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本文分为两个部分:基于中继择优选择,分析选择多个中继情况下系统的中断概率;考虑系统延时,仅仅对双中继协同系统、单中继协同ARQ系统和双中继协同ARQ系统的吞吐量进行比较。理论分析和仿真结果说明,协同系统最优中继选择个数越多,系统中断概率就越小;选择单个中继和两个中继的协同ARQ系统的吞吐量,无论高信噪比还是低信噪比情况下,都明显优于非ARQ协同系统。 相似文献
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Comparisons are performed to study the drive current of accumulation-mode(AM) p-channel wrap-gated Fin-FETs.The drive current of the AM p-channel FET is 15%-26%larger than that of the inversion-mode (IM) p-channel FET with the same wrap-gated fin channel,because of the body current component in the AM FET, which becomes less dominative as the gate overdrive becomes larger.The drive currents of the AM p-channel wrap-gated Fin-FETs are 50%larger than those of the AM p-channel planar FETs,which arises from effective conducting surface broadening and volume accumulation in the AM wrap-gated Fin-FETs.The effective conducting surface broadening is due to wrap-gate-induced multi-surface conduction,while the volume accumulation,namely the majority carrier concentration anywhere in the fin cross section exceeding the fin doping density,is due to the coupling of electric fields from different parts of the wrap gate.Moreover,for AM p-channel wrap-gated Fin-FETs, the current in channel along <110> is larger than that in channel along <100>,which arises from the surface mobility difference due to different transport directions and surface orientations.That is more obvious as the gate overdrive becomes larger,when the surface current component plays a more dominative role in the total current. 相似文献
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以N,N'-二(3-吡啶基)-吡啶-3,5-二甲酰胺(bppdca)和2-巯乙酸基烟酸(L)为混合配体,利用水热合成方法获得了一个二维的Co(Ⅱ)配位聚合物:{[Co(bppdca)(L)]·3H2O}n,并通过元素分析、IR和单晶X射线衍射等技术手段确定了其结构。该配合物分子式为C25H24N6O9SCo,单斜晶系,P21/c空间群,a=1.07419(9) nm,b=0.86166(6) nm,c=2.9853(2) nm,β=96.772(1)°,Z=4,V=2.743 9(4) nm3,Mr=643.49,Dc=1.558 g/cm3,F(000)=1324,μ=0.766 mm-1,S=1.051,R=0.0406,wR=0.1160。 晶体结构分析表明,配合物中的CoⅡ与来自2个bppdca配体的2个N原子、1个L阴离子的单齿羧基O原子和S原子以及来自另一个L阴离子的一个羧基中的2个O原子配位形成八面体配位构型。 相邻的CoⅡ通过L阴离子连接成一维螺旋链[Co(L)]n,相邻的左、右螺旋链通过成对的bppdca配体拓展成二维配位网络。 最终,相互平行的二维网络通过氢键作用拓展成三维超分子框架。 另外,还研究了该化合物的热稳定性、电化学性质、荧光性质以及选择性光催化性质。CCDC: 1010786 相似文献
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通过比较,研究了积累模式p沟道围栅Fin-FET的驱动电流。积累模式p沟道围栅Fin-FET的驱动电流比具有同样结构的反型模式p沟道Fin-FET的驱动电流大15% ~ 26%,这是因为前者存在体输运,但随着栅极偏压的增大体输运电流的比重逐渐减小。积累模式p沟道围栅Fin-FET的驱动电流比积累模式p沟道平面FET的驱动电流大50%,这起因于前者有效输运表面的展宽和体积累。其中有效输运表面展宽源于围栅结构感应的多表面输运,而体积累(即Fin截面中任何位置的多子浓度超过了掺杂浓度)源于围栅结构不同方向上电场的耦合。另外,对于积累模式p沟道围栅Fin-FET,由于不同输运方向和输运表面迁移率的差别,沟道沿<110>方向比沿<100>方向有较大的驱动电流,这在较大的栅极偏压使表面输运电流在总电流中占主导时变得更为明显。 相似文献
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Si纳米线场效应晶体管研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
从Si纳米线场效应晶体管(SiNWFET)的结构原理、Si纳米线的制作工艺以及器件电学性能的改善措施三个方面介绍了SiNWFET的研究进展。通过分析SiNWFET的漏极电压对沟道电势的影响,表明SiNWFET自身的细沟道和围栅结构对于改善亚阈值特性和抑制短沟道效应起着关键作用。针对Si纳米线的制备,介绍了光刻、刻蚀与热氧化等自上而下的方法和气-液-固生长这种自下而上的方法。分析了SiNWFET的电学性能,探讨了为改善电学性能而进行的器件结构和工艺的改进,包括选择沟道取向,采用多条纳米线、应变纳米线或新材料作为沟道以及减小源-漏接触电阻等措施。最后对SiNWFET所面临的挑战和前景作了展望。 相似文献
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随着高压开关和高速射频电路的发展,增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为该领域内的研究热点。增强型GaN基HEMT只有在加正栅压才有工作电流,可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的应用。近年来,国内外对增强型GaN基HEMT阈值电压的研究主要集中以下两个方面:在材料生长方面,通过生长薄势垒、降低Al组分、生长无极化电荷的AlGaN/GaN异质材料、生长InGaN或p-GaN盖帽层,来控制二维电子气浓度;在器件工艺方面,采用高功函数金属、MIS结构、刻蚀凹栅、F基等离子体处理,来控制表面电势,影响二维电子气浓度。从影响器件阈值电压的相关因素出发,探讨了实现和优化增强型GaN基HEMT的各种工艺方法和发展方向。 相似文献
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