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结区中存在量子阱结构样品的C-V特性分析 总被引:2,自引:2,他引:0
对不同组分、阱宽和垒宽的锗硅单量子阱和多量子阶样品的C-V特性及其与温度的关系进行了测量,并用数值方法解油松方程模拟计算了单量子阱样品的C-V特性及其C-V载流于浓度分布.实验和模拟计算的结果均表明,C-V载流子浓度分布在量子阱位置有一个浓度较高的峰值,它反映了被限制在阱中的载流子的积累,峰高随着量子阶异质界面的能带偏移的增加而增加.低温时由于阱中载流子的热发射几率变小,阱中载流于浓度的变化跟不上测试电压的频率,造成电容值显著变小. 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)研究了量子阱样品价中载流子的热发射和异质界面附近的深能级缺陷,得到Si0.67Ge0.33/Si单量子样品的能带偏移为0.24eV.量子阱异质界面附近高浓度的深能级缺陷在样品的DLTS谱上形成一少于峰,该信号只有当测量的脉冲宽度足够大时才能检测到.对比不;司组分相同结构的多量子阱样品发现,组分大时异质界面的深能级缺陷浓度大,因此它可能是失配应变或位错引起的.相应的光致发光谱(PL)测试结果表明该深能级缺陷还会导致PL谱中合金层的带边激子峰的湮灭. 相似文献
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硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究 总被引:3,自引:0,他引:3
利用硅分子束外延技术和B2O3掺杂源,成功地实现了硅中的硼δ掺杂,硼δ掺杂面密度NB可达3.4e14cm-2(1/2单层)以上,透射电镜所示宽度为1.5nm.我们首次用原位俄歇电子能谱(AES)对硼在Si(100)表面上的δ掺杂行为进行了初步的研究,发现在NB<3.4e14cm-2时,硼δ掺杂面密度与时间成正比,衬底温度650℃,掺杂源温度9000℃时,粘附速率为4.4e13cm-2/min;在NB>3.4e14cm-2时,粘附有饱和趋势,测量表明在硼δ掺杂面密度NB高达4.4e14c 相似文献
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对不同组分、阱宽和垒宽的锗硅单量子和多量子阱样品的C-V特性及其与温度的关系进行了测量,并用数值方法解泊松方程模拟计算了单量子阱样品的C-V特性及其C-V载流子浓度分布,实验和模拟计算的结果均表明,C-V载流子浓度分布在量了阱位置有一个深度 高的峰值,它反映了被限制在阱中的载流子的积累,峰高随着量子阱异质界面的能带偏移的增加而增另,低温由于阱中载流子的热发射几率变小,阱中载流子深度的变化跟不上测试 相似文献
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