Design and application of a depletion-mode NJFET in a high-voltage BiCMOS process

A novel depletion-mode NJFET compatible high-voltage BiCMOS process is proposed and experimentally demonstrated with a four-branch 12-bit DAC(digital-to-analog converter).With this process,an NJFET with a pinch-off voltage ofabout-1.5 V and a breakdown voltage of about 16 V,an NLDDMOS(N-type lightly-dosed-drain in MOS) with a turn-on voltage of about 1.0 V and a breakdown voltage of about 35 V,and a Zener diode with a reverse voltage of about 5.6 V were obtained.Measurement results showed that the conver...     

WO3表面的氧缺陷

用不同能量的Ar⁺和H⁺轰击WO₃表面,观察到W_4f峰的位移和加宽。通过谱分解处理得到相应于W_4f电子的W⁶⁺,W⁴⁺和W⁰3个不同的双峰。用表面产生氧缺陷的机理解释了还原过程。UPS谱显示出氧缺陷的存在增加了靠近费密能级处的态密度。H₂O的吸附结果说明WO₃表面的活性与W^{5+< 关键词：}     

二十四所半导体工艺技术发展历程与展望

回顾了中电科技集团公司第二十四研究所自建所以来的半导体集成电路工艺发展历程.晶圆尺寸从1.5吋(40 mm) 到6吋(150 mm),特征线宽从10 μm到0.5 μm,器件特征频率从低频到射频,工作电压从5 V到800 V,包括射频和高压大功率的各种器件.从研制成功全国第一块大规模集成电路至今,二十四所作为全国唯一的模拟集成电路专业研究所,在各个领域均取得了突出的成就,见证了中国半导体集成电路事业的发展历程.最后,展望了二十四所模拟及专用集成电路工艺技术的发展前景.     

发射区硼掺杂浓度对横向PNP晶体管高低剂量率辐射损伤的影响

本文研究了发射区重硼掺杂和轻硼掺杂横向PNP晶体管的高低剂量率辐照损伤特性。实验结果表明,随总剂量的增加,晶体管基极电流增大,电流增益下降,且轻掺杂PNP晶体管的退化更为严重。文中讨论了辐照感生缺陷在发射区重掺杂和轻掺杂晶体管退化中的作用,特别是氧化物正电荷的双重作用。最后,文章详细论述了高低剂量率辐照下,重掺杂PNP晶体管集电极电流IC的辐照响应。     

高压BiCMOS工艺中耗尽型NJFET的设计与应用

摘 要：本文提出了一种新型的兼容高压BiCMOS工艺的耗尽型NJFET,并实际研制了一种四路12位数模转换器。研制的NJFET夹断电压-1.5V,击穿电压17V;带轻掺杂漏区的高压NMOS管开启电压1.0V,击穿电压35V;齐纳二极管的正向电压5.5V。使用该耗尽型NJFET及其兼容工艺研制的四路12位数模转换器的基准温度系数为±25ppm/℃,微分误差小于±0.3LSB,线性误差小于±0.5LSB,还可以广泛应用于其他高压数模/模数转换器的研制。     

Green chemistry of chromate cleaner production

Research topics and methods of green chemistry in chromate production are introduced in this paper . New original green chemical process of the heterogeneous reaction and separation system of liquid phase oxidation of chromite in molten salt of sodium hydroxide-one way separation in high concentration medium-metastable phase separation-carbonate recycle conversion has been developed. The green commercial process for comprehensive utilization of mineral resources-reactant recycle inside the process-zero emission was established .     

绿色化学与铬盐工业的新一代产业革命

本文介绍了铬盐生产的绿色化学研究的内容和方法, 所开拓的熔盐液相氧化-高浓介质单向分离-介稳态相分离-碳化循环转化的多相反应与分离系统的绿色化学新原理, 资源深度利用-反应介质内循环-零排放的完整绿色工业化学体系。     

一种集成运放输入级用高性能PJFET设计

通过使用肖克莱沟道近似理论和TCAD工具设计了一种可以应用于集成运放输入级的高压超浅结PJFET结构。采用Bi-FET兼容工艺,制作出了顶栅结深约0.1µm,栅漏电小于5pA,击穿电压大于80V,夹断电压在0.8～2.0V范围可调的PJFET。将该类器件及其兼容工艺用于某型号高输入阻抗JFET集成运放的设计与制造,获得了小于50PA的偏置电流,电压噪声小于50nV/Hz1/2,电流噪声小于0.05pA/Hz1/2。     

WO_3表面的氧缺陷

用不同能量的Ar~ 和H~ 轰击WO_3表面,观察到W_(4f)峰的位移和加宽。通过谱分解处理得到相应于W_(4f)电子的W~(6 ),W~(4 )和W~03个不同的双峰。用表面产生氧缺陷的机理解释了还原过程。UPS谱显示出氧缺陷的存在增加了靠近费密能级处的态密度。H_2O的吸附结果说明WO_3表面的活性与W~(5 )有关。     

SiGe集成电路工艺技术现状及发展趋势

介绍了基于SiGe材料的集成电路工艺技术概况,包括SiGe HBT器件结构、SiGe HBT特色双极工艺、SiGe BiCMOS工艺等。概述了SiGe工艺技术的应用情况以及国内外发展现状,并结合应用需求,提出了国内模拟集成电路制造用SiGe工艺技术的发展趋势。