国产VCD警钟响起

据资料显示,我国目前生产VCD机的企业已达到400家,年生产量由1995年的60万台,猛增到1997年的1000万台。VCD行业的高速发展,进一步繁荣了我国的电子音响市场,也使许多企业在短期内取得了较好的经济效益。然而,由于许多人患上了投资“短视症”,死死盯住市场上一时热销的产品,不惜血本铺摊子,甚至许多不太景气的     

基于微信小程序的党员积分管理系统开发

针对高校基层党组织中具有双重身份的教师党员重业务、轻党性等问题,开发了一个基于微信小程序的党员积分管理系统。系统针对普通党员、支部管理员以及二级党委管理员三种角色分别设计并开发了其相对应的功能模块。其中,积分管理办法由各支部自主设定,普通党员通过参加活动及积分申报来获取积分,支部管理员可实时查看积分项目并进行审核。结果表明,系统运行稳定可靠,通过党员积分排名,量化考评,规范党建管理工作流程,从而实现“小”积分,“大”促进。     

Banach空间上泛函微分方程的渐近性

§ 1　IntroductionIn the last few years,invariant sets and attractors of (functional) differentialequations have been extensively discussed and various interesting results on the invariantsets and attractors,and estimates on the basin of attraction have been reported(see,forinstance,[1 ,2 ,4,6,1 0 ,1 3 ,1 5,1 8] ) .However,not much hasbeen developed in the directionof giving criteria on the existence of invariant sets and attractors for the functionaldifferential equations even though there ar…     

基于改进YOLOv5的无人机检测方法

针对小尺寸无人机目标检测精度低,且深层网络的参数量大、内存占用高等问题,提出一种基于改进YOLOv5的无人机检测方法。首先,调整了YOLOv5多尺度预测层的个数,裁剪掉冗余网络层,有效减少网络参数量,提高无人机检测速度;其次,通过在特征提取阶段引入多个不同采样率的空洞卷积,增强小目标的多尺度细节特征提取能力;最后,在多尺度特征融合阶段引入注意力机制,将深层特征进行通道加权后再与浅层特征进行高效融合,增强小目标特征表达能力。实验表明,改进的YOLOv5模型在自制数据集上mAP达到了99.02%,对于小尺寸的无人机目标,具有更好的检测效果。相较于改进前网络,检测速度提高了10.3%,内存开销节约了65%,降低了对设备计算和存储能力的要求,更加有利于无人机检测系统的工程部署和实际应用。     

一类时滞偏微分方程的不变集和吸引性

讨论了一类时滞偏微分方程的Cauchy问题，利用该问题解的积分表达式和适当的分析技巧，得到了其不变集，吸引集和吸引盆一些新的充分条件．     

一个几何概念──长度伸缩率

本文对一元函数在一点处导数绝对值的几何意义进行了讨论，指出在极限的意义下它实际上是映射在一点局部的一种长度的伸缩率。     

半导体激光器阵列隔离槽的湿法腐蚀

研究了几种腐蚀液对半导体激光器阵列外延材料的腐蚀过程,其中HF(40 %) /CrO3 (33wt%)腐蚀液比较适合,用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析,并给出了利用这种腐蚀液进行腐蚀的半导体激光器阵列隔离槽的图像.通过调节HF/CrO3 腐蚀液的体积比(从0 0 2到0 2 ) ,确定了AlxGa1-xAs组分渐变材料的腐蚀条件(室温2 3℃,腐蚀时间4min)以及最佳配比(体积比为0 1) .利用这种腐蚀液得到的腐蚀图形可以满足激光器阵列的要求.     

高压BCD工艺优化对NLDMOS管的性能影响

基于SMIC 0.18 μm HVBCD工艺,移除了3层掩模板。调整器件的结构参数,对横向双扩散MOS管(NLDMOS)进行了分批流片。该NLDMOS通过了电学性能合格测试。对源漏击穿电压BVds、比导通电阻Ron进行了测试和分析。结果表明,BVds达到59.2 V,Ron为50.5 mΩ·mm²。与原有的HVBCD工艺的电参数保持一致。该NLDMOS的栅极耐压值达到40 V,同时降低了成本,缩短了生产周期。     

940nm20％占空比InGaAs／AIGaAs大功率LD线阵

采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术，制作了AlGaAs/InGaAs/GaAs大功率20％占空比半导体激光器。采用良好的封装方式，激光器直接封装在高效导热载体上，对载体水冷散热，在脉冲频率500Hz，脉冲宽度400μs下，驱动电流105A时输出功率高达90.6W，最高电一光转换效率42.3％，斜率效率0.94W/A。器件中心激射波长941.8nm，光谱半高全宽3.3nm。     

应用晶片键合技术制作激光器

针对于普通外延生长GaAs衬底激光器材料中存在的位错严重、热胀系数不匹配等问题,总结了国外键合工艺,将其应用于发光波长为850nm的AlGaAs脊波导量子阱激光器的制造,并提出了键合过程中各项关键步骤应注意的问题和解决方法.