InP MISFET及有关的高速低功耗逻辑集成电路

InP MISFET及有关的高速低功耗逻辑集成电路已受到越来越大的注意.本文介绍了这方面的发展现状、工艺制造及目前达到的性能等.对工艺制造中的核心部分——绝缘层生长作了重点介绍.最后提出了作者的几点看法.     

微波凹槽栅结构GaAs FET’s的最佳凹槽深度的选择的讨论

本文通过对GaAs FET’s进行有限元二维分析的结果表明,随着凹槽深度d_R的增加,功率器件和低噪声器件的各自的主要性能指标,即最大输出功率P_(max)和最低噪声系数F_(mln),虽能得到改善,但功率器件和低噪声器件的另一个性能指标,即单向功率增益G_(?)却下降了.本文对如何解决这一矛盾,以寻求凹槽栅器件的最佳凹槽深度的问题进行了讨论.结论是,功率器件宜采用浅凹槽结构,低噪声器件宜采用深凹槽结构.     

快速简便的青霉素效价测定法——Ⅰ.场效应管型青霉素传感器的研制

由双管差分输出型氢离子型敏场效应晶体管(pH-ISFET)与戊二醛交联的牛血清白蛋白青霉素酶膜经γ-氨基丙基三乙氧基硅烷硅烷化架桥结合组成FET型青霉素传感器,其使用寿命及贮存寿命分别大于4个月和6个月。在较适工艺条件下得到该传感器的响应特性为:在0.02mol/L、pH7.0的磷酸缓冲液中具有3～4mV/mmol的响应灵敏度和0.1～20mmol/L的线性范围,响应时间为30s。     

调制掺杂(Al,Ga)As-GaAs异质结二维电子气场效应晶体管(TEGFET)

调制掺杂(Al,Ga)As-GaAs异质结二维电子气场效应晶体管(TEGFET)是一种基于(Al,Ga)As-GaAs的界面处存在着高载流子迁移率二线电子气的原理制成的一种新型场效应器件.科学家们预言这种器件将在微波领域及超高速超大规模集成电路中得到重要应用.本文简述了它的工作机理、基本结构、耗尽型及增强型模式、工艺制造、目前达到的性能与通常的GaAs FET的比较、初步的器件物理分析和伏安特性计算.着重指出分子束外延生长工艺是这种器件的关键工艺.     

一个关于砷化镓场效应晶体管稳态特性的新的分析模型

本文提出了一个关于 GaAs FET’s的新的分析模型。与传统的一维“肖克来模型”不同,这个模型从一个新的概念——“非线性可变沟道电阻”出发来分析器件的工作机理.它不仅考虑了砷化镓材料的具有一段负微分迁移率区域的速度场特性,而且考虑了一些实际影响器件性能的因素,如有效的衬底电阻、载流子浓度与迁移率乘积在有源层内的分布等.此外,它还利用了一些二维数值分析的结果.     

GaAs FETs的小讯号微波网络参数的计算和分析

本文发展了M.Reiser提出的通过对由二维瞬态数值分析得到的在阶跃栅、漏电压作用下栅、漏电流的响应波形进行富里叶变换来计算场效应晶体管小讯号微波网络参数的方法.首先,对M.Reiser的计算Y参数的公式作了一定修正.其次,考虑了源、栅、漏串联电阻R_s、R_G、R_D的影响.此外,注意了在计算中保证“小讯号”的要求.应用本文的方法对典型的1μm栅长的GaAs MESFET通过有限元二维瞬态数值分析的途径作了计算,计算结果与实测值符合较好.     

微波凹槽栅结构GaAs FET’s的有限元二维数值分析

本文采用有限元二维数值分析方法揭示了微波凹槽栅结构 GaAs FET’s在工作状态下的内部物理图象,如载流子浓度分布、电位分布、电场分布以及速度分布等,并由此计算了一些重要的器件参数与凹槽深度的关系.以此为基础,本文分析并讨论了一些有关的器件物理问题,如:器件内部的电偶极层的状况、有效栅长的概念,凹槽栅结构之所以在微波功率器件及低噪声器件二个方面的性能均优于平面栅结构的原因.     

新的双层介质的InP MIS结构

本文提出了一种由真空蒸发法淀积的SiO薄膜和在P_2O_5气氛中进行InP的热氧化而形成的 InP本体氧化层(native oxide)所组成的新的双层介质 InP MIS结构.通过高频C-V特性的测量得到了较好的界面特性,其中最小界面态密度达8.5×10~(10)cm~(-2)eV~(-1).本文还通过俄歇电子能谱(AES)的测量探讨了上述InP的本体氧化层在改善InP MIS结构的界面特性方面所起的作用.     

快速简便的青霉素效价测定法——Ⅱ.场效应管型青霉素传感器的测定方法和应用

将已研制的场效应管(FET)型青霉素传感器应用于工厂和研究所发酵样液的青霉素效价测定。通过与现行的碘量法和比色法进行对比,证明FET型青霉素传感器能够代替碘量法与比色法,是一个简单、快速的青霉素效价检测法。