一种基于人工神经网络的反馈式神经元数优化方法

针对纳米级Cu薄膜电阻率,基于BP神经网络模型,本文提出了一种反馈式神经网络优化方法,利用蒙特卡洛分析方法对隐含层神经元数进行了优化,并基于随机样本集进行网络训练,建立了反馈式BP神经网络的电阻率预测模型。通过100组学习样本训练后的神经网络模型,与50组测试样本进行测试,结果表明,所提方法能够实现电学参数值与金属Cu电阻率较好的非线性映射,预测结果与Marom模型相比较,最大误差不超过4%,并且训练范围外的预测结果与测试样本吻合较好,验证了该方法的精度和泛化能力,为超薄金属互连电阻率模型估算提供了重要参考。     

一种基于训练序列实现OFDM时频同步的算法

针对OFDM系统性能对同步偏差的敏感性,在基于Park算法的基础上,提出了一种基于新训练序列结构的OFDM联合定时和频率同步算法.利用新序列共轭对称的结构特点在时域中通过相关运算完成定时同步,采用平均算法来完成频率偏移估计.仿真结果表明:改进的算法对符号定时同步和频率偏移的估计比Park算法更准确.     

考虑硅通孔的三维集成电路最高层温度模型

针对三维集成电路最高层芯片,引入硅通孔面积比例因子r,提出了考虑硅通孔的温度解析模型.Matlab分析表明,在芯片堆叠层数及芯片工作状态相同的情况下,考虑硅通孔之后的芯片温度比未考虑硅通孔时要低;r越大,芯片温度越低;当芯片堆叠层数较多且r较小时,温度随着r的减小急剧上升;对于8层的三维集成电路,硅通孔面积比例因子的最佳范围为0.5%~1%.     

同轴-环形TSV电学性能

针对性能优越的同轴-环形硅通孔（Coaxial-Annular Through Silicon Via,CA-TSV）结构,提出特征阻抗、功率、时间常数及寄生参数的解析模型,研究结构参数对电学特性的影响,并通过HFSS软件对S21参数进行验证.结果表明：增加CA-TSV的内径或减小其外径可以有效减小特征阻抗,而减小其内径或增加其外径可以有效减小功率;增加CA-TSV的内径或外径可以有效减小RC等效电路的时间常数,而增大其内径或减小其外径可以有效减小RL等效电路的时间常数;增加CA-TSV的内径或外径可以有效减小电阻并且可以使电容值显著提高.     

富含树皮体和半丝质体煤的液化反应性和~(13)C-核磁共振分析的研究

通过对富含树皮体的煤和半丝质体的煤进行液化研究和结构分析,探讨其液化产品的产率与结构参数之间的关系。富含树皮体的煤的氢含量和挥发分含量均高,H/C原子比也很高。13C-核磁共振分析表明,所有用煤都以芳香族碳为主。WEST样品的芳碳率最高,LP、CG和DHB样品中CH2基团碳含量高于CH3基团碳含量,且CH2基团碳含量高于其他三个样品。而P858样品中CH3基团碳含量高于CH2基团碳含量。液化结果表明,LP、CG和DHB有高的液化转化率和油收率。煤液化的油收率和煤结构中的CH2基团碳含量以及转化率和煤的芳碳率之间都存在明显的相关关系。因此,13C-核磁共振技术可以用来预测煤液化产品的收率。     

径向声子晶体隔声特性*

该文构造了由两种匀质材料交替分布的径向声子晶体柱壳模型。首先,针对声波在其中的轴对称传播情况进行了理论分析,建立了声波由内向外传播的传递矩阵,进而导出了声压透射系数和隔声量表达式。采用数值分析的方法系统地讨论了径向声子晶体柱壳的隔声特性,并与单一材质柱壳的传播规律进行对比分析,其次,借助有限元仿真分析的手段对数值结果进行了验证。最后,详细分析了内外流体的特性阻抗对径向声子晶体柱壳隔声特性的影响,得到了相应的参数影响规律。研究表明,径向声子晶体柱壳存在声波带隙,导致其在带隙范围内的隔声效果远远优于单材质柱壳,并且该结构的固有特性突破了质量定律的限制;声波带隙内表面局域态现象出现与否由内外声场和结构场共同决定。     

基于COMSOL的TSV电感多物理场耦合特性研究

基于硅通孔(TSV)技术,提出了应用于三维集成电路的三维螺旋电感.在实际应用中,TSV电感存在电场、温度场和力场之间的相互耦合,最终会影响TSV电感的实际电学性能.考虑P型和N型两种硅衬底材料,采用COMSOL仿真软件,对TSV电感进行多物理场耦合研究.结果表明,在P型硅衬底情况下,多物理场耦合的影响更大,TSV电感的...     

三维单芯片多处理器温度特性

给出热阻矩阵的表达式,研究三维单芯片多处理器(3D CMP,three-dimensional chip-multiprocessor)的温度特性,通过Matlab分析热容、热阻和功耗对温度的影响.结果表明:减小热阻和功耗可以有效约束3D-CMP的稳态温度;热容增大可以导致3D-CMP温度上升时间变长,但不影响其最终稳态温度.     

应用于三维IC的积累型NMOS变容二极管

基于TSV技术,提出了一种应用于三维集成电路的积累型NMOS变容二极管.通过与传统积累型NMOS变容二极管对比,证明了基于TSV的积累型NMOS变容二极管具有电容密度大、集成度高的优点.分析了 TSV高度、TSV直径、源区和漏区结深、源区和漏区宽度对所提出变容二极管性能的影响.结果表明,通过增加TSV高度或增大TSV直...