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由于器件的快速退化,101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制,发现在强电流注入的半导体激光器中,热退化具有重要影响。研究表明,用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金(如ZnMgSSe)只能对ZnSe中的电子有效地限制,无法对空穴很好地限制;而对BeTe,却只能对空穴进行有效的限制,无法对电子很好地限制。这导致ZnSe(或BeTe)活性层空穴(或电子)漏电发热,引起退化。本文提出以ZnSe/BeTe超晶格为蓝绿发光层,并用包络函数理论具体计算了阱宽、垒宽对载流子能级的不同影响,考察了ZnSe、BeTe厚度比和超晶格周期对带隙、载流子限制能力的调节。为研制新型长寿命蓝绿色半导体激光器提供了一条新的途径。 相似文献
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Be基Ⅱ-Ⅵ族宽带四元合金的晶格参数与带隙参数 总被引:1,自引:1,他引:0
分析了三元合金bowing参数的计算公式,指出Z值应当为替换原子的价电子数;通过与实验值的比较,将三元合金分为共阳离子型和共阴离子型两类;对共阳离子体系忽略库仑屏蔽作用,库仑屏蔽参数Scr取零,对共阴离子体系具有较强的屏蔽作用,Scr取0.30.用二元化合物的晶格常数、带隙参数插值计算获得了三元合金的晶格常数、带隙参数.用三元合金的晶格常数、带隙参数插值获得了四元合金的晶格常数、带隙参数,直观地给出了带隙、晶格常数与组分的关系.本文同时修正了A1-x-yBxCyD型四元合金带隙的计算公式. 相似文献
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研制了石英质射频激励等离子体活性氮源,将此氮源安装到国产FW-Ⅲ型分子束外延设备上,成功地生长了p型ZnSe∶N优质单晶薄膜.SIMS测量表明,薄膜中氮浓度高达~1.5×1020cm-3;PL测量表明,氮在ZnSe中形成了受主能级;C-V测量表明,净空穴浓度[Na]-[Nd]≈5×1017cm-3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求(~4.0×1017cm-3).C-V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证. 相似文献
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研制了石英质射频激励等离子体活性氮源 ,将此氮源安装到国产 FW- 型分子束外延设备上 ,成功地生长了 p型 Zn Se:N优质单晶薄膜 .SIMS测量表明 ,薄膜中氮浓度高达~ 1.5× 10 2 0 cm- 3;PL 测量表明 ,氮在 Zn Se中形成了受主能级 ;C- V测量表明 ,净空穴浓度 [Na]- [Nd]≈ 5× 10 1 7cm- 3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求 (~ 4.0× 10 1 7cm- 3) .C- V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证 . 相似文献
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ZnSe基激光器的退化缺陷(特别是层错缺陷)严重地影响了长寿命器件的获得.人们开始将注意力投向离子性较低的Be基化合物,希望Be的加入能有效地改善器件的性能.由于对Be基化合物的了解十分有限,本文从基本的原子参数出发,用原子轨道线性组合(LCAO)方法计算了Be-Ⅵ化合物及其他Ⅱ-Ⅵ族化合物价带的ofset.结合带隙的实验值,给出了Ⅱ-Ⅵ族化合物导带的ofset.粗略分析了Be基二元化合物用于ZnSe载流子限制的可能性.根据虚晶近似,用插值方法计算了Be基四元合金相对于ZnSe价带、导带的ofset. 相似文献
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Ⅱ-Ⅵ族宽禁带蓝绿色发光器材料的MBE研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文报道ZnSe基ⅡⅥ族宽带发光材料分子束外延系统的建立、p型掺杂用等离子体活性氮源的研制、两性掺杂的ZnSe材料的生长。实验证明国产MBE设备能够自洽生长优质ZnSe单晶薄膜;用自制的等离子体活性氮源作受主掺杂剂,获得了pZnSe单晶薄膜,经CV测量发现,[Na][Nd]高达~5×1017·cm-3;用国产粉末状ZnCl2源作施主掺杂剂,获得了nZnSe单晶薄膜,Hal测量表明[n]高达~23×1019·cm-3。生长速度均控制在~05μm/h。 相似文献
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近一段时期,除中央台的春晚及上海台等几个大台外,我们不难看到,全国各大电视台之间的晚会上,除了LED等新手段的应用外,还是LED,地方台的个性少了,地方台的文化特色没了.在千篇一律的LED的模仿使用下,在简单的、毫无创意的舞台变化下,我们悄然不知地丢失了多少具有创意的设计思想、具有创新的制作手段.多数设计师总是在思索着:LED用多大?用多少?怎么用?而其余的制作手段一概不考虑,有的甚至是不知晓.因而,单一地高科技手段模仿,何以达到一档综艺节目的“品质、品位、品格”呢?由此,不得不让人去思考:在高科技突飞猛进发展的今天,为什么人类一些最本质、最宝贵的东西却在不断地退化?而舞台高科技的发展,在给电视舞台美术带来辉煌的同时,究竟是利大于弊?还是弊大于利呢?要解答这个问题,就不得不谈到舞台材质的视觉差异及对舞台材料的正确认识和使用. 相似文献