基于MMIC工艺的片上射频LC无源滤波器

设计、制作了几种基于MMIC工艺的片上LC低通/带通滤波器并进行了测试.测试结果表明,一个3nH的MMIC电感在6.8GHz下品质因数达到13.8.自谐振频率达到15.5GHz;制作的LC低通/带通滤波器的截止频率或中心频率与设计偏差很小,分别为2%和3.3%;低通滤波器在各自通带内的插入损耗小于3dB,带通滤波器在中心频率的插入损耗为7.2dB.     

负载FeCl~3的皂土催化合成二芳基酮

在负载FeCl~3的皂土上由苯甲酰氯和苯甲醚发生Friedel-Crafts酰化反应合成了系列二芳基酮化合物,该方法具有产率高,操作简单,催化剂易再生等优点。     

构形树状小通道内的流动沸腾换热特性

本文建立了构形树状小通道内流动沸腾换热模型,数值研究了树状通道网络内的流动沸腾换热特性,并与具有相同换热面积、入口直径的蛇形通道就泵功消耗、流动沸腾压降、通道温度变化和热有效性等指标进行了性能对比分析。研究表明,与蛇形通道相比,构形通道具有流动沸腾压降、泵功消耗小的优势,且其温度均匀性、热有效性也均优于蛇形通道。当热流密度为20 W/cm~2时,构形树状通道内流体的泵功消耗约为蛇形通道的一半,其热有效性为蛇形通道的1.9倍。     

基于MMIC工艺的片上射频LC无源滤波器

设计、制作了几种基于MMIC工艺的片上LC低通/带通滤波器并进行了测试. 测试结果表明,一个3nH的MMIC电感在6.8GHz下品质因数达到13.8,自谐振频率达到15.5GHz;制作的LC低通/带通滤波器的截止频率或中心频率与设计偏差很小,分别为2%和3.3%;低通滤波器在各自通带内的插入损耗小于3dB,带通滤波器在中心频率的插入损耗为7.2dB.     

双层螺旋RF MEMS电感的模拟与设计

分析了双层螺旋电感的等效电路模型,研究了一种与传统CMOS工艺兼容的MEMS工艺,通过腐蚀电感结构下的硅衬底使电感悬空.利用HFSS软件对一些双层螺旋微电感进行了模拟,模拟结果表明,相比传统单层电感,双层电感可以减少60%的芯片面积,10nH的电感也只需要很小的面积,经过MEMS后处理的双层螺旋电感的最大Q值都超过了20.     

聚苯乙烯球掩膜干法粗化提高LED发光效率

采用聚苯乙烯球作为掩膜层,对ITO(氧化铟锡)薄膜进行干法蚀刻实现ITO表面的粗化,提高GaN基大功率LED芯片外量子效率。利用AFM及SEM对ITO表面进行表征,比较了微球尺寸对ITO表面形貌及芯片光电参数的影响。结果表明,ITO表面经过350nm聚苯乙烯球图形化后,在未影响芯片正向电压和波长的前提下所制备的1mm×1mm波长为457nm的大功率LED芯片,亮度增加可达30%以上。     

提前期为正态分布下的单、双源供应商成本模型

提前期是供应链管理研究中一个重要的内容，有关提前期内需求模型方面的研究层出不穷，但关于提前期本身变化的研究并不多见。本文运用分析每期货物相关成本的方法，推导建立了提前期为正态分布时的单、双源供应商成本模型，然后进行了比较分析。最后，证明了模型最优解的存在，并给出了求解的算法。