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The layer structure of GaInP/AlGaInP quantum well laser diodes (LDs) was grown on GaAs substrate using low-pressure metalorganic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) technique. In order to improve the catastrophic optical damage (COD) level of devices, a nonabsorbing window (NAW), which was based on Zn diffusion-induced quantum well intermixing, was fabricated near the both ends of the cavities. Zn diffusions were respectively carried out at 480, 500, 520, 540, and 580℃ for 20 minutes. The largest energy blue shift of 189.1 meV was observed in the window regions at 580℃. When the blue shift was 24.7 meV at 480℃, the COD power for the window LD was 86.7% higher than the conventional LD. 相似文献
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通过测量卢瑟福背散射沟道谱和随机谱,掌握了一种可以对制作离子注入型半导体可饱和吸收镜过程中离子注入的剂量进行选择的方法。 相似文献
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哺乳动物体液中的钙镁离子浓度能够反映体内营养代谢的平衡与一些疾病的发生发展. 尿液中钙镁离子浓度的准确测量需要不受基质影响的便捷新方法. 该文使用过量乙二胺四乙酸(EDTA)为探针并通过1H NMR方法测定钙镁离子与EDTA络合物的含量,建立了一种快速原位的尿液钙镁离子浓度测量方法. 将此方法分别用于人、大鼠及小鼠的尿液测定,发现3类哺乳动物的尿液钙镁离子浓度存在显著的物种依赖性和较大的相同物种个体间差异. 上述为生物体液中钙镁离子浓度的快速定量测量提供了便捷方法,也提供了3类哺乳动物尿液钙镁离子浓度的基础数据. 相似文献
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InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长 总被引:1,自引:0,他引:1
为了生长能满足器件制作所需的外延片,采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)方法在半绝缘InP衬底上生长了InP/InGaAs异质结双极晶体管(HBT)结构,1.55μm多量子阱激光二极管(MQW LD)以及两者集成的光发射光电集成电路(OEIC)材料结构。激光器结构的生长温度为655℃,有源区为5个周期的InGaAsP/ InGaAsP多量子阱(阱区λ=1.6μm,垒区λ=1.28μm);HBT结构则采用550℃低温生长,其中基区采用Zn掺杂,掺杂浓度约为2×1019 cm-3。对生长的各种结构分别进行了X射线双晶衍射,光致发光谱(PL)和二次离子质谱仪(SIMS)测试,结果表明所生长的材料结构已满足制作器件的要求。 相似文献