排序方式: 共有48条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
讨论了脉冲宽度调制方式与帧速率调制方式应用在LCD driver(液晶显示驱动)中的优劣,探讨了混合使用两种算法的改进方案,结果表明混合使用脉冲宽度调制方式与帧速率调制方式,能够在显示效果及功耗方面达到最优。 相似文献
2.
在TSMC0.18/zmCMOS工艺下设计了一款宽带宽、低功耗的连续时间Sigma—DeltaADC调制器。该调制器可以应用于无线通信、视频、医疗和工业成像等领域,它采用三阶RC积分环路滤波结构,提高了可达到的精度。针对环路延时降低系统稳定性的问题,在环路中引入半个采样周期的延时,以此提高调制器的精度;同时采用非回零的DAC结构来减小系统对时钟抖动的敏感度。通过结构的选取和非回零的DAC结构的使用,调制器对时钟抖动有很强的忍受能力。该Sigma—DeltaADC的带宽可以达到5MHz,信噪比可达63.6dB(10位),整个调制器在1.8V的电压下,功耗仅为32mw。 相似文献
3.
The quantization noise leakage of the first stage in a MASH21 sigma-delta modulator is analyzed.The results show that the finite DC gain of the opamp is the main reason for noise leakage,and finite GBW and SR only generate harmonic distortion.The relationship between DC gain and leakage is modeled and conclusions on design criteria are reached.As an example,a MASH21 modulator for a digital audio application is realized.This modulator, fabricated in an 0.18μm mixed signal process,achieves an SNDR of 91 dB... 相似文献
4.
5.
采用TSMC 0.18μm 1P6M工艺设计了一个12位50 MS/s流水线A/D转换器(ADC)。为了减小失真和降低功耗,该ADC利用余量增益放大电路(MDAC)内建的采样保持功能,去掉了传统的前端采样保持电路;采用时间常数匹配技术,保证输入高频信号时,ADC依然能有较好的线性度;利用数字校正电路降低了ADC对比较器失调的敏感性。使用Cadence Spectre对电路进行仿真。结果表明,输入耐奎斯特频率的信号时,电路SNDR达到72.19 dB,SFDR达到88.23 dB。当输入频率为50 MHz的信号时,SFDR依然有80.51 dB。使用1.8 V电源电压供电,在50 MHz采样率下,ADC功耗为128 mW。 相似文献
6.
应用于硬件安全领域的多态电路对于除金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)外的新器件的研究较少,往往只有少数几个设计实例,缺乏一般化的研究方法和多态门设计平台。面向铁电场效应晶体管(FeFET)器件,该文提出一种多态门设计方法。该方法利用免疫算法,将基于FeFET的多态门电路生成问题归结为生物代际演化过程。该文利用C++语言平台和Hspice仿真工具实现了完整的FeFET多态门设计算法,结合具体的工艺和电路模型搭建了多态门的设计平台。实验结果表明,该设计方法可有效地生成出基于FeFET的多态电路,其所生成的多态门电路可实现温度、电源电压和外部信号多种控制方式。 相似文献
7.
文章简述SOC测试中BIST的优势,结合SOC设计与测试的相关标准,探讨BIST的发展。 相似文献
8.
针对PKU-DSPII芯片,设计了具有AMBAAXI3.0接口的SPI主机接口,支持四种传输模式、可变传输帧长度、频率可编程时钟输出和五种中断;同时,针对该SPI接口设计了RISCDSP的bootrom程序,包括从FLASH正常启动和对FLASH系统程序进行升级两种工作模式.通过功能仿真和FPGA原型验证,PKU-DSPII可以利用该设计的SPI接口成功通过外部FLASH启动或进行系统升级,证明了硬件设计和bootrom程序的正确性.该设计已提交华润上华0.18μmCMOS工艺流片. 相似文献
9.
10.
本文提出了一种符合ISO18000-6B协议的无源超高频射频识别标签芯片设计。该芯片包括了射频/模拟前端,数字基带和512比特的EEPROM存储器。采用肖特基二极管来提高整流器的功率转换效率。详细阐述了基于峰值电流源的参考电压源的设计,该电路结构简单,并且可以满足低压、低功耗的设计要求。为了降低功耗,模拟模块工作在1v以下电源电压,并采用了一些低功耗的设计方法进一步降低数字基带的功耗。整个标签芯片采用TSMC 0.18um CMOS工艺实现,芯片尺寸为800*800um2。测试结果表明芯片的总功耗为7.4uW,灵敏度达-12dBm。 相似文献