长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备

采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术，得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱，加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA)，输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃，1.74μm激光器的特征温度T₀=57K，和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当. 关键词： MOCVD InGaAs/InGaAsP 应变量子阱 分布反馈激光器     

Integrated electroabsorption-modulated DFB laser by using an improved butt-joint method

An improved butt coupling method is used to fabricate an electroabsorption modulator (EAM) monolithically integrated with a distributed feedback (DFB) laser.The obtained electroabsorption-modulated laser (EML) chip with the traditional shallow ridge exhibits very low threshold current of 12 mA, output power of more than 8 mW,and static extinction ratio of-7 dB at the applied bias voltage from 0.5 to -2.0 V.     

基于DBR结构自脉动激光器的波长及频率可变光微波源

首次报道了基于DBR结构自脉动激光器的波长及频率可变光微波源。该微波源可以或得1.87GHz至21.81GHz的微波信号同时可以获得1536.28nm至1538.73nm的波长调谐。     

低阈值1.5μm平面掩埋脊型(PBR)分布反馈激光器

采用质子轰击的PBR 结构,研制了室温阈电流小于15mA,高稳定单纵模输出的1.5μmDFB激光器.为今后研制长寿命无致冷1.5μmDFB激光器组合件奠定了基础,在大温度范围(-40-+60℃)和大工作电流范围(1.2-3I_(th)内可稳定单纵模工作,边模抑制比(SMSR)可达30dB以上.静态线宽一般为30-40MHz,最窄可低于20MHz.器件经50℃恒功加速老化实验,外推20℃连续工作时间已超过3000小时无显著退化迹象.本器件已首次在国内做为信号源成功地用在140Mb/S相干光通信系统上.     

1.74μm压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器

制备了1.74μm脊波导结构压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器.采用低压金属有机化合物气相沉积法生长器件材料,应用应变缓冲层防止In的分凝.未镀膜的腔长为300μm的器件阈值电流为11.5mA,100mA时最大输出功率为14mW,边模抑制比为33.5dB.     

1.55-μm大功率高速直调半导体激光器阵列

提出一种基于AlGaInAs材料的1.55-μm波段的大功率、高速直调分布反馈(DFB)激光器阵列。采用具有良好温度特性和高微分增益的AlGaInAs材料作为量子阱和波导层以实现大功率与高带宽的输出;引入稀释波导结构来减小有源区内部损耗,同时降低远场发散角;采用悬浮光栅并优化耦合系数以实现大注入电流下的单模稳定工作。最终实现了1.5-μm波段5波长的大功率直调激光器阵列,阵列波长间隔约为5 nm,室温连续波(CW)工作时各通道输出光功率均大于100 mW,单通道最大输出光功率为160 mW,500 mA工作电流范围内边模抑制比大于55 dB,小信号调制带宽可达7 GHz,激光器最小线宽为520 kHz,相对强度噪声低于-145 dB/Hz。     

10Gbit/s高T0无制冷分布反馈激光器

与折射率耦合分布的分布反馈（DFB）激光器相比,不管界面反射率是多少,增益耦合DFB激光器都能稳定地单纵模工作,而且具有高速、低啁啾的特性．本课题组用AlGaInAs/InP材料,采用增益耦合DFB结构,进行了单纵模激光器研发,并对器件特性进行了测试分析．     

基于RCSW的数据流速度异常检测算法研究

 目前许多应用领域产生数据流的流速不断地震荡,使得面向数据流的挖掘变得困难.系统采用RCSW来完成数据流抽取,提出了实时度T、关键时点集、数据流处理率的概念,并进一步提出了数据流速度异常检测算法.系统监控、预测数据流速,当数据流速异常减速或增速时,系统智能调节环形缓冲区和数据流处理率来应对异常,为解决数据流处理能力与流速、流量与有限空间之间的矛盾提供解决方案.实验表明数据流速度异常检测算法能够保证数据流的挖掘持续正常实施,最大程度的满足系统的实时性要求.     

采用IFVD-QWI技术制备电吸收调制DFB激光器

采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 法在I nGaAsP多量子阱/InP缓冲层/InGaAs层上沉积SiO₂薄膜,通过N₂气氛下快速热退火(RTA )方法实现无杂质空位扩散(IFVD)的量子阱混杂(QWI)。对不同退火温度下量子 阱增益峰值波长的蓝移特性进行了实验摸索,在780℃@80s的退火条 件下,可以获得最大72.8nm的相对波长 蓝移量,并且发现快速热退火RTA温度低于780℃以下时,LD区的波长 蓝移量随温 度变化基本能控制在10nm以内。 通过选取合适退火条件实现了光荧光(PL)峰值波长约50nm的蓝移量, 在选区制备出合适带隙波长材料的基 础上,在LD区制作全息光栅并二次外延P型掺杂电接触层后,采用标准化浅脊波导电吸收 调制(EAM)分布反馈 激光器(EML)工艺制备了1.5μm波长的EML管芯,器件阈值为 20m A,出光功率达到2mW@90mA,静态消光比在＋6V反偏压下为9.5dB。     

面向云计算的键值型分布式存储系统研究

 对于数据密集型的云计算应用,基于磁盘的存储系统很难同时满足它们对性能与可用性的需求.本文提出了一种以内存为主设备、以磁盘为辅助设备的键值型分布式存储系统M-Cloud,能提供大数据读写、备份及恢复等存储服务功能.M-Cloud通过将数据全部装入服务器集群内存中的方式提高系统整体性能,并设计了分区线性哈希算法以实现负载均衡和高扩展性,设计了相应的数据备份与故障快速恢复策略以保证系统可靠性.仿真实验结果表明,M-Cloud具有较高的性能与可用性,对系统进一步改进和优化后具有应用于实际生产环境中的潜力,可为用户提供高质量的存储服务.