LaB6在低压强氮气和氦气中的放电特性

 研究了LaB₆在1~10 Pa氮气和氦气中的直流和脉冲放电特性以及放电过程对电极的影响。结果表明，电极直径为5 mm的LaB6氦气放电管在脉冲工作状态下可以长期稳定放电。在脉冲电压为2.2 kV、脉冲宽度10 ms、频率13.3 Hz下，脉冲峰值放电电流超过120 A。氦气放电管在放电过程中，阴极表面有离子的清洗和活化作用，可以使电极的表面逸出功降低，提高放电管的发射能力和稳定性。LaB₆作为气体放电电极具有寿命长、延迟时间短、放电电流大等优点，可用于重复强流脉冲气体放电的高压高速开关器件。     

磁控溅射LaB6薄膜光学性能研究

采用磁控溅射法在玻璃基片上沉积LaB6薄膜。通过改变溅射功率参数,获得最佳制备工艺条件。采用XPS、X射线衍射仪和分光光度计研究薄膜的成分、结构、晶向以及透过率。当溅射功率为44 W,氩气气压为1.5 Pa,氩气流量为27 sccm时制备的LaB6薄膜表面相对平整,结构致密。 XRD数据也表明,此时LaB6薄膜结晶度最高且(110)晶面发生明显的择优生长。同时分光光度计结果显示：薄膜的透过率随溅射时间的增加而降低,并且最高透过率对应的波长没有发生变化。     

场发射阵列阴极(FEA)在微波器件中的应用

分析了场发射阵列阴极的跨导、电容以及阵列阴极的发射电流密度、电子束直径、电流稳定性对微波器件性能的影响,并提出了相应的改善措施,有效地提高了微波器件的性能.最后,概述了金刚石薄膜及碳纳米管阵列阴极在微波器件中的应用情况,目前虽然还不成熟,却显得有极大的潜力.     

六硼化镧材料的化学腐蚀工艺研究

目前,阴极发射体材料多存在逸出功大,可靠性及均匀性低,发射性能低、不能自动调节活性物质更替的速度等方面的问题．与之相比,六硼化镧既具有可恒定地维持一个活性阴极表面．同时具有高导电率和良好的热稳定性及化学稳定性,是作为阴极发射体的理想材料．而对六硼化镧的化学腐蚀在以其为阴极的阴极发射体制备工艺中起着至关重要的作用,本文简述了对材料的化学腐蚀工艺的初步研究,并得到了图形化的六硼化镧表面。     

方酸作桥联配体的双核铕螯合物的电致发光

利用方酸作为桥联配体合成了一种双核铕鳌合物Eu_2（DBM）_4（Sq）Phen_2 ．用TPD作空穴传输材料、Eu_2（DBM）_4（Sq）Phen_2作发光材料和载流子传输材料、 8-羟基喹啉和铝（AlQ）作电子传输材料，设计了不同电致发光电特性，结果表明 Eu_2（DBM）_4（Sq）phen_2是一种同时具有空穴和电子传输能力的红色电致发光 材料，在器件结构为ITO/TPD,50nm/Eu_2（DBM）_4（Sq）Phen2，20nm/ALQ，50nm/LiF， 1nm/Al,200nm时，获得了在16V,6.9mA下有最大亮度91cd／m~2的电致发光器件.     

YAG荧光屏的制作与性能

介绍一种YAG荧光屏的结构、制作以及性能。YAG荧光屏不同于传统玻璃荧光屏的一个显著特点就是以具有高热导率、高机械强度、良好绝缘性和透光性的单晶YAG代替玻璃作为荧光屏粉层衬底。我们在YAG衬底上采用离心沉淀法制作荧光粉层;有机膜采用手工旋涂法工艺制作;铝膜采用真空电阻蒸发法制作,并讨论了铝膜的最佳厚度选取。3英寸红、绿、蓝荧光屏在0.5mA电流、29kV电压下亮度分别是6.2×10     

硅场发射微尖阵列的制备工艺研究

主要阐述了用于场发射硅锥阵列的制备工艺,实验中在101.6mm(4in)的n型(100)晶向低阻硅片上氧化出一层厚度约为650nm的氧化层,再用投影曝光的方法光刻出边长2μm,间距4μm的方形掩膜。再分别使用反应离子刻蚀(RIE)技术和湿法刻蚀制备硅锥阵列,干法刻蚀并结合氧化削尖工艺得到了曲率半径为90nm左右且具有良好一致性的尖锥,湿法刻蚀同样得到较理想的结果。     

硼化镧薄膜的发射特性研究

LaB6阴极凭借其优良的发射特性已广泛应用于各种大电流密度的电子源，但是硼化镧薄膜的制备方法以及其发射特性还未得到深入的研究，本文对在Ta金属基底材料上使用电子束蒸发法得到的硼化镧薄膜表面型貌使用扫描电子显微镜进行了观测，使用XPS紫外光电子能谱仪测量了其原子比，薄膜显示出良好的发射特性，利用热发射测量逸出功，利用Richardson直线法计算得到薄膜材料的逸出功为2．64eV。     

多晶LaB6阴极的脉冲热发射特性

 采用多晶LaB₆材料制成平板二极管阴极，阳极采用钼材料，阴极采用热传导与热辐射加热，加热体为石墨。实验研究了不同阴极温度、不同真空度下的脉冲发射特性，并对热发射稳定性进行了分析。结果表明： 在动态真空系统中， 阴极发射面积为0.012 1 cm²， 工作真空度为2×10^-4 Pa， 阴极温度分别为1 600， 1 650和1 700 ℃，在脉冲宽度为40 ms、重复频率为107 Hz的条件下，最大脉冲发射电流密度分别为34.0，44.0和53.8 A/cm²; 2×10^-4，5×10^-4和2×10^-3 Pa压强下的发射能力没有明显的差异;脉冲宽度的变化不影响发射电流密度的变化。     

电化学刻蚀法制备LaB6场发射微尖锥阵列

采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进行了测试比较.结果表明,LaB₆作为场发射阴极,具有良好的发射性能和稳定性.在〈111〉面单晶LaB₆基片上,用PECVD法沉积非晶硅作掩膜,制备出具有一定高度的LaB₆微尖锥场发射阵列,结果发现,LaB₆基底较为平整,尖锥阵列呈现出各向异性.该结论对LaB₆材料在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的指导意义.