高密度Si基半导体电容器的性能及其制作

随着各种混合信号电路的性能和集成度的迅速提高以及对电路模块和元器件小型化的需要,集成无源技术成为一种取代分立无源器件以达到小型化的解决方案。鉴于电容器被广泛用于滤波、调谐和电源回路退耦等各种板级集成封装中,采用Si MEMS工艺,在半导体表面深刻蚀三维(3D)图形以增大有效表面积,制作了一种高电容密度的半导体pn结退耦电容器,并分析研究了其主要制成工艺和性能。结果显示,所制作的电容器的电容密度达8～12nF/mm2,相比无表面三维刻蚀图形的半导体电容器电容密度增大了10倍以上,退耦频率范围为10kHz～3.2GHz,可用于中低频率较大范围内的退耦。     

用MOTIF开发图形用户界面的一种方法

对Motif的内容、特点进行了探讨,着重介绍了IBM工作站上利用Motif开发的一个高级集成程序开发环境Mrpo.     

基于最大熵原理的测量不确定度商概率建模及计算

测量数学模型建立后,测量不确定度评定需考虑输入量的不确定度及分布的传递性.若测量模型为幂指数积模型,通常先将输入量线性化,再采用合成方差的方法计算被测量的不确定度,方法计算简便,但未揭示不确定度随分布传递这一现象.针对问题,首先运用最大熵原理,计算测量仪器分辨力已知时,输入量的概率密度函数,其结果显示输入量服从矩形分布;其次重点推导了输入量与被测量之间为商概率模型时,被测量的概率密度函数、估计值和测量不确定度,并给出不确定度评定的具体步骤;最后利用恒流源测量高精密小电阻实例的对比分析,说明了该不确定度评定模型的可行性和有效性.     

基于FPGA的无损图像压缩算法实现

针对采用传统硬件方法实现JPEG LS无损图像压缩算法时延时较多、实时性较差的问题,文中提出了一种基于FPGA的全流水线结构来实现JPEG LS算法。该结构以提高最大吞吐量为主要目标,通过多级流水线降低每一级运算的延迟,大幅提高了压缩算法的实时性,硬件电路操作频率可达120 MHz。     

通信光缆性能指标的确定与检测

本文重点介绍了通信光缆性能指标的工程应用意义和用户在选购通信光缆时应考虑的各种实际因素,详细介绍了通信光缆各项指标的检测方法和注意事项。对提高整个光缆接续施工质量和维护工作极其重要,尤其是进一步研究光通信中长波长的单模光纤的通信性能、传输衰耗、测量精度和检查维修等方面有一定的现实意义。     

不同程度冲击波对兔生理系统的损伤效应

利用由轻气炮装置改装而成的生物激波管,开展不同冲击波超压值下兔的损伤效应研究。通过对 兔的多种生理特征和器官(如肺、肾脏等)的变化情况进行检测,综合分析了生物体生理系统对冲击波响应及 其损伤后的自身调节作用。建立了损伤肺湿干比与超压间的定量关系,发现了血压随冲击波增加而降低的现 象。除肺外,冲击波对生物体其他脏器同样存在显著影响。     

植物钙调素与Ce3+离子结合反应的荧光光谱法研究

水合Ce^3＋离子发射强荧光,而用Ce^3＋滴定植物钙调素（CaM）时,Ce^3＋离子荧光被完全淬灭,据此建立了测定Ce^3＋离子与植物钙调素结合位点数及逐级结合常数的方法。实验表明,Ce^3＋离子与植物钙调素的荧光激发光谱及发射光谱形状与光谱强度都有显著差别,前者的荧光强度远大于后者,故CaM存在时可以测定游离Ce^3＋的浓度。Ce^3＋离子荧光淬灭法测定结果说明,在0.5 mol·L^-1KCl溶液中,CaM有4个Ce^3＋离子结合位点。进一步通过Ce^3＋滴定植物钙调素的实验,并结合Excel规划求解法,计算出Ce^3＋与CaM的结合常数,K1=4.17×10^7,K2=1.26×10^7,K3=1.89×10^6,K4=2.04×10^6。     

高密度低寄生电感硅基半导体电容器的设计及验证

采用在半导体材料表面深刻蚀三维图形以形成稳固蜂窝结构的方法,研究了一种适用于解决高频电路和系统级封装中串扰耦合问题的高密度、低寄生电感、制作及排布容易的硅基电容。结果显示,所制作的电容,其密度可增大至普通平面半导体电容的10倍以上,并较大程度地降低了电容的寄生电感,使其性能大大优于常用商业陶瓷电容,更适用于高频电路和系统级封装中的有效退耦。     

New de-embedding structures for extracting the electrical parameters of a through-silicon-via pair

Two innovative de-embedding methods are proposed for extracting an electrical model for a throughsilicon -via(TSV) pair consisting of a ground-signal(GS) structure.In addition,based on microwave network theory, a new solution scheme is developed for dealing with multiple solutions of the transfer matrix during the process of de-embedding.A unique solution is determined based on the amplitude and the phase characteristic of S parameters. In the first de-embedding method,a typical "π" type model of the TSV pair is developed,which illustrates the need to allow for frequency dependence in the equivalent TSV pair Spice model.This de-embedding method is shown to be effective for extracting the electrical properties of the TSVs.The feasibility of a second de-embedding method is also investigated.     

快速硅通孔（TSV）填充方法

本文提出了一种新的快速低成本硅通孔填充方法。使用该方法,直径为100微米的铜芯焊球被用于硅晶圆上直径110微米、深度150微米的孔的填充。晶圆级孔填充可以在几秒内完成,速度远快于传统填充技术,大大降低了工艺成本。通过对焊料、铜和铜芯焊料三种不同金属材料填充的硅通孔的热机械性能的有限元仿真分析,结果显示在热循环过程中,使用铜芯焊料填充的硅通孔产生的热膨胀和热应力比使用焊料填充的硅通孔更小,从而表明该方法较焊料填充硅通孔具有更高的热机械可靠性。