根据概率分布建立有源器件的统计模型

给出一种新的统计模型的建立方法。在有源器件物理模型的基础上，通过优化物理模型参数的均值和均方根，使所建立统计模型的Ｓ参数在各个频率上的概率分布逼近测量数据的概率分布。从建立微波ＭＥＳＦＥＴ统计模型的算例结果看出，本方法不仅能比较好地拟合样本Ｓ参数的概率分布，而且提高了计算效率。     

应用一种组合优化算法提取场效应模型参数

提出一种将模拟退火法与基于主成份灵敏度分析的空间坐标变换相结合的优化算法，用以精确提取微波场效应管小信号等效电路参数。     

一种改进的微波MESFET模拟器

本文介绍一种改进的基于器件物理参数的微波ＭＥＳＦＥＴ模拟器，它不仅可以模拟器件物理参数变化对ＭＥＳＦＥＴ特性（如等效电路元件、Ｓ参数、电流－电压特性）的影响，而且亦可以模拟ＭＥＳＦＥＴ特性随温度变化的情况。     

微波场效应管Ⅰ—Ⅴ特性模型研究

本文对微波场效应管Ⅰ—Ⅴ特性模型进行了研究,分析比较了八种常用模型的优缺点,它可为微波电路的设计提供一个实用的参考依据.在模型参数提取中,我们采用了一种新算法,先应用一个基于主成份灵敏度分析的空间坐标变换,然后采用Levenberg-Marquardt算法进行优化拟合.实际计算表明,此法能够快速、精确地提取模型参数.     

考虑速度过冲效应的HEMT物理模型

本文提出了一种考虑这冲效应的ＨＥＭＴ器件静态和小信号解析物理模型。通过对栅极下面道中造近源端附近的电场采用弱强梯场近似，提出了一个半经验的速度过冲模型，在非线性电荷控制模型的基础上述导出了基于物理参数的ＨＥＭＴ器件电流－电压特性和小等效电路参数的解析表达式。实际计算结果与测得数据比较表明，本模型具有比较高的精度。     

双端匹配问题的折线解理论

本文给出了一种处理宽带双端匹配的新方法—折线法。此法将匹配网络输入阻抗的实部近似用对数座标中的若干直线段表示,从而大大简化了相位函数的计算,降低了功率增益传递函数的非线性。最后给出应用此法设计宽带双端匹配网络的例子。     

应用正交表优化设计高成品率匹配网络和放大器

本文应用数理统计中的正交表设计法研究并设计微波高成品率匹配网络和放大器。给出了Smith圆图上不同阻抗区域所对应的高成品率匹配网络结构,并应用高成品率匹配网络和正交表设计了一个微波FET放大器,其特性和文献[5]用简化实频技术设计的基本相同,但其成品率要比[5]高得多。     

用因子分析法建立徽波场效应管S参数的统计模型

本文提出用因子分析法建立微波场效应管S参数的统计模型,给出了建模的算法步骤和模拟结果,并与主成分分析法建立的统计模型进行了比较。从结果可以看出,用因子分析法建立的统计模型具有比较高的精度。     

微波四端口电路的计算机辅助设计

本文介绍用传递矩阵分析微波四端口线性电路的基本方法,并给出若干基本电路元件的数学模型和四端口电路网络函数的表达式。此外,还介绍一个小型通用程序,它能对一些定向耦合器、平衡晶体管放大器以及电调衰减器等进行分析和优化设计。     

一种新的渐变线阻抗变换器设计方法

本文揭示了数字信号处理中窗函数与微波技术中渐变线阻抗变换器之间的内在联系,提出了用数字信号处理中常用的高性能窗函数设计渐变线的新方法,介绍了设计原理并给出了设计公式。