离子注入掺杂热再分布的分析计算

本文对离子注入杂质的熟再分布过程提出了两种分析手段，其一是已知热再分布的工艺条件，求解扩散方程得到最终杂质分布的解析结果；其二是已知再分布后杂质分布的边界条件，采用牛顿—拉夫逊。蒙特卡罗计算方法，求得最终杂质浓度分布；并给出了CMOS集成电路中离子注入p阱的计算结果。     

硅／硅直接键合制备p^＋／n^—和n^—／n^—结构

本文采用Si/Si直接键合制备p~+/n~-、n~-/n~-结构的工艺原理及方法。通过实验,摸索出了一种有效的表面清洗-高温处理Si/Si键合工艺;采用该工艺制出了p~+/n~-、n~-/n~-样片;对键合的微观结构、键合强度、杂质分布及电接触特性进行了检测。     

离子注入掺杂热再分布的理论分析

本文对离子注入搀杂杂质分布的热再分布过程提出了两种分析手段。其一是已知热再分布的具体过程,通过求解扩散方程得到了杂质最终分布的解析解;其二是已知热再分布最终杂质分布的某个边界条件,本文提出了有效杂质总量守恒模型,并采用牛顿-拉夫逊,或蒙特卡罗计算机数值方法,可求得最终的杂质分布。文中最后给出了CMOS工艺中离子注入P阱的计算结果。     

半导体参数自动测量和提取中GPIB与IBMPC接口技术

本文介绍的ＨＰ测试仪与ＩＢＭ ＰＣ微机构成的系统集测量与数据处理于一体，成功地实现了半导体参数的快速测量和提取，为集成电路和设计和开发提供了有效的手段，着重介绍ＧＰＩＢ测控总线与ＩＢＭＰＣ系统总线的接口原理及软／硬件实现方法。     

共源共栅CMOS运算放大器的分析与设计

本文描述了一个共源共栅差分输入级、电流镜偏置输出级结构的两级CMOS运放,它对常规运放的电源电压抑制比、增益、输出驱动能力、噪声、失调等有显著的改善。文中对运放的工作原理及设计技术等进行了详细的叙述,并采用标准CMOS工艺进行了投片试制和采用SPICE进行了电路模拟。结果令人满意,达到了设计指标,证明了设计理论的正确性。该运放已成功地应用于开关电容滤波器芯片的制造。     

Bi-CMOS双极型晶体管的研制

本文论述了在常规CMOS工艺下制作Bi-CMOS双极型晶体管的设计方法及制造工艺.首先通过对Bi-CMOS双极型晶体管版图结构的分析,探讨了工作机理,阐明了采用标准CMOS工艺制作高性能Bi-CMOS双极型晶体管的设计方法.然后,建立了分析计算晶体管直流特性的数学模型,并分析计算了工艺参数、器件结构对器件性能的影响,给出了CMOS工艺全兼容的Bi-CMOS双极型npn晶体管的最佳设计方案.采用常规p阱CMOS工艺进行了投片试制.测试结果表明,器件性能达到了设计指标;器件的电流增益在200以上,与理论计算完全一致.     

双极晶体管整体直流模型的参数优化提取

本文叙述了采用蒙特卡罗方法进行整体双极晶体管GP模型直流参数的优化提取方案．通过拟台实验测得的晶体管参数．一次性提取出全体直流模型参数．文中最后给出了计算实例．     

CMOS四象限乘法器的精确设计

本文提出了一种新型CMOS四象限乘法器,它基于MOSFET的电流-电压平方律模型,采用电压比例电路及四管单元乘法电路使乘法器能精确完成乘法运算。该乘法器的电路结构简单、精确度高及实现四象限相乘的特点,使之在CMOS通信集成电路,信号处理及运算电子系统中有广阔的应用前景。文中对电路的结构进行了详细分析和设计,并给出了HSPICE-Ⅱ模拟结果。