ESG看Dell收购3PAR

近日,Dell宣布以高出市场86%的价位,以11.5亿美元现金收购公共存储供应商3PAR。这是继EqualLogic收购后,Dell为完善其存储产品线投下的另一笔重金。此举为Dell成为主流存储厂商,提供低、中、高存储端完整产品线打下了根基。此次收购,强化了Dell全面进军存储市场的战略优势。     

2011存储热点系列-集群 NAS

据相关调查显示,中国 NAS 市场在整个存储市场的份额远远低于全球平均水平.目前,中国 NAS 的市场份额占整个存储市场的比率不到10%,相对全球 NAS 占存储市场比率20%、北美 NAS 占存储市场 26%,这一数字显然低很多.从过去几年市场历史数据来看,中国 NAS 的增长严重滞后于全球平均水平.     

碲锌镉晶体VGF法生长温场的梯度区高度设计研究北大核心CSCD

本文对不同梯度区高度的VGF法温场生长碲锌镉(CdZnTe)晶体过程进行了稳态和非稳态仿真模拟分析。研究发现,晶体生长等径初期界面凸度随着梯度区高度的增加而减小;等径末期界面凸度受梯度区高度的影响不大;界面的凸度与固液界面温度梯度变化率正相关。非稳态模拟结果显示,现有变温条件下,晶体生长过程中固液界面凸度存在先增大后减小的趋势,趋势转变点接近梯度区高度中点;界面形状的变化趋势受固液界面上生长速度分布直接影响;对比而言,10 cm高的梯度区更容易实现前中期固液界面凸界面的获得,利于形成高单晶率CdZnTe晶体。     

基于MBE替代硅衬底的材料综述

主要介绍了几种用MBE技术生长HgCdTe/CdTe的Si衬底的替代性衬底材料的基本参数,以及不同材料的最新生长过程及结果,和对它们的生长结果的比较分析,以此来选择较为适合替代Si衬底来生长HgCdTe/CdTe的衬底。本文通过一系列的对比,得出目前最有发展前景的替代衬底是GaSb衬底,是未来发展的方向。     

基于正交设计的Si基复合衬底优化工艺试验

在正交设计的基础上,通过一系列工艺测试实验,研究了MEE外延温度、MEE退火温度、CdTe外延温度、CdTe退火温度对Si基复合衬底的两个关键质量因素FWHM和表面粗糙度的影响。通过统计技术对测得的实验数据进行了方差分析,结果表明,CdTe退火温度是影响FWHM的关键因子,MEE退火温度和CdTe外延温度对Ra值来说影响是显著的。通过该系列实验得到最优的外延工艺条件。     

面向无机材料专业的案例式分析化学教学探索与实践

化学分析在建筑材料试验检测中发挥着重要的作用,因此学好分析化学对无机非金属材料工程专业的学生来讲十分必要。本文探索了面向无机非金属材料工程专业的案例式分析化学教学模式,将化学分析在建筑材料试验检测中的应用案例融入课程中,促进专业基础课程和专业的有效衔接;通过采取对比法和联想法等多种教学设计,引导学生积极参与到课程中来,加深学生对理论知识的理解,增强学生对分析化学在本专业中实用性和必要性的认识,做到因材施教和因需施教。     

自由立体显示器的光学性能测量与研究

为了评价自由立体显示器的光学性能,以八视点狭缝光栅自由立体显示器为例,针对不同的视点图像,测量了不同视角下的亮度值与色度值,研究自由立体显示器的光学性能,其光学性能包括自由立体显示器的最佳观看位置、串扰、可视范围、亮度均匀性、色度均匀性和莫尔条纹。结果表明,这种测量及分析方法实现了对多视点立体显示器光学性能的定量评估,增强了评估立体显示器性能的客观性,对自由立体显示器的设计具有指导意义。     

输电线路中的智能识别技术应用

基于案例项目,阐述输电线路智能识别在电力系统中的应用,技术方案、制定机巡输电图像缺陷样本标准、巡数据的输电线路智能缺陷识别算法、图像数据智能处理。     

MBE外延InSb基CdTe工艺研究

成功制备了CdTe/InSb复合衬底,为长波HgCdTe外延提供了可能。通过工艺研究解决了InSb氧化层去除及In元素扩散控制两个难点问题,使用As钝化法可以解决双腔衬底转移的问题,在常用的退火工艺下,通过厚度的调整可以阻挡In元素的扩散。     

光诱导下卟啉蒽醌化合物分子内电子转移过程的研究(Ⅱ)──顺磁共振法

用ESR研究了几种新型叶啉蒽醌化合物低温下光诱导产生分子内电子转移产物P+－AQ-自由基对．对比研究了不同卟啉配体、金属卟啉、有机碱轴向配位和溶剂对电子转移的影响．