PZT-BF-MCX系压电陶瓷的烧结和电性能

研究了Pb(Cu_(1/3)Nb_(2/3))O_3(简为PCN)、Pb(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3(简为PCW)、 Sr(Cu_(1/3)Nb_(2/3))O_3(简为SCN)、Sr(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3(简为SCW)、Ba(Cu_(1/3)Nb_(2/3))O_3(简为BCN)及Ba(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3(简为BCW)第四组元(简为MCX)对低温烧结的PZT-BF-MCX(其中PZT为Pb(ZrTi)O_3,BF为BiFeO_3)系压电陶瓷的烧结和电性能的影响。发现PCW的降温效果最好,BCN的综合改性效果最佳。所获得的最佳配方可在950℃下烧成,其主要性能已达到或接近我国医用超声压电陶瓷材料专业标准(ZBC《医用超声压电陶瓷材料》(送审稿),1990年12月广州会议通过)中规定的发射型材料要求。     

低温烧结的PZT-BF-BCW系压电陶瓷

通过对锆钛酸铅(PZT)-铁酸铋(BF)-钨铜酸钡(BCW)系压电陶瓷的低温烧结特性及组成对烧结温度、性能的影响的研究,获得了烧结温度低(935℃,0.5 h)且性能优良的配方:0.92PZT·0.05BF·0.03BCW+0.08wt％CuO,其K_p为47％,Q_m为950,ε_(33)~T/ε_0为850。并应用XRD、SEM和DTA等手段探讨了该系统瓷体的相组成和低温烧结机理。     

铁电陶瓷的极化运动学模型

铁电陶瓷中两种机电耦合效应的相互关系及机理是一个引入注目的研究课题。本文从经典的固有偶极子取向极化模型出发，考虑固有偶极子取向时的弛豫现象，提出了在恒外力作用下的运动学模型，由此得到了在一定条件下铁电陶瓷中两种机电耦合效应的关系，起因和作用范围。     

中低温烧结低频独石电容器瓷料

本文引用大量的文献,介绍了近年来对中、低温烧结低频独石电容器瓷料方面的研究概况。目前,已研制出来的瓷料大致可分为含铋层结构化合物,玻璃-陶瓷,PLZT介质和含铅的复合钙钛矿化合物四类。     

固体介质电偶极子等温衰减电流与激活能分布

从经典的单一弛豫时间Debye方程着手,考虑各个弛豫时间的电偶极子对弛豫过程贡献的物理意义后,近似地获得了以任意激活能分布的电偶极子数与等温衰减电流的基本关系,即电偶极子激活能分布密度与电流I和衰减时间t的乘积成正比.数值计算结果检验该理论时表明:无论以分立或连续分布形式存在的电偶极子,精确的与近似的It-logt关系符合得相当好.该理论解决了长期以来电介质中弛豫时间分布非常难得的问题,应用于介电频谱时得到了Hamon早年提出的广泛应用的经验公式的相似结果.     

PFN基瓷料居里点调节机制及二次合成技术

从瓷料配方设计的角度出发,讨论了PFN基独石电容瓷料的居里点调节机制,并列举出常用的移动剂。同时介绍PFN的一次高温煅烧及二次煅烧合成技术对钙钛矿相形成的影响。二次合成技术是提高PFN基瓷料性能的关键工艺之一。     

钡铜钨离子在PFN-BCW系瓷料中的作用

通过Ba~(2+)、Cu~(2+)、W~(6+)离子对PFN的A位或B位取代试验,研究了BCW在PFN-BCW二元系中的作用。Ba~(2+)离子的A位取代能显著降低系统的Tc,且展峰作用明显。少量Cu~(2+)离子的添加能显著降低PFN的烧结温度。Cu~(2+)、W~(6+)离子的复合B位取代能提高Cu~(2+)在PFN中的固溶量,减少焦绿石相的形成,有利于系统的低温烧结和改性。     

过量PbO对PFN-BCW系陶瓷烧结及介电性能的影响

Pb(Fe_(1/2)Nb_(1/2))O_3-Ba(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3系固溶体中添加过量PbO可使该系统在680℃左右出现液相,起到促进烧结的作用。添加适量(0.5wt%)的过量PbO可降低烧结温度20～30℃,在880℃保温2h烧结时,可得到无明显玻璃相存在的结构致密的细晶陶瓷,其主要性能满足EIA标准中的Y5U组要求,适宜于采用全银内电极制造多层陶瓷电容器。