低阻VDMOSFET的优化设计与制造

文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%。最后对研制结果进行了分析讨论。     

方口径多模喇叭

关于方口径多模喇叭,已有很多文章进行过研究,特别是文章[1]进行过详细的分析、计算。本文与从前的一些分析文章不同之处在于考虑喇叭中传输的各种模式的波阻抗及场强归一化系数的不同,得出同时包含电场边界条件与磁场边界条件的平均模转换系数,同时,在具体计算模转换系数时,用菲涅尔函数代替数值积分,在精度上与数值积分相同,但可显著提高计算速度。这样,在喇叭的设计中,综合喇叭口径模比就很方便。最后,导出考虑各截面的反射时的代数方程组。     

单场限环结构的表面电场分布及环间距的优化

基于横向扩散与纵向扩散构成的冶金结边界为椭圆形这一特点,讨论单场限环结构表面电场强度的分布,给出表面电场强度、主结及环结分担电压的解析表达式。在纵向结深和掺杂浓度一定的条件下,根据临界电场击穿理论,讨论环间距的优化设计方法。单场限环结构主结环结间表面电场强度的绝对值曲线近似呈抛物线,最大电场位于主结处。随着环间距的增大,最大电场变大;随着横向扩散深度的增大,最大电场变小。环右侧最大电场也出现在结处,随着环间距和横向扩散深度的增加,最大电场均减小。在场限环结构中,当主结和环结在表面处的最大电场强度均等于临界电场强度时,击穿电压达到最大值,此时所对应的环间距为最佳环间距。     

回线天线(Ⅱ)

<正> 四、回线式富兰克林天线图4.1为廻线式富兰克林天线,天线两臂中部绕几个弯,形成廻线。我们首先分析廻线部分,把廻线上电流分解成辐射电流和传输电流两部分,如图4.2所示。     

低压VDMOSFET''Ron的最佳比例设计研究

文章以正方形单胞为例，较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系，重点讨论了N沟道VDMOSFET的P体扩散区结深Xjp-和栅氧化物厚度Tox对器件特征导通电阻RonA的影响。首次给出了多晶硅窗口区尺寸PW和多晶区尺寸PT的最佳化设计比例PW／PT与Xjp-和Tox的关系，最后阐述了器件的最佳化设计思想。     

VDMOSFET特征导通电阻的数学模型

对六角形单胞VDMOSFET的特征导通电阻建立了一种新的数学模型一等效截面模型。给出了特征导通电阻与器件的横向、纵向结构参数的关系，并将计算结果与常规模型和实际测量值进行了比较，与实验结果符合得很好。     

辛几何算法在特殊Chaplygin系统中的应用研究

采用辛几何算法对广义力具有广义势的特殊Chaplygin系统的动力学性质进行数值研究,并和传统的Runge-Kutta算法进行比较,得出辛几何算法在这类非完整力学系统的计算中具有优越性. 关键词： 辛几何算法 Chaplygin系统 Helmholtz条件     

用于铜互连技术的前瞻性生产系统——Atotech（安美特）公司的Everplate生产系统

安美特(Atotech)是全球领先的电镀化学品、设备及工艺供应商。为GMF(装饰性及功能性电镀)、PCB(印刷电路板)及Semiconductor(半导体)行业提供性能卓越的产品。本文将介绍安美特专门针对集成电路制造行业中先进的铜互连工艺而研发的Everplate电镀系统。     

回线天线(Ⅰ)

<正> 前言在线天线中,为了改善天线匹配,缩短天臂长度,或简化馈电形式和提高天线的增益,常常把天线全部或局部做成廻线的形式,例如各种折合振子,廻线式富兰克林天线等等。我们把这种天线统称为廻线式天线。在线天线中廻线天线占有重要位置,得到广泛应用。分析这种天线时除了需要应用天线技术以外还需借助廻路分析技术,两者结合起来形成一种特殊的分析方法。本文的目的不是提供或介绍这种夭线的新成果,而是介绍这种天线和廻路相结合的分析方法,为读者提供研究廻线天线的必要的理论知识。     

螺旋多模自跟踪天线

本文分析了一种能在较低频段实现高增益、宽频带要求的螺旋多模自跟踪天线。文章前半部分,简述了螺旋多模自跟踪天线的原理,并以行波“电流环”的辐射为基础,推导了螺旋馈源的抛物面天线辐射场及其轴向和增益、差斜率的表达式,计算了它们理论上可能达到的指标。文章的后半部分,以实验馈源的测试数据为基础,推导了抛物面天线的辐射场及其轴向和增益、差斜率的表达式,计算了这种自跟踪天线实际上所达到的指标,并将它们与某些园喇叭馈源的抛物面自跟踪天线的相应指标做了比较。