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首次对600 V平面型内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)、PT-IGBT和FS-IGBT通态电压与关断能耗之间的折中曲线进行了仿真分析和比较.ITC-IGBT是在PT-IGBT结构中的p+型衬底与n型缓冲层之间加入一层厚度很薄、掺杂浓度低于p+衬底的p型内透明集电区,并且在集电区之内、集电结附近设置具有很低过剩载流子寿命的载流子局域寿命控制层,从而实现透明集电极的效果.仿真结果表明,ITC-IGBT具有优良的综合性能,采用缓冲层浓度最优值的ITC-IGBT的折中曲线明显优于PT-IGBT与FS-IGBT.说明ITC-IGBT结构不仅能解决现有透明集电极IGBT超薄片加工工艺难度大的问题,还为进一步改善IGBT器件综合性能提供了新途径. 相似文献
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如今,对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂,特别是在高压大电流领域,这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范嘲内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了专门优化,以便适应不同种类的IGBT,其应用范围可以达到150A-3600A,1200V-6500V,并且可以为用户的专门用途进行预置。 相似文献
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如今,对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂,特别是在高压大电流领域。这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范围内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了专门优化,以便适应不同种类的JGBT,其应用范围可以达到150A-3600A,1200V-6500V,并且可以为用户的专门用途进行预置。 相似文献
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