导体低温激光荧光光谱测定硅中的硼磷含量

随着LSI、大功率器件、红外探测器等器件的发展,元件制造技术的提高,对Si材料提出了愈来愈高的质量要求,尤其是Si材料中的微量杂质,因为它的含量及其浓度分布直接影响元件的性能与成品率,所以对杂质含量的分析显得十分重要。测定杂质分布最常用的手段是先测定电阻率,再根据Irvin曲线求出载流子浓度|N_o-N_A|,但这种方法不能测出     

用光声谱法研究硅单晶中~(31)P~ 离子注入

本文报道用光声谱法在近红外波段研究硅单晶中~(31)P~ 离子注入效应,得到了注入剂量为10~(12)cm~(-2)-10~(15)cm~(-2)范围内的光声信号幅值随注入剂量变化的关系.对于先经退火后进行离子注入的样品,其剂量低到 5×10~(11)cm~(-2)的离子注入效应也能被检测到.在1×10~(12)-5 × 10~(13)cm~(-2)低剂量范围内,光声信号明显地随注入剂量而增加.因此,光声谱法是研究离子注入造成的晶格损伤的有效手段,有希望发展成为硅中离子注入剂量的无接触、快速、非破坏性的测量方法.     

用光声谱研究硅单晶中~(31)P~ 离子注入

本文报道用光声谱法在近红外波段(0.8～1.6μm)研究硅单晶片中~(31)P~ 离子注入的效应,得到了低剂量情况下的结果,并认为有希望成为硅中离子注入剂量的检测方法。低注入剂量情况下,离子注入会在半导体中造成局域能级,在高剂量下离子注入则使半导体晶片的晶格完全破坏,变成非晶硅。光谱测试表明,在1.1～1.38μm波长范围内,单晶硅几乎是     

磷吸除的机理及光电探测器的研制(英文)

<正> An efficient gettering is often performed with a back-side phosphorus diffusion; the mechanisms, not well understood, are generally attributed to induced dislocations and/or phosphide. In this work we demonstrate that the high-surface-concentration phosphorus diffusions and the final annealing at moderate temperature are able to produce gettering action. The increment of generation lifetime, measured by using MOS capacitors of starting silicon materials, and the decrement of the dark current of Dhotoelectric device are reported. The backside phosphorus diffusion (gettering) layer at different temperature has been analyzed with the help of SIMS, then we discuss the new gettering mechanism with the formation of a negatively charged pair and segregation annealing.     

四频差动激光陀螺稳频控制仿真

介绍了四频差动激光陀螺稳频的基本工作原理,在分析稳频电路各组成环节传递特性的基础上,给出了稳频控制系统的开环和闭环传递函数,并从满足相位裕度指标(45°)角度对控制系统各参数进行了优化,结果显示当开环总增益k取33时系统有较好的稳定性和较快的响应速度,满足四频差动激光陀螺稳频控制要求。     

融合多属性决策和深度Q值网络的反导火力分配方法

针对中大规模武器-目标分配(WTA)决策空间复杂度高、求解效率低的问题,该文提出一种基于多属性决策和深度Q网络(DQN)的WTA优化方法。建立基于层次分析法(AHP)的导弹威胁评估模型,引入熵值法表征目标属性差异,提升威胁评估客观性。根据最大毁伤概率准则,建立基于DQN的WTA分段决策模型,引入经验池均匀采样策略,确保各类目标分配经验的等概率抽取;设计综合局部和全局收益的奖励函数,兼顾DQN火力分配模型的训练效率和决策准确性。仿真结果表明,相较于传统启发式方法,该方法具备在线快速求解大规模WTA问题的优势,且对于WTA场景要素变化具有较好的鲁棒性。     

激光制导武器对抗数学仿真试验系统分析

分析了激光制导武器对抗数学仿真试验系统的动能和组成.分析了该仿真试验系统的总体框架分析了主控分系统、显示分系统、运动分系统、干扰分系统、辅助分系统以及其他分系统的功能与组成,为日后激光制导武器对抗数学仿真试验的进行打下了良好的基础.     

衬底温度对热壁外延ZnSe薄膜质量的影响

用热壁外延法在不同衬底温度条件下生长一系列ZnSe薄膜,并通过X射线衍射、喇曼散射以及光致发光技术对ZnSe薄膜质量作了研究。实验结果表明,随着衬底温度下降,ZnSe薄膜质量逐渐变差;当衬底温度低于300℃时,(100)ZnSe薄膜中有(111)孪晶出现;但同时发现衬底温度大于375℃时,衬底Ga原子对ZnSe外延层扩散严重。