非硅MEMS聚酰亚胺牺牲层技术研究

MEMS作为微电子技术应用的新突破，促进了现代信息技术的发展，牺牲层是MEMS应用中的关键技术，该技术可实现结构悬空和机械移动。目前，聚酰亚胺已成为MEMS开关中一种主要的牺牲层材料。本文介绍了非硅MEMS聚酰亚胺牺牲层技术，通过实验解决了聚酰亚胺固化、金属膜溅射及释放问题。     

LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM-C/D多芯片组件的关键技术。它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。文章介绍了LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线中介质膜"龟裂",通孔接触电阻大、断路,对导带的保护以及电镀前的基片处理等工艺难题。     

光刻工艺稳定性研究

光刻技术是一种精密的表面加工技术，它是一种图形技术与图形刻蚀工艺相结合综合性工艺，是平面工艺中至关重要的一步，其工艺质量是影响器件性能、可靠性及成品率的关键因素之一。本文主要介绍了光刻工艺中容易出现的问题及解决方法，并通过分析和实验得出了稳定性方案。     

厚胶光刻工艺技术

本文通过对SU-82075负性光刻胶技术的研究，初步解决了厚胶工艺中易出现的胶的均匀性问题，并研究了厚胶曝光工艺。用EVG620型曝光机获得了厚度为100μm、高分辨率的厚胶图形。     

用剥离技术和激光技术制作薄膜电阻

研究了用一种新的方法制作定制薄膜电阻的可行性。结果表明,采用剥离技术和激光技术可以很好地实现某些定制薄膜电阻的制作,满足客户所要求的指标,其简化了光刻工艺,改进了薄膜电阻的制作方法,具有较大的实用价值。     

双面PSD器件的工艺研究

双面PSD器件具有很高的灵敏度、良好的瞬态响应特性、紧密的结构以及简单的处理电路等优点。介绍了PSD器件的制作技术。重点介绍了利用微细加工技术进行双面两侧分流电极型PSD的制作,解决了双面对准光刻技术的工艺难题,为双面高精度PSD器件的制作提供了一条工艺技术途径。     

MCM—D介质膜及通孔工艺技术

MCM—D中薄膜介质层主要是用于多层布线的层间绝缘及埋置电容器介质层。介质膜的制备及刻蚀工艺是（MCM—D）薄膜多层布线工艺的基础和关键技术。聚酰亚胺具有高热稳定性、低介电系数、良好的平坦性及可加工性，是用的最多的薄膜介质材料。本文通过对聚酰亚胺的选择、旋涂、固化工艺控制解决了聚酰亚胺介质膜的制备及稳定性难题。通过精确控制腐蚀时间来实现通孔的湿法刻蚀。     

RF MEMS开关工艺技术研究

RFMEMS开关是用MEMS技术形成的新型电路元件,与传统的半导体开关器件相比具有插入损耗低、隔离度大等优点,将对现有雷达和通信中RF结构产生重大影响。文章介绍了RFMEMS开关的基本工艺流程设计,工艺制作技术的研究。实验解决了种子层技术、聚酰亚胺牺牲层技术、微电镀技术的工艺难题,制作出了RFMEMS开关样品,基本掌握了RFMEMS器件的制作工艺技术。RFMEMS开关样品测试的技术指标为:膜桥高度2μm～3μm、驱动电压<30V、频率范围0～40GHz、插入损耗≤1dB、隔离度≥20dB,样品参数性能达到了设计要求。     

RF MEMS开关的工艺制备

介绍RFMEMS开关的基本工艺流程的设计,工艺制作技术的研究,实验解决了种子层技术、聚酰亚胺牺牲层技术、微电镀技术的工艺难题,制作出了RFMEMS开关样品。RFMEMS开关样品技术指标达到：膜桥高度2—31μm,驱动电压〈30V,频率范围0-40GHz,插入损耗≤1dB,隔离度≥20dB。     

一种LTCC基板上薄膜多层布线技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM—C／D多芯片组件的关键技术,它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条精确等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。本文介绍了在LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线的工艺难题。