1.55μm多量子阱行波光放大器

介绍了1.55μm波段的多量子阱(MQW)行波式半导体激光放大器的制备及其特性的测量.其测量结果.在注入脉冲电流条件下.内增益为20dB.饱和输出峰值功率为40mW.     

GaAs/GaAlAs行波激光放大器的研制及特性研究

近年来,半导体激光放大器(SLA)发展很快,SLA的光—光直接信号放大特性在波分复用(WDM)、频分复用(FDM)等长距离大容量传输系统中非常有吸引力。 按SLA的工作方式和结构特点可把其分成三种类型:法布里型(FP—SLA),注入     

H型结构垂直腔面发射激光器

报道了一种结构新颖的Ｈ型垂直腔面发射激光器。器件是由钨丝掩膜一次质子轰击和选择腐蚀相结合制备的，实验已实现在脉宽为２０μｓ，占空比为１１０的脉冲电流条件下的室温激射。     

由β-氨基酸合成β-内酰胺的新方法

β-内酰胺因有四元环结构,又是某些抗生素的母体,它的合成一直受到有机化学家的注意。1980年Melillo等用DCC为缩合剂由β-氨基酸脱水直接合成了β-内酰胺,1981年Kobayashi等报告了以Ph_3P—(PyS)_2为缩水剂由β-氨基酸合成β-内酰胺,1984年我们用2-氯吡啶盐为脱水剂成功的得到了β-内酰胺。本文报道在三聚氯氰及二甲基甲酰胺存在下使β-氨基酸环合成β-内酰胺的新方法。用这种新方法共合成了六种β-内酰胺Ⅱ_(a-f)。其特点是反应在温和的条件下进行,分离产品比较容易,产率约为56—90％左右,此法比较方便,尚未见文献报道。     

有机薄膜在平面光学微腔中的光致发光特性

本文研究了有机薄膜在平面光学微腔中的光致发光特性。有机光学微脸以多层介质膜和金属银分别作为反射镜,８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ）为发光层。Ａｌｑ薄膜的荧光峰位于５１９ｎｍ,谱线的半高全宽为９０ｎｍ。微腔的荧光峰位于５３０ｎｍ,谱线的半高全宽窄化至１０ｎｍ。谐振波长处的发射强度提高了一个数量级。     

Alq/DCM薄膜中的放大自发发射

自从在以 8-羟基喹啉铝 (Alq)掺杂小分子激光染料 DCM为激活介质的波导结构中 [1] ,光泵浦下观察到激光现象以来 ,这种以高效发光有机半导体材料代替以往的溶胶、凝胶或透明聚合物材料来稀释激光染料的方法 ,引起了人们广泛的关注和巨大的兴趣。因为 Alq的发射谱和 DCM的激发谱有很大的重叠 ,所以经光泵浦后的 Alq∶ DCM薄膜中处于激发态的 Alq分子很容易与附近的 DCM分子形成能量迁移[1] ,从而其发射谱表现为 DCM的荧光谱 ,而不是 Alq和 DCM的荧光谱的简单叠加。由于材料的发射谱相对于激发谱红移很大 ,所以很大程度上降低了材料…     

半导体激光器列阵与光纤的连接

半导体激光器具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、使用方便等许多优点，在泵浦固体激光器、材料加工、空间光通信、高速记录、激光诊断、激光治疗等方面有广泛的应用［１，２］，同时也推动了半导体激光器列阵的研究．人们期望激光器列阵不仅具有大的功率输出，而且应用...     

室温连续可见光垂直腔面发射激光器

利用钨丝掩膜质子轰击工艺制造出一种室温条件下可连续工作的可见光垂直腔面发射激光器。激射波长为６５０ｎｍ，未装在热沉上时连续工作最大输出功率为８５μＷ。     

不同地物类型微波发射率特征分析

地表微波发射率是表征地表特征的重要参数,同时也是反演地表、大气参数的重要条件。不同地物类型由于其结构,含水量,粗糙度等的差异而具有各自的辐射特征。利用2003年6～8月,2003年12月～2004年2月两个时段针对AMSR-E(advanced microwave scanning radiometer-EOS)传感器的晴空条件下全球地表微波发射率数据,结合IGBP分类标准及覆盖度数据,选择相对较纯像元,分析了不同地表类型的发射率特征以及不同地物类型的发射率在不同波段随季节的变化规律。结果表明,地表发射率跟频率与极化相关,几乎所有植被和裸土类型双极化下的发射率变化趋势是随频率的增加而增大,而冰雪覆盖类型V极化发射率随频率增加而减小。此外,发射率跟地表类型密切相关。植被类型的发射率要高于裸土的发射率。因此,随着植被密度的降低,裸土的贡献增大,导致总体发射率的降低。对于植被类型,一般在夏季处于生长旺盛期,发射率比较稳定,可作为特征发射率。积雪覆盖是一个重要因素,尤其在冬季影响着地表的发射率变化。     

聚苯乙烯球掩膜干法粗化提高LED发光效率

采用聚苯乙烯球作为掩膜层,对ITO(氧化铟锡)薄膜进行干法蚀刻实现ITO表面的粗化,提高GaN基大功率LED芯片外量子效率。利用AFM及SEM对ITO表面进行表征,比较了微球尺寸对ITO表面形貌及芯片光电参数的影响。结果表明,ITO表面经过350nm聚苯乙烯球图形化后,在未影响芯片正向电压和波长的前提下所制备的1mm×1mm波长为457nm的大功率LED芯片,亮度增加可达30%以上。