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降低表面电场原理可大大提高LDMOST的器件性能。本文详细研究了用RESURF原理设计的LDMOST的开态电阻与击穿电压的理论分析模型,并根据这一模型对RESURF LDMOST的优化设计深入的讨论。最后评价了高压RESURF LDMOST在保持器件耐压不变时降低其开态电阻的几种方法。 相似文献
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CCD与CMOS图像传感器特点比较 总被引:17,自引:0,他引:17
简要介绍了CCD(电荷耦合器件)与CMOS图像传感器的结构,并对二者的性能特点进行了比较,指出二者在未来的发展中不会出现谁消灭谁的结局. 相似文献
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采用化学原位氧化聚合法制备了导电聚合物3,4-聚乙烯二氧噻吩(PEDT)薄膜。系统研究了不同工艺条件对聚合物电导率的影响。发现单体与氧化剂体积比为1∶4、溶剂含量90%(体积分数)、加入聚合改良剂0.5%(体积分数)、反应温度–5℃时可以获得较高电导率(>20S/cm)薄膜。首次结合元素分析法,研究了工艺条件对聚合物相对分子质量的影响,结果表明,聚合温度25℃,ψ(单体:氧化剂:聚合改良剂)=1∶4∶2的条件下,所合成的PEDT可获得最大平均相对分子质量(1068)和聚合度(7.6),并对相应的机理进行了探讨。 相似文献