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用导纳谱技术研究了两类Si基量子阱样品基态子能级的性质.基于量子阱中载流子的热激发模型，从导纳谱中得到的激发能值被认为是阱中重空穴基态位置到阱顶的距离.对于SiGe合金和Si形成的组分量子阱，主要研究了退火对重空穴基态子能级的影响.发现样品的退火温度为800℃时，随退火时间延长，激发能增加.对此现象的解释是，由于Si,Ge互扩散，导致界面展宽，量子限制效应降低，重空穴基态位置下降，从而激发能增加.900℃下退火，由于扩散系数增大和应变弛豫加强，激发能值单调下降，量子限制效应引起的变化被掩盖.对于B高浓度超
关键词： 相似文献
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Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的新材料——ZnO量子点 总被引：7，自引：0，他引：7
介绍了研制Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器方面的一个新途径－－自组织生长ＺｎＯ量子点微晶结构、ＺｎＯ已经实现了室温下光泵激发的受激发射,它将是继Ⅱ－Ⅵ族硒化物、Ⅲ－Ⅴ经物之后的又一种半导体激光器材料。 相似文献
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