Tensilica-CSIP成立联合实验室,力助中国企业应用

“信息产业部软件与集成电路促进中心(CSIP)-Tensilica联合实验室”日前在北京正式成立,信息产业部电子信息产品司副司长丁文武、CSIP负责人邱善勤博士及美国Tensilica公司CEOChrisRowen出席签约仪式。CSIP与Tensilica公司此次共建的处理器内核联合实验室将本着更好的服务于中国自主创新的IC企业,满足IC行业日益扩大的技术复用需求的理念,为我国集成电路企业在IP验证服务,特别是SoC架构支持等方面提供良好的设计服务与支撑环境,提升中国I C设计业的SoC设计及应用水平,促进中国集成电路产业发展。合作双方将依托实验室为广大企…     

晶体管工作状态对SiGe带通滤波器的影响研究

采用SiGe异质结双极晶体管,设计了一种具有回转结构的带通跨导-电容滤波器.使用ADS软件进行电路图的仿真分析.研究镜像电流源的集电极电阻R对该滤波器中心频率、输出增益及功耗的影响.分析结果表明,镜像电流源集电极电阻R的调节可以控制镜像电流源的晶体管工作状态和回转电路的偏置电流.因此,要获得更高的中心频率,镜像电流源中直接给跨导单元提供电流的晶体管不用按常规工作在放大区而可以工作在饱和区.对滤波器输出增益和功耗的进一步分析结果表明,以上晶体管工作在饱和区不仅可以提高滤波器的工作频率,还可以提高滤波器的输出增益,但是也会同时增加滤波器的功耗.     

共沉淀法制备不球磨稀土磷酸盐绿色荧光粉研究

报道了共沉淀法制备LaPO4:Ce,Tb绿色荧光粉的工艺。运用热分析仪，X射线衍射仪，光谱仪和激光粒度仪对其差热、结构、发射光谱和粒度进行了研究。结果表明：该法制得的LaPO4:Ce,Tb绿色荧光粉灼烧温度低，无杂相，颗粒适中，不需球磨可直拉用于涂管。     

新型光敏剂竹红菌甲素的强激光效应及电子激发态特性

有机功能分子在开发新型光电子材料和光动力疗法(PDT)光敏剂方面是一个重要的研究热点;竹红菌甲素(HA)分子属于激发态质子转移(ESIPT)型分子,具有丰富的激发态特性,且反应速度快,在新型激光染料和新型光电器件方面有一定的应用前景。观察了竹红菌甲素分子的激射现象,其发射激光的范围在620~800 nm;并利用激射效应的特点为强激光条件下的质子转移提供了进一步的依据。利用瞬态光栅技术研究了竹红菌甲素的电子激发态特性,把其瞬态光栅的超快过程归结为竹红菌甲素质子转移形成的过渡态TS*的衰减,并得出过渡态TS*瞬态光栅的寿命为10.5 ps。     

地面装备电源变换系统高低压线缆串扰仿真研究

电源变换系统中功率器件如MOSFET和IGBT开关管的高速切换将产生高幅值和宽频段的电磁干扰,是电动车辆最为常见也无法避免的电磁干扰源。同时,互连线缆是机电设备传递信号和能量的载体,是实现设备功能不可或缺的组成部分,线缆的天线效应使其成为设备产生电磁干扰的主要途径,是系统电磁兼容问题的主要根源之一。为了分析高压电源变换系统对低压控制系统的电磁耦合,以某典型地面装备电源变换系统IGBT开关管产生的脉冲宽度调制波（PWM波）作为电磁干扰源,以实装线缆作为分析对象,构建高低压线缆串扰模型,仿真分析不同线缆对地距离、线缆间距条件下单线、屏蔽线、双绞线等多类低压线缆的近端串扰电压,得出低压线缆的抗干扰性,为系统线缆的布线提供指导。     

电磁脉冲对数字信号处理器的干扰及其防护

为寻找有效的电磁脉冲防护加固措施,首先对电磁脉冲模拟器的干扰路径进行分析,包括数字信号处理器（DSP）与放电回路的共地耦合干扰及共网电耦合干扰,并将结构优化设计、硬件屏蔽加固措施与设置软件陷阱、开启看门狗等抗干扰措施相结合,对数字信号处理器（DSP）内核工作电压、输入/输出（I/O）端口以及显示屏等进行了干扰测试。实验结果表明,采用硬件与软件相结合的防护加固技术后,DSP主板的内核工作电压及I/O端口的干扰脉冲幅值减小,且干扰持续时间由2 s减少到400 ns,干扰脉冲获得了有效抑制。     

硅基二氧化钒相变薄膜电学特性研究

本文以原子层沉积超薄氧化铝(Al₂ O₃)为过渡层, 采用射频反应磁控溅射法在硅半导体基片上制备了颗粒致密并具有(011)择优取向的二氧化钒(VO₂)薄膜. 该薄膜具有显著的绝缘体–金属相变特性, 相变电阻变化超过3 个数量级, 热滞回线宽度约为6℃. 基于VO₂薄膜构建了平面二端器件并测试了不同温度下I-V曲线, 观测到超过2个数量级的电流跃迁幅度, 显示了优越的电致相变特性. 室温下电致相变阈值电压为8.6 V, 电致相变弛豫电压宽度约0.1 V. 随着温度升高到60℃, 其电致相变所需要的阈值电压减小到2.7 V. 本实验制备的VO₂薄膜在光电存储、开关、太赫兹调控器件中具有广泛的应用价值.     

Cantor集上双Lipschitz自同构的最佳Lipschitz常数

设Cr=（rCr）U（rCr＋1-r）为自相似集,其中r∈（0,1/2）,设Aut（Cr）为Cr上的所有双Lipschitz自同构组成的集合.证明了存在.f^＊∈Aut（Cr）,使得blip（f^＊）=inf{blip（f）〉1：f∈Aut（Cr）}=min[1/r,（1-2r^3-r^4）/（（1-2r）（1＋r＋r^2））],其中lip（g）=sup x,y∈Crx≠y（｜g（x）-g（y）｜）/（｜x-y｜）,且blip（g）=max（lip（g）,lip（g^-1））.     

The photoresponse and photoconductivity of micron-sized C60 whiskers and sub-millimeter-sized C60 clusters

The photoresponse and photoconductivity properties of micron-sized C60whiskers and sub-millimeter-sized C60clusters are successfully studied by the microfabrication technologies.According to the ultraviolet-visible-near infrared（UVVis-NIR）absorption spectroscopic study,a highly intense absorption is observed in the UV and visible light regions,which indicates probable applications in photoelectric devices.Furthermore,a large photocurrent is measured under the illumination of white light in nitrogen（N2）atmosphere.The micron-sized C60whiskers and the sub-millimeter-sized C60clusters have different photoresponse curves under the same condition of measurement.A quick transformation of photoelectric response is detected in parallel multi-arranged micron-sized C60whiskers,but the recovery of the photocurrent of self-assembly sub-millimeter-sized C60clusters is much slower.     

Fabrication of high aspect ratio gratings for X-ray imaging

Grating-based X-ray imaging system is an important tool to investigate the inner structure of thick samples. The key components of the system consist of three golden gratings. The high aspect ratio gratings are fabricated using the SU-8 material. Considering the grating linewidth broadening varies with exposure dose, the relationship between linewidth broadening and exposure dose is studied experimentally. A series of gratings with different periods and different duty cycles are designed by optimizing the linewidth and exposure dose. Finally, the gratings are successfully fabricated by combining UV lithography and electroplating.