量子点器件的三端电测量研究

利用三端电测量方法，研究了调制掺杂二维电子气结构的量子点器件输运特性.报道了可分别测量二维电子气电阻和量子点隧穿电阻的实验方法.实验结果表明：量子点的横向耦合控制了量子点器件在小偏压下的电输运特性. 关键词： 自组装量子点 二维电子气 量子隧穿 肖特基接触     

一维ZnO纳米结构的电子场发射研究

在大量制备一维ZnO纳米结构的基础上,研究了这些纳米结构的场发射性能。对于四角状ZnO纳米结构,获得1.0m Ac/m2的电流密度只需要4.5V/μm的电场;对于线状Z nO纳米结构,获得1.0mAc/m 2的电流密度需要6.5V/μm的电场。由于其特殊的结构,四角状ZnO一维纳米结构在真空电子器件方面有很好的应用前景。     

含InAs自组装量子点肖特基二极管的关联放电效应

制作了含自组织量子点的金属半导体金属双肖特基势垒器件,研究了器件的电流输运特性.在量子点充放电造成的电流迟滞回路的基础上,观察到了电压扫描过程中的电流由低态到高态的跳跃现象.这种电流跳跃来源于充电量子点的关联放电效应.根据量子点系统的哈密顿量,分析了充电量子点关联放电的原因.这种关联放电效应起源于量子点与2DEG的相互作用,当一个量子点放电时通过量子点和2DEG电流的变化会影响其他的量子点,从而促使其放电,这种过程在整个系统中放大导致所有的量子点放电 关键词： 关联效应 自组装量子点     

3ω方法及其在纳米材料器件表征中的应用

阐明了3ω方法的机理，并在此基础上讨论了它的一些基本应用.利用3ω方法可以对具有优 良导热和导电能力的材料的热导率和热容进行测量；对不能导电的材料，固态的或液态的， 利用3ω方法能对它们的热导率进行测量.对测量中涉及到的热辐射问题的讨论表明，由于使 用的是小样品，热辐射造成的影响可以忽视.通过理论推导，使用二维隧穿结点阵并借助3ω 方法，可以给出一种性能良好的二维库仑阻塞测温法. 关键词： 3ω方法 热容（定压） 热导率 库仑阻塞     

纳米器件的一种新制造工艺——纳米压印术

纳米压印术可以用于大批量重复性地制备纳米图形结构。此项技术具有操作简单、分辨率高、重复性好、费时少,成本费用极低等优点。本文介绍了较早出现的软刻印术的两种方法———微接触印刷法和毛细管微模制法。详细讲述了纳米压印术(主要指热压雕版压印法)的各步工序———压模制备、压印过程和图形转移,以及用于压印的设备、纳米图案所达到的精确度等,还简述了纳米压印术的另一方法———步进-闪光压印法。最后,通过范例介绍了纳米压印术在制作电子器件、CD存储器和磁存储器、光电器件和光学器件、生物芯片和微流体器件等方面的应用。     

Stable Electron Field Emission from CeO2 Nanowires by Hydrothermal Method

CeO2 nanowires are successful synthesized by hydrothermal method and their field emission （FE） properties are investigated. The turn-on electric field is 5.8 V/μm at an emitter-anode spacing of 700μm. The FE current is stable and the current fluctuations are less than 3% over 5 h. All the plotted Fowler-Nordheim curves yield straight lines, which are in agreement with the Fowler-Nordheim theory. The relationship between the field enhancement factor β and the emitter-anode spacing d follows a universal equation. Our results imply that the CeO2 nanowires are promising materials for fabricating FE cathodes.     

集成单电子晶体管的研究动态

随着微电子器件集成度的提高，芯片上的功能元件尺寸不断减小．国外（如日本东芝公司）已建立０－１μｍ生产线，国内也正研制０－３５μｍ的集成电路．但进一步减小功能元件尺寸的更高集成度的芯片的性能将因量子涨落和散热等问题而非常不稳定，解决这些问题的出路在于选择功耗低并能抑制多种涨落的单电子晶体管．单电子晶体管因它的体积小、无引线集成和极低的操作功率等特点，其高度集成化可远远超越目前大规模集成化的极限并达到海森伯不确定原理设定的极限，是将来不可被取代的新型器件．单电子晶体管由一个量子点和两个分别与源和漏耦…     

形貌对LiFePO_4性能影响的研究进展

综述了近年来新型锂离子电池正极材料LiFePO4的研究进展。从掺杂网状结构碳、碳纳米管、碳纳米纤维以及球形、棒状和空心LiFePO4的制备几个方面,对不同形貌与结构的LiFePO4的研究现状进行了介绍与讨论。碳掺杂可有效提高LiFePO4的导电性,并抑制粒径的增大;减小材料颗粒的粒径,可以从根本上提高颗粒的比表面积,有效减小电荷的移动距离,提高参与电化学反应材料的比例;而材料的特殊形貌有助于形成导电网络,对其导电性能的提高有着十分重要的影响。综上所述,通过减小颗粒的粒径、提高比表面积、掺杂导电剂以及制备更易形成导电网络形貌的材料,是获得优良性能LiFePO4的有效方法。     

一种基于碳纳米管的随机存储器

利用碳纳米管之间范德瓦耳斯力,设计了一种基于碳纳米管的可读写的随机存储器,研究了系统的双稳性,讨论了存储器的优点和可行性,并得出系统具有良好存储效应所应满足的条件 关键词： 碳纳米管 范德瓦耳斯力 动态随机存储器     

单电子存储器

介绍了单电子存储器的发展情况和几种单电子存储器的基本特性,并将库仑阻塞效应作为存储器工作的理论基础进行了讨论。随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限,使传统存储器的发展面临困难。采用单电子存储器有望解决这个困难,它们通常具有单个量子点或者是多隧穿结结构,存储一个比特的信息只需要精确控制增加或者减少一定数目的电子就可以实现。单电子器件的工作通常只需要很少的电子甚至一个电子就可以实现,具有高速和低功耗的特点,因此可以实现信息超高密度存储。与单电子逻辑电路相比,单电子存储器更容易解决随机背景电荷涨落的问题,因此从实际应用的角度来看,单电子存储器的应用前景更为光明。